一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池技术

本发明专利技术公开一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池。该制备方法包括：硅基体第一主表面形成第一掺杂层，第一掺杂层表面形成包含第一掺杂元素的第一硅玻璃层；在第一掺杂层对应于第一区域的部分形成第二掺杂层，其中，第一掺杂层和第二掺杂层均通过掺杂第一掺杂元素形成，第二掺杂层的结深大于第一掺杂层的结深；通过高温氧化工艺，使第一硅玻璃层的厚度增加；去除第一掺杂层和第一硅玻璃层对应于第二区域的部分；在第二区域形成包含第二掺杂元素的第三掺杂层及位于第一掺杂层和第三掺杂层之间的间隔区域；去除厚度增加的第一硅玻璃层。该方案能够降低背接触太阳能电池生产工序的操作难度和复杂度，提高背接触太阳能电池的生产效率。阳能电池的生产效率。阳能电池的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池


[0001]本专利技术涉及一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池。

技术介绍

[0002]由于背接触太阳能电池消除了正面栅线遮光损失，具有较高的光电转换效率的特性，使其在高效将本的太阳能电池产业化上具有十分重要的地位。
[0003]目前，背接触太阳能电池制备过程中不可避免的需要引入掩模，通过掩模实现背接触太阳能电池中P+掺杂层与N+掺杂层在不同太阳能电池背面的区域设置。现有的引入掩模的方式，在后续需要通过化学刻蚀或者物理刻蚀方式去除掩模。但是，如果掩模去除工序一旦操作出现偏差，很容易导致位于掩模下方的参杂层被破坏，影响背接触太阳能电池的性能，而且背接触太阳能电池生产过程中的引入掩模以及掩模去除工序，导致背接触太阳能电池生产工序具有比较高的操作难度和复杂度，并导致背接触太阳能电池的生产效率较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，该制备方法能够降低背接触太阳能电池生产工序的操作难度和复杂度，提高背接触太阳能电池的生产效率。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供以下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种背接触太阳能电池的制备方法，包括：
[0007]步骤1、在硅基体的第一主表面形成第一掺杂层，同步在所述第一掺杂层表面形成包含第一掺杂元素的第一硅玻璃层；
[0008]步骤2、通过激光掺杂方式，在所述第一掺杂层对应于第一区域的部分形成第二掺杂层，其中，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层均通过掺杂所述第一掺杂元素形成，所述第二掺杂层的结深大于所述第一掺杂层的结深；
[0009]步骤3、通过高温氧化工艺，使所述第一硅玻璃层的厚度增加，并使得第一掺杂元素在第一掺杂层和第二掺杂层重新分布，使所述第二掺杂层形成重掺杂区域；
[0010]步骤4、去除所述第一掺杂层和所述第一硅玻璃层对应于第二区域的部分，其中，所述第一区域与所述第二区域互不重叠；
[0011]步骤5、在所述第二区域形成包含第二掺杂元素的第三掺杂层及位于所述第一掺杂层和所述第三掺杂层之间的间隔区域；
[0012]步骤6、去除厚度增加的所述第一硅玻璃层。
[0013]第二方面，本专利技术实施例提供一种背接触太阳能电池，包括：
[0014]硅基体、间隔区域、通过第二掺杂元素形成的第三掺杂层及分别通过第一掺杂元素形成的第一掺杂层和第二掺杂层；
[0015]所述第一掺杂层、所述第三掺杂层及所述间隔区域位于所述硅基体的第一主表面
上，且所述间隔区域位于所述第一掺杂层和所述第三掺杂层之间；
[0016]所述第二掺杂层位于所述第一掺杂层内，其中，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层均通过掺杂所述第一掺杂元素形成，所述第二掺杂层的结深大于所述第一掺杂层的结深，以形成对应于所述第一掺杂元素的重掺杂区域；
[0017]所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素分别为N型掺杂元素和P型掺杂元素。
[0018]上述专利技术的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：
[0019]1、本专利技术实施例提供的方案在硅基体的第一主表面形成第一掺杂层以及层叠于第一掺杂层的第一硅玻璃层之后，通过激光掺杂方式，利用第一掺杂元素在形成于硅基体的第一主表面的第一掺杂层上形成第二掺杂层，后续通过高温氧化工艺，使第一硅玻璃层的厚度增加，并使得第一掺杂元素在第一掺杂层和第二掺杂层重新分布，使第二掺杂层形成重掺杂区域，即形成对应于第一掺杂元素轻掺杂区域和位于轻掺杂区域内的重掺杂区域，并去除第一掺杂层和第一硅玻璃层对应于第二区域的部分，在第二区域形成包含第二掺杂元素的第三掺杂层及位于第一掺杂层和第三掺杂层之间的间隔区域，使形成第一掺杂元素的轻掺杂区域、第一掺杂元素的重掺杂区域以及第二掺杂元的区域过程完全省略了形成掩模以及去除掩模的过程，有效地简化了背接触太阳能电池的生产工艺，降低背接触太阳能电池生产工序的操作难度和复杂度，以有效地提高背接触太阳能电池的生产效率。
