电路仿真方法、测试装置、电子设备及介质制造方法及图纸

本申请提供一种电路仿真方法、测试装置、电子设备及介质，包括：进行仿真环境初始化，其中包括：从存储阵列中，选取N个存储单元作为待验证单元，对每个待验证单元进行修复验证；进行电路仿真，所述电路包括阵列区电路和外围区电路；输出电路仿真结果文件，其中包括对所述待验证单元进行修复验证的结果。本方案能够提高修复验证的效率。高修复验证的效率。高修复验证的效率。

【技术实现步骤摘要】
电路仿真方法、测试装置、电子设备及介质


[0001]本申请涉及存储器技术，尤其涉及一种电路仿真方法、测试装置、电子设备及介质。

技术介绍

[0002]伴随存储器技术的发展，存储器被广泛应用，比如，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)。存储器的实际生产和使用过程中，有一定概率会产生存储单元坏点，存储单元坏点不能正常工作，需进行修复。
[0003]因此，如何有效验证存储单元的修复，成为需要考虑的问题。

技术实现思路

[0004]本申请的实施例提供一种电路仿真方法、测试装置、电子设备及介质。
[0005]根据一些实施例，本申请第一方面提供一种电路仿真方法，所述电路包括阵列区电路和外围区电路，所述方法包括：进行仿真环境初始化，其中包括：从存储阵列中，选取N个存储单元作为待验证单元，对每个待验证单元进行修复验证，其中，N大于等于10，小于等于20；进行电路仿真；输出电路仿真结果文件，其中包括对所述待验证单元进行修复验证的结果。
[0006]在一些实施例中，所述选取N个存储单元作为待验证单元，包括：接收N个地址信息，所述地址信息包括存储单元的行地址信息和列地址信息，其中，所述行地址信息属于存储阵列的行地址信息集合，所述列地址信息属于存储阵列的列地址信息集合；根据所述地址信息确定所述待验证单元。
[0007]在一些实施例中，所述对每个待验证单元进行修复验证，包括：通过修复电路对所述待验证单元进行修复替换；向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据；读取修复替换后的所述待验证单元对应的地址，若当前读取的数据为所述第一数据，则判定所述待验证单元修复成功。
[0008]在一些实施例中，所述通过修复电路对所述待验证单元进行修复替换，包括：随机选取冗余存储单元；将所述待验证单元的地址替换为所述冗余存储单元的地址，以完成对所述待验证单元的修复替换。
[0009]在一些实施例中，所述向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据之前，还包括：读取所述地址；所述向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据，包括：若当前读取的数据为空，则向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据。
[0010]在一些实施例中，所述读取所述地址之后，还包括：若当前读取的数据不为空，则判定所述待验证单元修复失败并中止流程。
[0011]在一些实施例中，述从存储阵列中，选取N个存储单元作为待验证单元之后，以及所述对每个待验证单元进行修复验证之前，还包括：向所述待验证单元中写入第二数据，所
述第二数据与所述第一数据不同；所述对每个待验证单元进行修复验证，包括：读取所述待验证单元；若当前读取的数据为所述第二数据，则对所述待验证单元进行修复验证。
[0012]在一些实施例中，所述读取所述待验证单元之后，还包括：若当前读取的数据不为所述第二数据，则跳过对所述待验证单元的修复验证。
[0013]在一些实施例中，所述读取修复替换后的所述待验证单元对应的地址之后，还包括：若当前读取的数据不为所述第一数据，则判定所述待验证单元修复失败。
[0014]根据一些实施例，本申请第二方面提供一种测试装置，包括：初始化模块，用于进行仿真环境初始化，其中包括：从存储阵列中，选取N个存储单元作为待验证单元，对每个待验证单元进行修复验证，其中，N大于等于10，小于等于20；仿真模块，用于进行电路仿真；所述电路包括阵列区电路和外围区电路；输出模块，用于输出电路仿真结果文件，其中包括对所述待验证单元进行修复验证的结果。
[0015]在一些实施例中，所述初始化模块包括：接收单元，用于接收N个地址信息，所述地址信息包括存储单元的行地址信息和列地址信息，其中，所述行地址信息属于存储阵列的行地址信息集合，所述列地址信息属于存储阵列的列地址信息集合；确定单元，用于根据所述地址信息确定所述待验证单元。
[0016]在一些实施例中，所述初始化模块包括：修复单元，用于通过修复电路对所述待验证单元进行修复替换；第一写入单元，用于向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据；验证单元，用于读取修复替换后的所述待验证单元对应的地址，若当前读取的数据为所述第一数据，则判定所述待验证单元修复成功。
[0017]在一些实施例中，所述修复单元，具体用于随机选取冗余存储单元；所述修复单元，具体还用于将所述待验证单元的地址替换为所述冗余存储单元的地址，以完成对所述待验证单元的修复替换。
[0018]在一些实施例中，所述初始化模块还包括：第一读取单元，用于在所述第一写入单元向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据之前，读取所述地址；所述第一写入单元，具体用于若所述第一读取单元当前读取的数据为空，则向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据。
[0019]在一些实施例中，所述验证单元，还用于在所述第一读取单元读取所述地址之后，若所述第一读取单元当前读取的数据不为空，则判定所述待验证单元修复失败并中止流程。
