本公开提供一种半导体激光器湿法腐蚀方法，涉及半导体光电子集成器件领域，包括：在烧杯中配置腐蚀液；将烧杯放入控温水槽中，以控制腐蚀温度；将超波发生器放入控温水槽中，用于产生超声振动；在预设腐蚀温度下，将待腐蚀的半导体激光器放入烧杯中进行预设时长的腐蚀；将控温水槽安置于磁力搅拌器上；同时开启磁力搅拌器与超波发生器，腐蚀液被搅拌的同时受到超声振动。本公开实施例采用磁力搅拌仪器和超声振动相结合的方法，对半导体激光器进行湿法腐蚀，实现了对半导体激光器材料微结构湿法腐蚀的精确控制，进而减小光发射集成芯片光耦合的损耗。耦合的损耗。耦合的损耗。
【技术实现步骤摘要】
半导体激光器湿法腐蚀方法及其装置
[0001]本公开涉及半导体光电子集成器件的
，尤其涉及一种半导体激光器湿法腐蚀方法及其装置。
技术介绍
[0002]随着光通信和人工智能的快速发展，人们对带宽的需求呈现爆发性的增长。光发射芯片作为制约光通信带宽提高的最重要因素，其结构尺寸越来越小，集成度越来越高。随着光发射芯片的尺寸减小和集成度提高，对光发射芯片的制程精度要求越来越高。光发射芯片的制备过程中经常会用到干法刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺，干法刻蚀工艺的精度取决于光刻的精度和干法刻蚀设备的选择性，通常经过一定的工艺摸索可以处于一个比较精确的稳定状态。而湿法腐蚀工艺取决于半导体材料的成分、厚度、掺杂、晶向、以及腐蚀液的温度和流动性，如果湿法腐蚀工艺控制不好，将直接影响光发射芯片的性能。通常光发射芯片材料的湿法腐蚀方法采用旋转喷淋腐蚀和在腐蚀液中规律晃动腐蚀，旋转喷淋腐蚀会造成腐蚀液的雾化挥发，同时容易在材料表面造成深坑，严重影响半导体材料表面特性；在腐蚀液中规律晃动腐蚀无法使已腐蚀溶液快速流动，造成腐蚀的不均匀性，影响侧壁的角度进而增加光在波导中的损耗。
技术实现思路
[0003]本公开提供了半导体激光器湿法腐蚀方法及其装置，以改善当前半导体激光器湿法腐蚀方法腐蚀不均匀的问题。
[0004]本公开的一个方面提供了一种半导体激光器湿法腐蚀方法，包括以下步骤：在烧杯中配置腐蚀液；将烧杯放入控温水槽中，以控制腐蚀温度；将超波发生器放入控温水槽中，用于产生超声振动；在预设腐蚀温度下，将待腐蚀的半导体激光器放入烧杯中进行预设时长的腐蚀；将控温水槽安置于磁力搅拌器上；同时开启磁力搅拌器与超波发生器，腐蚀液被搅拌的同时受到超声振动。
[0005]根据本公开实施例，超波发生器按照预设功率进行超声振动；
[0006]根据本公开实施例，预设功率设置为小于10W的功率。
[0007]根据本公开实施例，磁力搅拌器包括搅拌子，用于搅拌腐蚀液。
[0008]根据本公开实施例，将待腐蚀的半导体激光器放入烧杯中进行腐蚀之后，还包括：
[0009]根据本公开实施例，对腐蚀完成的半导体激光器进行冲水清洗和甩干处理。
[0010]根据本公开实施例，腐蚀液为氯化氢和水按照预设比例配置的溶液；氯化氢和水的预设比例为4∶1。
[0011]根据本公开实施例，预设腐蚀温度小于0摄氏度。
[0012]根据本公开实施例，预设时长为2分钟。
[0013]本公开的另一个方面提供了一种半导体激光器湿法腐蚀装置，适用于上述的半导体激光器湿法腐蚀方法，包括：烧杯，用于盛放腐蚀液；超波发生器，用于产生超声振动，进
行均匀腐蚀；控温水槽，用于安置烧杯和超波发生器，控制腐蚀温度；磁力搅拌器，用于安置控温水槽，并搅拌腐蚀液。
[0014]根据本公开实施例，磁力搅拌器还包括搅拌子；搅拌子采用玻璃搅拌子或磁力搅拌子。
[0015]在本公开实施例采用的上述至少一个技术方案至少包括以下有益效果：本公开实施例采用磁力搅拌仪器和超声振动相结合的方法，对半导体激光器进行湿法腐蚀，实现了对半导体激光器材料微结构湿法腐蚀的精确控制，进而减小光发射集成芯片光耦合的损耗。
附图说明
[0016]为了更完整地理解本公开及其优势，现在将参考结合附图的以下描述，其中：
[0017]图1示意性示出了本公开实施例提供的半导体激光器湿法腐蚀方法的流程图；
[0018]图2示意性示出了本公开实施例提供的半导体激光器湿法腐蚀装置的整体结构示意图。
[0019]【附图标记说明】
[0020]1、腐蚀液；2、控温水槽；3、超波发生器；4、磁力搅拌器；5、烧杯；6、搅拌子。
具体实施方式
[0021]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0022]在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
[0023]在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或可以互相通讯；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
[0024]在本公开的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“长度”、“周向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的子系统或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
[0025]贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。可能导致本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。并且图中各部件的形状、尺寸、位置关系不反映真实大小、比例和实际位置关系。另外，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。
[0026]类似地，为了精简本公开并帮助理解各个公开方面中的一个或多个，在上面对本
公开示例性实施例的描述中，本公开的各个特征有时被一起分到单个实施例、图或者对其描述中。参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或者多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0027]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。
[0028]当前半导体激光器进行湿法腐蚀时通常采用旋转喷淋腐蚀和在腐蚀液中规律晃动腐蚀，但是旋转喷淋腐蚀会造成腐蚀液的雾化挥发，同时容易在材料表面造成深坑，严重影响半导体材料表面特性；在腐蚀液中规律晃动腐蚀无法使已腐蚀溶液快速流动，造成腐蚀的不均匀性，影响侧壁的角度进而增加光在波导中的损耗。
[0029]为解决上述问题，本公开实施例提供了一种半导体激光器湿法腐蚀方法。图1示意本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器湿法腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：在烧杯(5)中配置腐蚀液(1)；将所述烧杯(5)放入控温水槽(2)中，以控制腐蚀温度；将超波发生器(3)放入所述控温水槽(2)中，用于产生超声振动；在预设腐蚀温度下，将待腐蚀的半导体激光器放入所述烧杯(5)中进行预设时长的腐蚀；将所述控温水槽(2)安置于磁力搅拌器(4)上；同时开启所述磁力搅拌器(4)与所述超波发生器(3)，所述腐蚀液(1)被搅拌的同时受到超声振动。2.根据权利要求1所述的半导体激光器湿法腐蚀方法，其特征在于，所述超波发生器(3)按照预设功率进行超声振动。3.根据权利要求2所述的半导体激光器湿法腐蚀方法，其特征在于，所述预设功率设置为小于10W的功率。4.根据权利要求1所述的半导体激光器湿法腐蚀方法，其特征在于，所述磁力搅拌器(4)包括搅拌子(6)，用于搅拌所述腐蚀液(1)。5.根据权利要求1所述的半导体激光器湿法腐蚀方法，其特征在于，将待腐蚀的半导体激光器放入所述烧杯(5)中进行腐蚀之后，还包括：对腐蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：安欣，周代兵，贺卫利，陆丹，梁松，赵玲娟，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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