[0020]2、本专利技术实施例提供的方案在硅基体的第一主表面形成第一掺杂层以及层叠于第一掺杂层的第一硅玻璃层之后，通过激光掺杂方式，利用第一掺杂元素在形成于硅基体的第一主表面的第一掺杂层上形成第二掺杂层，后续通过高温氧化工艺，使第一硅玻璃层的厚度增加，使第一掺杂层和第二掺杂层的第一掺杂元素重新分布，以形成对应于第一掺杂元素轻掺杂区域和位于轻掺杂区域内的重掺杂区域，一方面能够降低后续去除第一硅玻璃层过程的操作难度，并在去除第一硅玻璃层过程能够降低甚至避免对第一掺杂层和第二掺杂层的损伤，以有效地提高制成的背接触太阳能电池的性能以及背接触太阳能电池的产良率。
[0021]3、本专利技术实施例提供的方案通过高温氧化工艺，使第一硅玻璃层的厚度增加的同时，能够降低第一掺杂层的掺杂浓度，即降低轻掺杂区域的掺杂浓度，能够有效地提高制备的背接触太阳能电池的光电转换性能。
附图说明
[0022]图1是根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制备方法的主要流程示意图；
[0023]图2是根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制备方法中步骤S101至步骤S103对应的部分结构的一种变化过程示意图；
[0024]图3是根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制备方法中步骤S101至步骤S103对应的部分结构的另一种变化过程示意图；
[0025]图4是根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制备方法中步骤S104至步骤S107对应的部分结构的一种变化过程示意图；
[0026]图5是根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制备方法中步骤对应的部分结构的另一种变化过程示意图；
[0027]图6是根据本专利技术实施例的步骤S105包括的主要流程的示意图；
[0028]图7是根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制备方法中步骤对应的部分结构的另一种变化过程示意图；
[0029]图8是根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制备方法中步骤对应的部分结构的另一种变化过程示意图；
[0030]图9是根据本专利技术实施例的步骤S1052包括的主要流程的示意图；
[0031]图10是根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的结构示意图。
[0032]附图标记如下：
[0033]10
‑
硅基体；21
‑
第一掺杂层；21'
‑
第一杂质层；22
‑
第二掺杂层；30
‑
第一硅玻璃层；30'
‑
第二硅玻璃层；41
‑
第三掺杂层；41'
‑
第二杂质层；42
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间隔区域；50
‑
隧穿氧化钝化层；60
‑
第三硅玻璃层；60'
‑
第四硅玻璃层；70
‑
第一金属电极；80
‑
第二金属电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤1、在硅基体(10)的第一主表面形成第一掺杂层(21)，同步在所述第一掺杂层(21)表面形成包含第一掺杂元素的第一硅玻璃层(30)；步骤2、通过激光掺杂方式，在所述第一掺杂层(21)对应于第一区域中的部分形成第二掺杂层(22)，其中，所述第一掺杂层(21)和所述第二掺杂层(22)均通过掺杂所述第一掺杂元素形成，所述第二掺杂层(22)的结深大于所述第一掺杂层(21)的结深；步骤3、通过高温氧化工艺，使所述第一硅玻璃层(30)的厚度增加，并使得第一掺杂元素在第一掺杂层(21)和第二掺杂层(22)重新分布，使所述第二掺杂层(22)形成重掺杂区域；步骤4、去除所述第一掺杂层(21)和所述第一硅玻璃层(30)对应于第二区域的部分，其中，所述第一区域与所述第二区域互不重叠；步骤5、在所述第二区域形成包含第二掺杂元素的第三掺杂层(41)及位于所述第一掺杂层(21)和所述第三掺杂层(41)之间的间隔区域(42)；步骤6、去除厚度增加的所述第一硅玻璃层(30)。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1还包括：同步在所述硅基体(10)的第二主表面形成对应于所述第一掺杂层(21)的包含所述第一掺杂元素的第一杂质层(21')以及形成于所述第一杂质层(21')表面的第二硅玻璃层(30')。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3还包括：通过所述高温氧化工艺，使所述第一掺杂层(21)包括的所述第一掺杂元素向所述第一硅玻璃层(30)所在方向迁移，以使所述第一硅玻璃层(30)的厚度增加，并使所述第一掺杂层(21)的掺杂浓度降低。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3使所述第一掺杂层(21)的掺杂浓度小于或者等于6
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atom/cm3。5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤4包括：通过激光剥离方式去除所述第一掺杂层(21)和所述第一硅玻璃层(30)对应于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉林，黄卓，陈斌，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：