一种交叉线阳极、成像探测器以及交叉线阳极的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种交叉线阳极、成像探测器以及交叉线阳极的制备方法，用于解决传统交叉线阳极存在的上层矩形导电条遮蔽下层矩形导电条、易产生极间电容串扰、电荷损失及制作难度和成本高的技术问题。本发明专利技术的交叉线阳极包括绝缘层、M

【技术实现步骤摘要】
一种交叉线阳极、成像探测器以及交叉线阳极的制备方法


[0001]本专利技术涉及探测器，尤其涉及一种交叉线阳极、成像探测器以及交叉线阳极的制备方法。

技术介绍

[0002]在光子计数成像探测领域，位敏阳极探测器由于有着高分辨率、高信噪比、高灵敏度等优点，已被广泛应用在深空探测、生物微弱发光和环境辐射监测等领域。位敏阳极探测器中的阳极有多种不同的结构，其中交叉线阳极属于电荷分割型阳极，基于交叉线阳极的光子计数成像探测器具有高空间分辨率、高时间分辨率、图像线性畸变小、探测范围广等优点。
[0003]目前的光子计数成像探测器大多采用以下两种工艺实现：一、采用半导体工艺；半导体工艺为一层绝缘层一层金属层交错叠加的方式，在交叉线阳极中，在绝缘表面上制备了两组正交和独立的导电带电极。通过调节条带的宽度和不同条带之间的间隙，从而通过计算使大约一半的电子降落到下层条带。但半导体工艺制造过程中用于在两个轴之间建立绝缘的多层金属和陶瓷，因此顶部条带的宽度不均匀。二、采用光刻技术；光刻工艺中上导电层和下导电层的面积比为50:50，所以会在设计过程中对上下层条带本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交叉线阳极，其特征在于：包括绝缘层(3)、N
×
M个连接柱(4)、位于绝缘层(3)上表面的顶层PCB布局以及位于绝缘层(3)下表面的底层PCB布局；其中M为2
n
，N为2
n
，n为大于等于3的整数；顶层PCB布局包括M
×
N个等间距分布的横向电极接收单元(101)、N
×
M个等间距分布的纵向电极接收单元(201)、M
×
(N
‑
1)个横向电极连接单元(102)；M
×
N个横向电极接收单元(101)和N
×
M个纵向电极接收单元(201)依次交错分布成等间距分布的2M
×
2N个接收单元；每个横向电极连接单元(102)与同一横向的相邻横向电极接收单元(101)电连接；所述绝缘层(3)上对应每个纵向电极接收单元(201)中心的位置分别开设有盲埋孔，所述连接柱(4)位于盲埋孔内；底层PCB布局包括N个纵向电极传输单元(202)；每个纵向电极传输单元(202)通过相应的连接柱(4)与同一纵向的所有纵向电极接收单元(201)分别电连接；一个纵向电极接收单元(201)的面积等于一个横向电极接收单元(101)与一个横向电极连接单元(102)的面积之和。2.根据权利要求1所述的一种交叉线阳极，其特征在于：所述横向电极接收单元(101)和纵向电极接收单元(201)均为六边形。3.根据权利要求1或2所述的一种交叉线阳极，其特征在于：所述M＝32，N＝32。4.根据权利要求3所述的一种交叉线阳极，其特征在于：所述连接柱(4)为铜柱。5.一种成像探测器，其特征在于：包括探测单元和电子读出单元；所述探测单元包括真空管壳(6)以及沿光子入射方向依次设置的紫外光学窗口(5)、紫外光电阴极(7)、微通道板(8)、权利要求1
‑
4任一所述的交叉线阳极(9)；所述紫外光学窗口(5)位于真空管壳(6)的前端，紫外光电阴极(7)、微通道板(8)以及交叉线阳极(9)位于真空管壳(6)内；所述交叉线阳极(9)的输出端连接电子读出单元。6.根据权利要求5所述的一种成像探测器，其特征在于：所述微通道板(8)为V型级联微通道板。7.根据权利要求5或6所述的一种成...

【专利技术属性】
技术研发人员：段瑾瑶，杨阳，郑锦坤，宋玉超，束安鹏，王博，曹伟伟，白永林，
申请(专利权)人：中国科学院西安光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：