【技术实现步骤摘要】
半导体器件及包括该半导体器件的电子系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年4月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0052911的权益，该申请的公开内容通过引用整体并入本文。
[0003]一个或多个示例性实施例涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。
技术介绍
[0004]在需要数据存储的电子系统中，对能够存储高容量数据的半导体器件的需求很高。因此，已经研究了增加半导体器件的数据存储容量的方法。例如，作为增加半导体器件的数据存储容量的方法，已经提出了包括三维布置的存储单元而不是二维布置的存储单元的半导体器件。
技术实现思路
[0005]本公开的一个方面提供了一种具有改进的电性能和增强的批量生产特性的半导体器件。
[0006]另一方面提供了一种包括具有改进的电性能和增强的批量生产特性的半导体器件的电子系统。
[0007]根据一个方面，提供了一种包括第一半导体结构和第二半导体结...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一半导体结构，包括第一衬底、设置在所述第一衬底上的电路器件、以及设置在所述电路器件上的第一金属接合层；以及第二半导体结构，包括：栅电极，在垂直于所述第一金属接合层的上表面的第一方向上彼此间隔开并堆叠；沟道结构，穿过所述栅电极，在所述第一方向上延伸，并分别包括沟道层；第二金属接合层，设置在所述沟道结构和所述栅电极下方，并连接到所述第一金属接合层；位线，设置在所述沟道结构下方，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，并彼此间隔开；以及源极线，设置在所述沟道结构上，在垂直于所述第二方向的第三方向上延伸，并彼此间隔开，其中，所述沟道结构分别设置在所述位线和所述源极线彼此交叉的交叉区中。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线分别设置在所述沟道结构的在所述第二方向上的列下方。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线延伸穿过所述沟道结构的在所述第二方向上的中心轴。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构还包括将所述位线和所述沟道结构彼此连接的沟道接触插塞。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构还包括将所述源极线和所述电路器件彼此连接的源极接触插塞。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极线的上宽度大于下宽度，所述源极线的下部使所述沟道结构的上部凹陷。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极线的下宽度大于上宽度。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极线包括金属材料。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构还包括将所述源极线中的每一条和所述沟道层彼此连接的过孔接触插塞。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道结构之中相对于所述第三方向布置成行的沟道结构分别形成行组，以及所述源极线中的每一条连接到所述行组之中的一个行组。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道结构之中相对于所述第三方向布置成行的沟道结构分别形成行组，以及所述源极线中的每一条连接到所述行组之中的多个行组。12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道结构中的每一个还包括设置在所述栅电极和所述沟道层之间的栅极介电层，以及所述栅极介电层的上端位于与所述沟道层的上端基本相同的高度处。13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道层包括接触掺杂区，以及所述接触掺杂区与所述源极线中的每一条接触。14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述第二半导体结构还包括穿过所有所述栅电极并在所述第二方向上延伸的隔离区，所述栅电极中的每一个栅电极的单元区被限定在所述隔离区之中的一对相邻的隔离区之间，以及所述源极线包括与所述隔离区重叠并在所述第二方向上延伸的块共享源极线。15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二半导体结构还包括穿过所有所述栅电极并在所述第二方向上延伸的隔离区，所述栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：李昇珉，金俊亨，禹映范，任峻成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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