一种芯片老化测试方法和测试电路技术

本发明专利技术实施例公开了一种芯片老化测试方法和测试电路。芯片老化测试方法包括：接收控制指令；根据控制指令，生成检测指令集；将检测指令集传输至芯片的各存储测试电路，并接收各存储测试电路反馈的测试结果；根据各存储测试电路反馈的测试结果，确定芯片的老化测试进程。本发明专利技术实施例提供的芯片老化测试方法和测试电路，能够提高测试可靠性。能够提高测试可靠性。能够提高测试可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片老化测试方法和测试电路


[0001]本专利技术实施例涉及芯片老化测试技术，尤其涉及一种芯片老化测试方法和测试电路。

技术介绍

[0002]随着对芯片性能的要求越来越高，更多的存储单元配置并应用到芯片，高达几百兆字节的高密度存储单元被实例化在一颗芯片设计中已经是普遍现象。为保证芯片中的存储单元以及芯片的性能，需对芯片进行老化测试。
[0003]目前，现有的芯片老化测试方法，在对芯片中的存储单元进行老化测试时，通常只能达到使存储单元在较长时间内反复反转的测试目的，并不能很好地控制存储单元内部的逻辑反转，会损失该部分的测试覆盖，影响测试可靠性。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种芯片老化测试方法和测试电路，以提高测试可靠性。
[0005]本专利技术实施例提供了一种芯片老化测试方法，包括：
[0006]接收控制指令；
[0007]根据控制指令，生成检测指令集；
[0008]将检测指令集传输至芯片的各存储测试电路，并接收各存储测试电路反馈的测试结果；
[0009]根据各存储测试电路反馈的测试结果，确定芯片的老化测试进程。
[0010]可选的，根据各存储测试电路反馈的测试结果，确定芯片的老化测试进程，包括：
[0011]若存在至少一个存储测试电路反馈的测试结果有错误，则生成修复信息集并根据测试结果确定存在错误的测试结果对应的存储测试电路；
[0012]将修复信息集传输至存在错误的测试结果对应的存储测试电路。
[0013]可选的，将修复信息集传输至存在错误的测试结果对应的存储测试电路之后，包括：
[0014]接收存在错误的测试结果对应的存储测试电路再次反馈的测试结果；
[0015]若存在至少一个存储测试电路再次反馈的测试结果有错误，则继续将修复信息集传输至再次反馈的有错误的测试结果对应的存储测试电路，直至完成预设次数的修复信息集的传输。
[0016]可选的，接收存在错误的测试结果对应的存储测试电路再次反馈的测试结果，包括：
[0017]监测存在错误的测试结果对应的存储测试电路是否完成测试；
[0018]若存在错误的测试结果对应的存储测试电路完成测试，则接收存在错误的测试结果对应的存储测试电路再次反馈的测试结果。
[0019]可选的，根据各存储测试电路反馈的测试结果，确定芯片的老化测试进程，包括：
[0020]若测试结果无误，则停止测试。
[0021]可选的，接收各存储测试电路反馈的测试结果，包括：
[0022]监测各存储测试电路是否完成测试；
[0023]若各存储测试电路均完成测试，则接收各存储测试电路反馈的测试结果。
[0024]可选的，检测指令集为二进制数据集，测试结果包括二进制数据。
[0025]第二方面，本专利技术实施例提供了一种芯片老化测试电路，包括：检测指令集生成模块、修复模块、结果收集模块和测试控制模块；修复模块和结果收集模块均与检测指令集生成模块电连接，检测指令集生成模块、修复模块以及结果收集模块均与测试控制模块电连接；老化测试电路用于通过如第一方面所述的芯片老化测试方法，对芯片进行老化测试。
[0026]可选的，检测指令集生成模块、修复模块以及结果收集模块均与芯片的各存储测试电路电连接，各存储测试电路与芯片的各存储单元一一对应。
[0027]可选的，芯片老化测试电路集成在芯片，芯片老化测试电路用于通过各存储测试电路对各存储单元进行老化测试，以对芯片进行老化测试。
[0028]本专利技术实施例提供的芯片老化测试方法和测试电路，包括：接收控制指令；根据控制指令，生成检测指令集；将检测指令集传输至芯片的各存储测试电路，并接收各存储测试电路反馈的测试结果；根据各存储测试电路反馈的测试结果，确定芯片的老化测试进程。本专利技术实施例提供的芯片老化测试方法和测试电路，根据接收的各存储测试电路反馈的测试结果，确定芯片的老化测试进程，如测试结果中的数据相比检测指令集中对应的数据存在未翻转情况，可确定测试结果有错误，则进行预设次数的修复，若修复后测试结果仍有错误则表示存储测试电路对应的存储单元存在问题，芯片有老化趋势，解决了无法覆盖存储单元内部的老化测试问题，从而可提高测试可靠性。
