本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统。该异质结太阳能电池包括异质结电池主体、过渡层以及金属电极；异质结电池主体包括衬底，所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和透明导电层；衬底的至少一侧的透明导电层上层叠设有过渡层，且过渡层位于该透明导电层的背离衬底的一侧；衬底的相对两侧的透明导电层均电性连接有金属电极，与过渡层位于衬底相同侧的金属电极均设置于该过渡层上；过渡层被配置为能够至少部分阻隔金属电极扩散至对应的透明导电层；从而可减小电池制作过程中透明导电层发生的污染和损伤，提高异质结太阳能电池的转换效率。太阳能电池的转换效率。太阳能电池的转换效率。
【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统
[0001]本申请涉及光伏电池
，特别是涉及异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统。
技术介绍
[0002]太阳能电池，也称为光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，因此，太阳能电池是一种有广阔发展前景的新型电池。
[0003]异质结电池具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点，是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。
[0004]相关技术中，在异质结电池制备过程中，容易发生透明导电层、甚至衬底(硅片)的污染和损伤，从而降低异质结电池的转换效率。
技术实现思路
[0005]基于此，本申请提供一种异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统，提高异质结太阳能电池的转换效率。
[0006]本申请第一方面的实施例提供了一种异质结太阳能电池，包括异质结电池主体、过渡层以及金属电极；
[0007]所述异质结电池主体包括衬底，所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和透明导电层；
[0008]所述衬底的至少一侧的所述透明导电层上层叠设有所述过渡层，且所述过渡层位于该所述透明导电层的背离所述衬底的一侧；
[0009]所述衬底的相对两侧的所述透明导电层均电性连接有金属电极，与所述过渡层位于所述衬底相同侧的所述金属电极均设置于该所述过渡层上；
[0010]其中，所述过渡层被配置为能够至少部分阻隔所述金属电极扩散至对应的所述透明导电层。
[0011]在其中一些实施例中，位于所述衬底的相对两侧的所述透明导电层上均层叠设有所述过渡层。
[0012]在其中一些实施例中，所述金属电极的靠近所述衬底的一侧与所述过渡层的背离所述衬底的一侧表面相接触；或者所述金属电极的靠近所述衬底的一侧位于所述过渡层内，且所述金属电极的靠近所述衬底的一侧与所述过渡层靠近所述衬底的一侧表面存在间距。
[0013]在其中一些实施例中，所述过渡层为隧穿氧化层、无机导电层或有机导电层。
[0014]在其中一些实施例中，所述金属电极的靠近所述衬底的一侧穿过所述过渡层与所述透明导电层相接触。
[0015]在其中一些实施例中，所述过渡层为无机层或有机层。
[0016]在其中一些实施例中，所述过渡层为无机层，所述过渡层上各处的厚度均相等，所述过渡层的厚度在0.5nm
‑
2nm；或者所述过渡层为有机层，所述过渡层上各处的厚度不相等，所述过渡层的最小厚度在0.5nm
‑
20nm，过渡层的最大厚度在10nm
‑
2000nm。
[0017]在其中一些实施例中，所述掺杂半导体膜层为掺杂非晶硅膜层、微米晶硅膜层或纳米晶硅膜层。
[0018]本申请第二方面的实施例提供了一种异质结太阳能电池的制备方法，包括：
[0019]提供一异质结电池主体，所述异质结电池主体包括衬底，所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和透明导电层；
[0020]在位于所述衬底的至少一侧的所述透明导电层上形成过渡层，所述过渡层位于该所述透明导电层的背离所述衬底的一侧；
[0021]在所述过渡层的背离所述衬底的一侧形成金属电极，并使所述金属电极与所述透明导电层电性连接；
[0022]其中，所述过渡层被配置为能够至少部分阻隔所述金属电极扩散至对应的所述透明导电层。
[0023]本申请第三方面的实施例提供了一种光伏组件，包括第一方面中任一项所述的异质结太阳能电池。
[0024]本申请第四方面的实施例提供了一种光伏系统，包括第三方面中所述的光伏组件。
[0025]上述异质结太阳能电池，通过使衬底的至少一侧的透明导电层上层叠设有过渡层，且过渡层位于该透明导电层的背离衬底的一侧，从而可保护透明导电层，降低金属电极制作过程中透明导电层发生机械损伤的几率；衬底的相对两侧的透明导电层均电性连接有金属电极，与过渡层位于衬底相同侧的金属电极均设置于该过渡层上；过渡层被配置为能够至少部分阻隔金属电极扩散至对应的透明导电层，从而可减小丝网印刷金属电极对透明导电层以及异质结电池主体的污染。综上所述，本申请可减小电池制作过程中透明导电层发生的污染和损伤，提高异质结太阳能电池的转换效率。
附图说明
[0026]图1为本申请一些实施例中的异质结太阳能电池的第一种结构示意图。
[0027]图2为本申请一些实施例中的异质结太阳能电池的第二种结构示意图。
[0028]图3为本申请一些实施例中的异质结太阳能电池的第三种结构示意图。
[0029]附图标记说明：
[0030]10、异质结太阳能电池；
[0031]110、异质结电池主体；120、过渡层；130、金属电极；131、第一电极；132、第二电极；
[0032]111、衬底；112、本征非晶硅层；1121、第一本征非晶硅层；1122、第二本征非晶硅层；113、掺杂半导体膜层；1131、第一掺杂半导体膜层；1132、第二掺杂半导体膜层；114、透明导电层；1141、第一透明导电层；1142、第二透明导电层。
具体实施方式
[0033]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请
的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0034]在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0035]此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0036]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等，这些术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括异质结电池主体、过渡层以及金属电极；所述异质结电池主体包括衬底，所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和透明导电层；所述衬底的至少一侧的所述透明导电层上层叠设有所述过渡层，且所述过渡层位于该所述透明导电层的背离所述衬底的一侧；所述衬底的相对两侧的所述透明导电层均电性连接有金属电极，与所述过渡层位于所述衬底相同侧的所述金属电极均设置于该所述过渡层上；其中，所述过渡层被配置为能够至少部分阻隔所述金属电极扩散至对应的所述透明导电层。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，位于所述衬底的相对两侧的所述透明导电层上均层叠设有所述过渡层。3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属电极的靠近所述衬底的一侧与所述过渡层的背离所述衬底的一侧表面相接触；或者所述金属电极的靠近所述衬底的一侧位于所述过渡层内，且所述金属电极的靠近所述衬底的一侧与所述过渡层靠近所述衬底的一侧表面存在间距。4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述过渡层为隧穿氧化层、无机导电层或有机导电层。5.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属电极的靠近所述衬底的一侧穿过所述过渡层与所述透明导电层相接触。6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，...
【专利技术属性】
技术研发人员：高纪凡，殷志豪，侯承利，杨庆贺，杨广涛，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能常州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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