【技术实现步骤摘要】
半导体单晶材料加热炉
[0001]本技术涉及单晶加热炉
,尤其涉及半导体单晶材料加热炉。
技术介绍
[0002]单晶加热炉在使用时,硅料倒入后,由加热系统进行加热,用于融化硅料并使炉体保持在一定温度下使硅进行单晶生长,单晶生长的完整性、均匀性等对其性能起到了决定性作用,目前多通过提拉法进行单晶生长,需要在坩埚加热时进行转动,为保证质量,坩埚的稳定性十分重要,此外,加热炉在使用完成后,其内部会残留一定的热量,仍有一定的回收价值,直接冷会造成热量浪费,不够环保。因此,本领域技术人员提供了半导体单晶材料加热炉,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的半导体单晶材料加热炉,本加热炉通过设置的环形滑槽和转动架对坩埚进行限位,能够有效的增强坩埚在转动时的稳定性,提高单晶生长质量,在加热完成后炉体内的余热能够通过通气管进入余热回收箱内的换热管中,从而回收炉体余热,更加的节能环保,同时也能够对炉内废气进行降温,便于后续排放。
[0004]为实现 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.半导体单晶材料加热炉,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的上端固定连接有炉体(2),所述炉体(2)的一侧设置有余热回收箱(4),所述余热回收箱(4)的一侧设置有保温水箱(5);所述炉体(2)的上端盖设有保温盖(3),所述炉体(2)的内部转动连接有转轴(10),所述转轴(10)的上端固定连接有保温套(12),所述保温套(12)的内部固定设置有坩埚(13),所述炉体(2)的内底部固定设置有环形滑槽(16),所述坩埚(13)的下端环绕中心处固定连接有多个转动架(15),所述转动架(15)的下端与环形滑槽(16)滑动连接;所述余热回收箱(4)包括罐体(401),所述罐体(401)的内部固定连接有换热管(405),所述罐体(401)与炉体(2)之间固定连接有通气管(6),所述通气管(6)与换热管(405)之间连通,所述罐体(401)与保温水箱(5)之间固定设置有水泵(7)。2.根据权利要求1所述的半导体单晶材料加热炉,其特征在于:所述罐体(401)的上端两侧分别固定连接有进水管(402)和蒸汽排出管(403),所述罐体(401)的上端另一侧固定连接有热气...
【专利技术属性】
技术研发人员:董淼,李先洲,
申请(专利权)人:沈阳市鼎汉电热设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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