附图说明
[0029]图1是本专利技术实施例一提供的一种芯片老化测试方法的流程图；
[0030]图2是本专利技术实施例二提供的一种芯片老化测试方法的流程图；
[0031]图3是本专利技术实施例三提供的一种芯片老化测试电路的结构示意图。
具体实施方式
[0032]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0033]实施例一
[0034]图1是本专利技术实施例一提供的一种芯片老化测试方法的流程图，本实施例可适用于对芯片进行老化测试等方面，该方法可以由芯片老化测试电路来执行，该方法具体包括如下步骤：
[0035]步骤110、接收控制指令。
[0036]其中，控制指令可以是包括对芯片进行老化测试信息的指令，控制指令可以由芯片老化测试电路的外部输入至芯片老化测试电路。
[0037]步骤120、根据控制指令，生成检测指令集。
[0038]具体的，检测指令集可以是二进制数据集，芯片老化测试电路根据控制指令，确定需要对芯片进行老化测试时，自动生成检测指令集，以通过检测指令集对芯片进行老化测试。
[0039]步骤130、将检测指令集传输至芯片的各存储测试电路，并接收各存储测试电路反馈的测试结果。
[0040]其中，芯片设置有多个存储单元即存储测试电路，在对芯片进行老化测试时需对芯片中的各存储测试电路进行老化测试，芯片老化测试电路设置在芯片，并与各存储测试电路连接，从而可将检测指令集传输至各存储测试电路，并接收各存储测试电路反馈的测试结果。
[0041]步骤140、根据各存储测试电路反馈的测试结果，确定芯片的老化测试进程。
[0042]具体的，测试结果可包括二进制数，若测试结果无误，则停止测试，表示芯片正常无老化趋势。其中，测试结果有误或无误可以通过比较测试结果中的数据和检测指令集中的数据确定，例如，测试结果中的数据相比检测指令集中对应的数据均发生了翻转包括0翻转为1，1翻转为0，则可确定测试结果无误，测试结果中的数据相比检测指令集中对应的数据存在未翻转情况，则可确定测试结果有错误。若存在至少一个存储测试电路反馈的测试结果有错误，则生成修复信息集并根据测试结果确定存在错误的测试结果对应的存储测试电路，将修复信息集传输至存在错误的测试结果对应的存储测试电路，接收存在错误的测试结果对应的存储测试电路再次反馈的测试结果；若存在至少一个存储测试电路再次反馈的测试结果有错误，则继续将修复信息集传输至再次反馈的有错误的测试结果对应的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片老化测试方法，其特征在于，包括：接收控制指令；根据所述控制指令，生成检测指令集；将所述检测指令集传输至芯片的各存储测试电路，并接收所述各存储测试电路反馈的测试结果；根据所述各存储测试电路反馈的测试结果，确定所述芯片的老化测试进程。2.根据权利要求1所述的芯片老化测试方法，其特征在于，所述根据所述各存储测试电路反馈的测试结果，确定所述芯片的老化测试进程，包括：若存在至少一个存储测试电路反馈的测试结果有错误，则生成修复信息集并根据所述测试结果确定存在错误的测试结果对应的存储测试电路；将所述修复信息集传输至所述存在错误的测试结果对应的存储测试电路。3.根据权利要求2所述的芯片老化测试方法，其特征在于，所述将所述修复信息集传输至所述存在错误的测试结果对应的存储测试电路之后，包括：接收所述存在错误的测试结果对应的存储测试电路再次反馈的测试结果；若存在至少一个存储测试电路再次反馈的测试结果有错误，则继续将修复信息集传输至所述再次反馈的有错误的测试结果对应的存储测试电路，直至完成预设次数的所述修复信息集的传输。4.根据权利要求3所述的芯片老化测试方法，其特征在于，所述接收所述存在错误的测试结果对应的存储测试电路再次反馈的测试结果，包括：监测所述存在错误的测试结果对应的存储测试电路是否完成测试；若所述存在错误的测试结果对应的存储测试电路完成测试，则接收所述存在错误的测试结果对应的存储测试电路再次反馈的测试结果。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：马海英，谭晓慧，张亚林，
申请(专利权)人：北京燧原智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：