[0020]在一些实施例中，所述初始化模块还包括：第二写入单元，用于在所述初始化模块从存储阵列中，选取N个存储单元作为待验证单元之后，以及对每个待验证单元进行修复验证之前，向所述待验证单元中写入第二数据，所述第二数据与所述第一数据不同；第二读取单元，用于读取所述待验证单元；所述初始化模块，具体用于若所述第二读取单元当前读取的数据为所述第二数据，则对所述待验证单元进行修复验证。
[0021]在一些实施例中，所述初始化模块，还用于在所述第二读取单元读取所述待验证单元之后，若所述第二读取单元当前读取的数据不为所述第二数据，则跳过对所述待验证单元的修复验证。
[0022]在一些实施例中，所述验证单元，还用于在读取修复替换后的所述待验证单元对应的地址之后，若当前读取的数据不为所述第一数据，则判定所述待验证单元修复失败。
等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。此外，附图中的不同元件和区域只是示意性示出，因此本申请不限于附图中示出的尺寸或距离。
[0041]下面以具体地实施例对本申请的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本申请的实施例进行描述。
[0042]图1是本申请一实施例示出的存储器的架构示例图，如图1所示，以DRAM作为示例，包括数据输入/输出缓冲、行解码器、列解码器、感测放大器以及存储阵列。其中，数据输入/输出缓冲属于外围区电路，感测放大器、行解码器、列解码器以及存储阵列属于阵列区电路。存储阵列主要由行(rows)和列(columns)组成。行沿阵列的行方向与位线交叉处为存储阵列的存储单元。
[0043]其中，每个存储单元用于存储一个位(bit)的数据。如图2所示，图2为本申请一实施例示出的存储单元的结构示例图，存储单元主要由晶体管开关M和电容C组成。其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路仿真方法，其特征在于，所述电路包括阵列区电路和外围区电路，所述方法包括：进行仿真环境初始化，其中包括：从存储阵列中，选取N个存储单元作为待验证单元，对每个待验证单元进行修复验证，其中，N大于等于10，小于等于20；进行电路仿真；输出电路仿真结果文件，其中包括对所述待验证单元进行修复验证的结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选取N个存储单元作为待验证单元，包括：接收N个地址信息，所述地址信息包括存储单元的行地址信息和列地址信息，其中，所述行地址信息属于存储阵列的行地址信息集合，所述列地址信息属于存储阵列的列地址信息集合；根据所述地址信息确定所述待验证单元。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对每个待验证单元进行修复验证，包括：通过修复电路对所述待验证单元进行修复替换；向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据；读取所述修复替换后的所述待验证单元对应的地址，若当前读取的数据为所述第一数据，则判定所述待验证单元修复成功。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过修复电路对所述待验证单元进行修复替换，包括：随机选取冗余存储单元；将所述待验证单元的地址替换为所述冗余存储单元的地址，以完成对所述待验证单元的修复替换。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据之前，还包括：读取所述地址；所述向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据，包括：若当前读取的数据为空，则向修复替换后的所述待验证单元对应的地址中写入第一数据。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述读取所述地址之后，还包括：若当前读取的数据不为空，则判定所述待验证单元修复失败并中止流程。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述从存储阵列中，选取N个存储单元作为待验证单元之后，以及所述对每个待验证单元进行修复验证之前，还包括：向所述待验证单元中写入第二数据，所述第二数据与所述第一数据不同；所述对每个待验证单元进行修复验证，包括：读取所述待验证单元；若当前读取的数据为所述第二数据，则对所述待验证单元进行修复验证。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述读取所述待验证单元之后，还包括：若当前读取的数据不为所述第二数据，则跳过对所述待验证单元的修复验证。
9.根据权利要求3
‑
8中任一项所述的方法，其特征在于，所述读取修复替换后的所述待验证单元对应的地址之后，还包括：若当前读取的数据不为所述第一数据，则判定所述待验证单元修复失败。10.一种测试装置，其特征在于，包括：初始化模块，用于进行仿真环境初始化，其中包括：从存储阵列中，选取N个存储单元作为待验证单元，对每个待验证单元进行修复验证，其中，N大于等于10，小于等于20；仿真模块，用于进行电路仿真；所述电路包括阵列区电路和外围区电路；输出模块，用于输出电路仿真结果文件，其中包括对所述待验证单元进行修复验证的结果。11.根据权利要求10所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李钰，史腾，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：