一种半导体光放大器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体光放大器，在厚度方向上包括：有源层波导，两侧为

【技术实现步骤摘要】
一种半导体光放大器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及光电子
，具体涉及一种半导体光放大器及其制作方法
。

技术介绍

[0002]随着光通信
、
光纤传感
、
激光雷达等应用技术的发展，半导体光放大器
(Opticalsemiconductoramplifier
，
SOA)
的应用越来越广泛
。
半导体光放大器具有尺寸小
、
放大波段宽
、
成本低等优势，但其存在功率饱和状态下非线性的问题，在传输距离和探测距离较远的应用场景中，对于激光光源的功率要求越来越高，这就对半导体光放大器的增益
、
饱和光功率提出了越来越高的要求
。
[0003]目前提高
SOA
的最大饱和输出光功率，许多研究机构和公司提出了很多方案，比如在输出端采用衍射限制增益波导或采用平板耦合光波导
(SCOW)
来实现，但这两种方案均存在缺点，衍射限制增益波导由于波导太宽只适用于多横模应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体光放大器，其特征在于，在厚度方向上包括：有源层波导，两侧为
n
‑
p
‑
n
掺杂波导，包括依次设置的第一波导层
(10)、
量子阱层
(11)
和第二波导层
(12)
；无源层波导
(3)
，位于所述有源层波导和所述
n
‑
p
‑
n
掺杂波导下方
。2.
根据权利要求1所述的半导体光放大器，其特征在于，在长度方向上所述半导体光放大器包括：高增益段
(13)、
渐变段
(14)
和高饱和输出段
(15)
，所述高增益段
(13)
为所述半导体光放大器输入端，所述渐变段
(14)
连接所述高增益段
(13)
与所述高饱和输出段
(15)
，所述高饱和输出段
(15)
是所述半导体光放大器输出端；在长度方向上所述有源层波导包括：高增益段有源层波导
(16)、
渐变段有源层波导
(17)
和高饱和输出段有源层波导
(18)
；在长度方向上所述无源层波导
(3)
包括：高增益段无源波导
(301)、
渐变段无源波导
(302)
和高饱和输出段无源波导
(303)
；所述高增益段有源层波导
(16)
的宽度为2～4μ
m
，长度为
1000
～
2500
μ
m
，所述高饱和输出段有源层波导
(18)
宽度为4～8μ
m
，长度为
500
～
2000
μ
m
，所述渐变段有源层波导
(17)
输入端波导宽度与高增益段有源层波导
(16)
相同，所述渐变段有源层波导
(17)
输出端波导宽度与高饱和输出端有源层波导
(18)
相同，所述渐变段有源层波导
(17)
长度为
100
～
500
μ
m。3.
根据权利要求2所述的半导体光放大器，其特征在于，所述高增益段有源层波导
(16)、
所述渐变段有源层波导
(17)
和所述高饱和输出段有源层波导
(18)
厚度一致，所述高增益段无源波导
(301)、
所述渐变段无源波导
(302)
和所述高饱和输出段无源波导
(303)
材料相同厚度一致
。4.
根据权利要求1所述的半导体光放大器，其特征在于，所述无源层波导
(3)
的厚度为
150
～
400nm。5.
根据权利要求1所述的半导体光放大器，其特征在于，所述有源层波导和所述无源层波导
(3)
厚度方向上间隔为
0.5
～
1.5

【专利技术属性】
技术研发人员：朱尧，周志强，黄晓鸣，刘永康，
申请(专利权)人：武汉敏芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：