半导体发光元件制造技术

提供实现了发光效率以及散热性的提高的半导体发光元件。本公开的半导体发光元件(1)具备：半导体构造体(10)，具有n侧半导体层(11)、配置于第一区域上的发光层(12)、及配置于发光层(12)上的p侧半导体层(13)，所述n侧半导体层(11)在俯视时具有第一区域(R1)、位于第一区域(R1)的外周的第二区域(R2)、及被第一区域(R1)包围的多个第三区域(R3)；第一绝缘膜(20)，配置在半导体构造体(10)上，具有配置在第三区域(R3)上的多个第一开口部(h1)与配置在p侧半导体层(13)上的多个第二开口部(h2)；n侧电极(40)，配置在第一绝缘膜(20)上，在多个第一开口部(h1)与n侧半导体层(11)电连接；n焊盘电极(60)，配置于第二区域(R2)，与n侧电极(40)电连接；第二绝缘膜(30)，配置于第一绝缘膜(20)上，具有配置于与多个第二开口部(h2)重叠的位置的多个第三开口部(h3)；以及p焊盘电极(70)，配置于第二绝缘膜(30)上，在多个第三开口部(h3)与p侧半导体层(13)电连接，在俯视时，p焊盘电极(70)覆盖第一区域(R1)以及第三区域(R3)，在俯视时，多个第一开口部(h1)配置于第三开口部(h3)的周围。于第三开口部(h3)的周围。于第三开口部(h3)的周围。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件


[0001]本公开的专利技术涉及半导体发光元件。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种发光元件，其具有：半导体层叠部，层叠有第一半导体层、活性层、及第二半导体层；电连接于第一半导体层的n电极；电连接于第二半导体层的p电极；以及n电极。在这种发光元件中，提出了以覆盖第一半导体层与n电极的导通部的方式形成在p电极上形成的第一镀敷电极。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第5985782号公报

