激光器芯片、制备方法及激光器技术

技术编号:38716192 阅读:18 留言:0更新日期:2023-09-08 14:59
本申请提供了一种激光器芯片、制备方法及激光器,属于激光器技术领域,用于解决电镀外观粗糙、各处电镀厚度不一的问题。本申请的激光器芯片包括:衬底、第一绝缘层及光刻胶层。第一绝缘层覆盖于衬底的背面上。光刻胶层覆盖于第一绝缘层上。本申请的激光器芯片能够获得均匀性更好的镀层,以提高芯片的散热效果,同时,能够降低镀层的粗糙度,使电镀外观更好,以便于后序测试时的识别。于后序测试时的识别。于后序测试时的识别。

【技术实现步骤摘要】
激光器芯片、制备方法及激光器


[0001]本申请属于激光器
,具体涉及一种激光器芯片、制备方法及激光器。

技术介绍

[0002]激光器是一种能发射激光的装置,是激光设备的核心零部件。激光器一般包括增益介质、泵浦源和谐振腔三个部分。泵浦源为激光器提供光源,增益介质(也称为工作物质)吸收泵浦源提供的能量后将光放大,谐振腔为泵浦光源与增益介质之间的回路,振腔振荡选模输出激光。激光器芯片主要用于发射信号,将电信号转化为光信号,是光电子器件的重要组成部分。在激光器芯片的制备过程中,电镀镀金一直起着非常重要的作用。但电镀镀金工艺一直存在外观粗糙、各处电镀厚度不一的问题。电镀外观粗糙会影响后序测试时的识别。各处电镀厚度不一会影响芯片的散热效果,进而影响芯片的可靠性。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
[0004]因此,第一方面,提供了一种激光器芯片,包括:衬底、第一绝缘层及光刻胶层。第一绝缘层覆盖于衬底的背面上。光刻胶层覆盖于第一绝缘层上。
[0005]可选的,第一绝缘层为氮化硅层。
[0006]可选的,衬底的材质为磷化铟或砷化镓。
[0007]可选的,激光器芯片还包括第二绝缘层。第二绝缘层覆盖于衬底的正面上。
[0008]可选的,激光器芯片还包括电极层。电极层覆盖于第二绝缘层的远离衬底的一侧表面上。
[0009]可选的,第二绝缘层为衬底的外延层。
[0010]第二方面,还提供了一种制备方法,包括如下步骤:
[0011]提供衬底。
[0012]在衬底的背面沉淀第一绝缘层。
[0013]在第一绝缘层上涂覆光刻胶层。
[0014]利用电镀镀金工艺在衬底的正面上形成电极层。
[0015]去除衬底的背面的光刻胶层和第一绝缘层。
[0016]可选的,利用电镀镀金工艺在衬底的正面形成电极层,包括:
[0017]在衬底的正面生长第二绝缘层。
[0018]利用电镀镀金工艺在在第二绝缘层上形成电极层。
[0019]可选的,第一绝缘层的材质为氮化硅。
[0020]第三方面,又提供了一种激光器,包括:上述的激光器芯片。
[0021]有益效果
[0022]1、本专利技术的实施例中所提供的激光器芯片,在衬底的背面设置了第一绝缘层,能够在对衬底的正面进行电镀加工时,规避衬底背面漏电的情况,增加衬底背面的绝缘性,进
而使衬底正面获得更加均匀的电镀层;在第一绝缘层上涂覆了光刻胶层,能够堵住第一绝缘层中产生的盲孔和穿孔,以防止电流漏出,达到了更好的绝缘效果。本专利技术在衬底背面生长第一绝缘层,再涂覆光刻胶层,能够使衬底正面在进行电镀镀金时,获得均匀性更好的镀层,以提高芯片的散热效果,同时,降低了镀层的粗糙度,使电镀外观更好,以便于后序测试时的识别。
[0023]2、本专利技术的实施例中所提供的制备方法在对衬底的正面进行电镀镀金前,先在衬底的背面上生长第一绝缘层,再在第一绝缘层上涂覆光刻胶层,之后再进行正面的电镀镀金。这样一来,既能规避电镀时背面漏电的情况,又能防止电流对第一绝缘层造成损伤,致使第一绝缘层脱落,污染电镀液。本专利技术的制备方法能够有效的提高衬底正面电镀的均匀性,使电镀镀层的外观更好,既能提高芯片的散热效果,又能便于后序测试时的识别。另外,在电镀镀金完成后,可以将第一绝缘层及光刻胶层去除,不会对芯片的结构造成改变和影响。
