射频前端模组及其制作方法、通讯装置制造方法及图纸

一种射频前端模组及其制作方法和通讯装置。该射频前端模组包括第一功能基板、第二功能基板和第一射频前端组件；第一功能基板包括第一衬底基板和金属键合结构；第二功能基板包括第二衬底基板、位于第二衬底基板之中的凹槽、和键合金属层；第一射频前端组件至少部分位于凹槽之内；第一衬底基板和第二衬底基板相对设置，第二衬底基板靠近第一衬底基板的表面包括位于凹槽之内的凹槽表面和位于凹槽之外的衬底表面；键合金属层包括位于凹槽表面的第一金属部分和位于衬底表面的第二金属部分；第一射频前端组件被第一金属部分至少部分包围，第二金属部分与金属键合结构键合。由此，该射频前端模组具有成本低，体积小等优点。体积小等优点。体积小等优点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】射频前端模组及其制作方法、通讯装置
[0001]本申请要求于2022年08月17日递交的中国专利申请202210985933.5号的优先权，在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。


[0002]本公开的实施例涉及一种射频前端模组及其制作方法、通讯装置。

技术介绍

[0003]射频前端(RFFE,Radio Frequency Front
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End)是实现手机及各类移动终端通信功能的核心元器件。射频前端主要由功率放大器(PA)、射频开关(Switch)、低噪声放大器(LNA)和滤波器(Filter)等器件组成。
[0004]射频前端模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、功率放大器等两种或者两种以上的器件集成为一个模组，从而提高集成度和性能，并使体积小型化。另一方面，随着5G技术不断发展，射频前端模组的应用与需求不断升级，市场对于射频前端模组的性价比要求越来越高。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种射频前端模组及其制作方法和通讯装置。在本公开实施例提供的射频前端模组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种射频前端模组，其特征在于，包括：第一功能基板，包括第一衬底基板和金属键合结构；第二功能基板，包括第二衬底基板、位于所述第二衬底基板之中的凹槽、和键合金属层；以及第一射频前端组件，至少部分位于所述凹槽之内，其中，所述第一衬底基板和所述第二衬底基板相对设置，所述第二衬底基板靠近所述第一衬底基板的表面包括位于所述凹槽之内的凹槽表面和位于所述凹槽之外的衬底表面，所述第一射频前端组件与所述键合金属层不接触，所述键合金属层包括位于所述凹槽表面的第一金属部分和位于所述衬底表面的第二金属部分，所述第一射频前端组件被所述第一金属部分至少部分包围，所述第二金属部分与所述金属键合结构键合。2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述键合金属层的所述第一金属部分和所述第二金属部分一体成型，所述凹槽表面包括位于所述凹槽底部的第一表面和位于所述凹槽侧壁的第二表面，所述第一金属部分在所述第一表面和所述第二表面上连续设置。3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一功能基板还包括贯穿所述第一衬底基板的衬底通孔和位于所述衬底通孔内的第一导电结构，所述第一射频前端组件与所述第一导电结构的一端电性相连，所述第一射频前端组件与所述键合金属层间隔设置。4.根据权利要求3任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一功能基板还包括：倒装垫片，与所述第一导电结构相连，其中，所述第一射频前端组件焊接在所述倒装垫片上，所述倒装垫片与所述金属键合结构同层设置。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括多个第一射频前端组件，所述第二衬底基板包括多个凹槽；所述多个第一射频前端组件和所述多个凹槽一一对应设置，各所述第一射频前端组件至少部分位于对应的凹槽之内。6.根据权利要求1
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4中任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一射频前端组件包括滤波器裸芯、射频开关芯片、射频开关裸芯、低噪音放大器芯片、低噪音放大器裸芯、射频功率放大器芯片、射频功率放大器裸芯、电感和电容中的至少一种。7.根据权利要求1
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4中任一项所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：电气互连结构，位于所述第一功能基板远离所述第二功能基板的一侧；以及阵列垫片，位于所述电气互连结构远离所述第一功能基板的一侧。8.根据权利要求1
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4中任一项所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：电气互连结构，位于所述第一功能基板远离所述第二功能基板的一侧；第一垫片，位于所述电气互连结构远离所述第一功能基板的一侧；以及第二射频前端组件，与所述第一垫片相连。9.根据权利要求8所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：第二垫片，位于所述电气互连结构远离所述第一功能基板的一侧；封装层，位于所述第二射频前端组件远离所述第一功能基板的一侧，且将所述第二射
频前端组件包裹；第二导电结构；以及阵列垫片，位于所述封装层远离所述第二射频前端组件的一侧，其中，所述封装层包括封装层过孔，所述第二导电结构位于所述封装层过孔之中，所述第二导电结构的一端与所述第二垫片相连，所述第二导电结构的另一端与所述阵列垫片电性相连。10.根据权利要求1
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4中任一项所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：塑封结构，其中，所述塑封结构包裹所述第二功能基板远离所述第一功能基板的表面，所述第二功能基板的侧表面和所述第一功能基板的侧表面。11.根据权利要求1
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4中任一项所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：塑封结构，其中，所述塑封结构包裹所述第二功能基板远离所述第一功能基板的表面、所述第一功能基板远离所述第二功能基板的表面、所述第二功能基板的侧表面和所述第一功能基板的侧表面。12.根据权利要求11所述的射频前端模组，其特征在于，还包括：电气互连结构，位于所述第一功能基板远离所述第二功能基板的一侧；金属垫片，位于所述电气互连结构远离所述第一功能基板的一侧；导电支撑柱，位于所述金属垫片远离所述电气互连结构的一侧；钝化层，位于所述导电支撑柱远离所述第一功能基板的一侧；以及阵列垫片，位于所述钝化层远离所述塑封结构的一侧，其中，所述塑封结构还包括位于所述第一功能基板远离所述第二功能基板的上封装部，所述上封装部包括第一通孔，所述导电支撑柱位于所述第一通孔之中，所述钝化层包括第二通孔，所述阵列垫片通过所述第二通孔、位于所述第一通孔之中的导电支撑柱与所述金属垫片相连。13.根据权利要求1
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4中任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一衬底基板和所述第二衬底基板的材料包括高阻硅或玻璃。14.一种通讯装置，包括根据权利要求1
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13中任一项所述的射频前端模组。15.一种射频前端模组的制作方法，其特征在于，包括：在第一衬底基板上划分出至少一个第一射频前端区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁国军，王晓龙，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：