技术实现思路

[0006]专利技术将要解决的课题
[0007]在专利文献1公开的半导体发光元件中，要求进一步提高发光效率以及散热性。
[0008]本公开的目的在于提供具有较高的发光效率以及较高的散热性的半导体发光元件。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]为了实现以上的目的，本公开的半导体发光元件具备：
[0011]半导体构造体，其具有：n侧半导体层，在俯视时具有第一区域、位于所述第一区域的外周的第二区域以及被所述第一区域包围的多个第三区域；发光层，配置在所述第一区域上；以及p侧半导体层，配置在所述发光层上；
[0012]第一绝缘膜，其配置在所述半导体构造体上，具有配置在所述第三区域上的多个第一开口部与配置在所述p侧半导体层上的多个第二开口部；
[0013]n侧电极，其配置在所述第一绝缘膜上，在所述多个第一开口部与所述n侧半导体层电连接；
[0014]n焊盘电极，其配置于所述第二区域，与所述n侧电极电连接；
[0015]第二绝缘膜，其配置在所述第一绝缘膜上，具有配置于与所述多个第二开口部重叠的位置的多个第三开口部；以及
[0016]p焊盘电极，其配置在所述第二绝缘膜上，在所述多个第三开口部与所述p侧半导体层电连接，
[0017]在俯视时，所述p焊盘电极覆盖所述第一区域以及所述第三区域，
[0018]在俯视时，所述多个第一开口部配置于所述第三开口部的周围。。
[0019]专利技术效果
[0020]根据如以上那样构成的本公开的半导体发光元件，能够实现发光效率以及散热性的提高。
附图说明
[0021]图1是本公开的实施方式的半导体发光元件的俯视图。
[0022]图2是本公开的实施方式的半导体发光元件的剖面图。
[0023]图3是半导体发光元件的p侧电极的俯视图。
[0024]图4是半导体发光元件的n侧接触电极的俯视图。
[0025]图5是半导体发光元件的n侧布线部的俯视图。
[0026]图6是半导体发光元件的第一绝缘膜的俯视图。
[0027]图7是半导体发光元件的第二绝缘膜的俯视图。
[0028]图8A是一实施方式的变形例1A的半导体发光元件的俯视图。
[0029]图8B是一实施方式的变形例1B的半导体发光元件的俯视图。
[0030]图9是一实施方式的变形例2的半导体发光元件的俯视图。
[0031]图10是一实施方式的变形例3的半导体发光元件的俯视图。
[0032]图11是一实施方式的变形例4的半导体发光元件的俯视图。
[0033]图12是一实施方式的变形例5的半导体发光元件的俯视图。
[0034]图13是表示本公开的实施方式的半导体发光元件的制造流程的流程图。
[0035]图14A是使用于第一验证试验以及第二验证试验的实施例1的半导体发光元件的俯视图。
[0036]图14B是使用于第一验证试验以及第二验证试验的实施例2的半导体发光元件的俯视图。
[0037]图14C是使用于第一验证试验以及第二验证试验的实施例3的半导体发光元件的俯视图。
[0038]图14D是使用于第一验证试验以及第二验证试验的实施例4的半导体发光元件的俯视图。
[0039]图14E是使用于第一验证试验的实施例5的半导体发光元件的俯视图。
[0040]图14F是使用于第一验证试验的实施例6的半导体发光元件的俯视图。
[0041]图14G是使用于第一验证试验的实施例7的半导体发光元件的俯视图。
[0042]图14H是使用于第一验证试验的比较例的半导体发光元件的俯视图。
[0043]图15是作为第一验证试验而示出实施例以及比较例的n侧导通部的个数与半导体发光元件的相对输出的关系的图表。
[0044]图16是作为第一验证试验而示出实施例以及比较例的n侧导通部的个数与半导体发光元件的正向电压Vf的关系的图表。
[0045]图17是作为第二验证试验而示出实施例的n侧导通部的个数与半导体发光元件的输出的关系的图表。
[0046]图18是作为第二验证试验而示出实施例的n侧导通部的个数与半导体发光元件的正向电压Vf的关系的图表。
具体实施方式
[0047]如图1、2所示，本公开的半导体发光元件1具备半导体构造体10、第一绝缘膜20以及第二绝缘膜30、n侧电极40以及n焊盘电极60、p焊盘电极70。
[0048]半导体构造体10具有n侧半导体层11、发光层12、及p侧半导体层13。
[0049]n侧半导体层11具有第一区域R1、位于第一区域R1的外周的第二区域R2、及被第一区域R1包围的多个第三区域R3。
[0050]第一绝缘膜20具备配置于第三区域R3上的多个第一开口部h1与配置于p侧半导体层13上的多个第二开口部h2。
[0051]第二绝缘膜30中具备配置于与多个第二开口部h2重叠的位置的多个第三开口部h3。
[0052]n侧电极40在多个第一开口部h1与n侧半导体层11电连接。n侧电极40与n焊盘电极60电连接。n侧半导体层11与n焊盘电极60经由n侧电极40而电连接。
[0053]p焊盘电极70配置于第二绝缘膜30上，在多个第三开口部h3与p侧半导体层13电连接。
[0054]在俯视时，p焊盘电极70覆盖第一区域R1以及第三区域R3，多个第一开口部h1配置于第三开口部h3的周围。
[0055]根据上述构成，在俯视时，p焊盘电极70覆盖第一区域R1以及第三区域R3，因此能够利用p焊盘电极70对半导体发光元件1中产生的热量进行散热。而且，在俯视时，多个第一开口部h1配置于第三开口部h3的周围。因此，在半导体发光元件1中流过电流时，从n侧电极40经由第一开口部h1供给的电子容易朝向配置于周围的第三开口部h3侧(p侧半导体层侧)移动。由此，能够提高半导体发光元件1的发光效率。
[0056]如上述那样，本公开的半导体发光元件能够提高发光效率，并且适当地将伴随着半导体发光元件的发光产生的热量散热。
[0057]以下，详细地说明更具体的方式。图1是本公开的实施方式的半导体发光元件的俯视图。图2是本公开的实施方式的半导体发光元件的剖面图。图3是半导体发光元件的p侧电极的俯视图。图4是半导体发光元件的n侧接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：半导体构造体，其具有：n侧半导体层，在俯视时具有第一区域、位于所述第一区域的外周的第二区域以及被所述第一区域包围的多个第三区域；发光层，配置在所述第一区域上；以及p侧半导体层，配置在所述发光层上；第一绝缘膜，其配置在所述半导体构造体上，具有配置在所述第三区域上的多个第一开口部与配置在所述p侧半导体层上的多个第二开口部；n侧电极，其配置在所述第一绝缘膜上，在所述多个第一开口部与所述n侧半导体层电连接；n焊盘电极，其配置于所述第二区域，与所述n侧电极电连接；第二绝缘膜，其配置在所述第一绝缘膜上，具有配置于与所述多个第二开口部重叠的位置的多个第三开口部；以及p焊盘电极，其配置在所述第二绝缘膜上，在所述多个第三开口部与所述p侧半导体层电连接，在俯视时，所述p焊盘电极覆盖所述第一区域以及所述第三区域，在俯视时，所述多个第一开口部配置于所述第三开口部的周围。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一开口部与所述第三开口部在俯视时配置为交错状。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述发光层包含Al组成比为40％以上60％以下的AlGaN层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，在俯视时，所述n焊盘电极在比所述p焊盘电极的外缘靠外侧配置有多个。5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，在俯视时，所述半导体构造体为矩形状，所述n焊盘电极配置于所述第二区域中的位于所述半导体构造体的角部的所述第二区域。6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述p焊盘电极在俯视时为八边形形状。7.根据权利要求1至3...

【专利技术属性】
技术研发人员：细川泰伸，大塚匠，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：