[0024]3、本专利技术的实施例中所提供的激光器包括上述的激光器芯片,因此具备上述激光器芯片的全部有益效果,此处不再赘述。
附图说明
[0025]图1为本申请提供的一个实施例的激光器芯片的结构示意图;
[0026]图2为本申请提供的一个实施例的激光器芯片的结构示意图;
[0027]图3为本申请提供的一个实施例的制备方法的流程图;
[0028]图4为本申请提供的一个实施例的制备方法的流程图;
[0029]图5为本申请提供的一个实施例的激光器的整体结构示意图。
[0030]附图标记为:
[0031]1、衬底;2、第一绝缘层;3、光刻胶层;4、第二绝缘层;5、电极层;6、激光器。
具体实施方式
[0032]在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0033]此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0034]在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0035]以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。
[0036]第一方面,本实施例提供了一种激光器芯片,图1为本实施例提供的一种激光器芯片的结构示意图。
[0037]如图1所示,激光器芯片包括:衬底1、第一绝缘层2及光刻胶层3。第一绝缘层2覆盖于衬底1的背面上。光刻胶层3覆盖于第一绝缘层2上。
[0038]在一些示例中,光刻胶层3中包括感光树脂、增感剂和溶剂。本实施例的光刻胶层3能够在电镀镀金工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。
[0039]在一些示例中,衬底1的背面上的第一绝缘层2和光刻胶层3先于衬底1的正面上的结构形成。当衬底1的正面上的结构加工完成后,可将衬底1的背面上的第一绝缘层2和光刻胶层3去除。去除的方法可以采用溶解、刻蚀等。
[0040]本实施例所提供的激光器芯片,在衬底1的背面设置了第一绝缘层2,能够在对衬底1的正面进行电镀加工时,规避衬底1背面漏电的情况,增加衬底1背面的绝缘性,进而使衬底1正面获得更加均匀的电镀层。在第一绝缘层2上涂覆了光刻胶层3,能够堵住第一绝缘层2中产生的盲孔和穿孔,以防止电流漏出,达到了更好的绝缘效果,具体的,第一绝缘层2生长过程会产生盲孔和穿孔,盲孔和穿孔会造成一定的电流漏出,而光刻胶具有一定的流动性,所以通过在第一绝缘层2涂覆光刻胶层3能够堵住第一绝缘层2中本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光器芯片,其特征在于,包括:衬底;第一绝缘层,覆盖于所述衬底的背面上;光刻胶层,覆盖于所述第一绝缘层上。2.根据权利要求1所述的激光器芯片,其特征在于,所述第一绝缘层为氮化硅层。3.根据权利要求1所述的激光器芯片,其特征在于,所述衬底的材质为磷化铟或砷化镓。4.根据权利要求1~3任一项所述的激光器芯片,其特征在于,还包括:第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖于所述衬底的正面上。5.根据权利要求4所述的激光器芯片,其特征在于,还包括:电极层,所述电极层覆盖于所述第二绝缘层的远离所述衬底的一侧表面上。6.根据权利要求4所述的激光器芯片,其特征在于,所述第二绝缘层为...

【专利技术属性】
技术研发人员:方子明张绪源刘巍刘应军金灿
申请(专利权)人:武汉敏芯半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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