发光元件及包括该发光元件的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种发光元件及包括该发光元件的显示装置，根据一实施例的发光元件包括第一电极、与第一电极相向的第二电极以及布置在第一电极与第二电极之间的多个发光单元，多个发光单元分别包括依次层叠的空穴传输区域、发光层以及电子传输区域，多个发光单元中的至少一个在所述空穴传输区域中包括由下述化学式1表示的胺化合物，从而可以表现出较高的光提取效率以及较高的发光效率特性。[化学式1]效率以及较高的发光效率特性。[化学式1]效率以及较高的发光效率特性。[化学式1]效率以及较高的发光效率特性。[化学式1]

【技术实现步骤摘要】
发光元件及包括该发光元件的显示装置


[0001]本专利技术涉及一种发光元件及包括该发光元件的显示装置，更具体地，涉及一种在空穴传输区域包括新型胺化合物的发光元件及包括该发光元件的显示装置。

技术介绍

[0002]正在开发用于诸如电视、便携式电话、平板计算机、导航仪、游戏机等的多媒体装置的各种显示装置。在这样的显示装置中正在使用所谓自发光型的显示元件，该自发光型的显示元件通过使包括有机化合物或量子点等的发光材料在布置于相向的电极之间的发光层中发光来实现显示。
[0003]在将发光元件应用于显示装置时，要求发光元件的高发光效率化和长寿命化，并且持续地要求开发能够稳定地实现发光元件的高发光效率化和长寿命化的发光元件的材料及结构。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种表现出优异的光提取效率且得到改善的发光效率的发光元件。
[0005]本专利技术的目的在于提供一种包括发光效率高的发光元件的显示装置。
[0006]一实施例提供一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相向；以及多个发光单元，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，所述多个发光单元分别包括依次层叠的空穴传输区域、发光层以及电子传输区域，所述多个发光单元中的至少一个在所述空穴传输区域中包括由下述化学式1表示的胺化合物：
[0007][化学式1][0008][0009]在所述化学式1中，Ar
a
至Ar
c
分别独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上30以下的杂芳基，R
a
至R
c
中的至少两个分别独立地为金刚烷基或者环己基，其余的分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的胺基或者被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基。
[0010]所述多个发光单元中的与所述第二电极相邻的发光单元所包括的所述空穴传输区域可以包括所述胺化合物。
[0011]所述多个发光单元可以至少包括一个发出蓝色光的蓝色发光单元。
[0012]所述发光元件还可以包括布置在所述多个发光单元之间的电荷产生层。
[0013]所述电荷产生层可以包括包含p
‑
掺杂剂的p型电荷产生层、包含n
‑
掺杂剂的n型电荷产生层。
[0014]所述发光元件还可以包括布置在所述第二电极上的覆盖层，所述覆盖层的折射率可以是1.6以上。
[0015]所述Ar
a
至所述Ar
c
分别独立地为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的三联苯基、被取代或未被取代的芴基、被取代或未被取代的咔唑基、被取代或未被取代的二苯并呋喃基或者被取代或未被取代的二苯并噻吩基。
[0016]包括所述胺化合物的所述空穴传输区域在460nm波长下的折射率为1.30以上1.80以下。
[0017]所述多个发光单元中的至少一个所包括的所述空穴传输区域可以包括：第一空穴传输层，具有第一折射率；第二空穴传输层，与所述发光层相邻地布置，并且具有第二折射率；以及第三空穴传输层，布置在所述第一空穴传输层与所述第二传输层之间，并且具有大于所述第一折射率和所述第二折射率中的每一个的第三折射率。
[0018]所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层可以各自独立地包括所述胺化合物。
[0019]所述第三空穴传输层可以包括由下述化学式2表示的化合物。
[0020][化学式2][0021][0022]在所述化学式2中，Ar1和Ar2各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的碳原子数为为1以上30以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基，或者与相邻的基团彼此结合而形成环，Ar3为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基。a和b各自独立地为0或者1，L1和L2各自独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上10以下的亚环烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上10以下的亚杂环烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上10以下的亚环烯基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上60以下的亚杂芳基。p和s各自独立地为0以上4以下的整数，q和r各自独立地为0以上3以下的整数，R1至R5各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、被取代或未被取代的甲硅烷基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上60以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上60以下的杂环烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上60
以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上60以下的杂芳基。
[0023]一实施例提供一种发光元件，包括：第一电极；第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元和第四发光单元，分别包括空穴传输区域、发光层以及电子传输区域，并且依次布置在所述第一电极上；电荷产生层，布置在所述第一发光单元、所述第二发光单元、所述第三发光单元和所述第四发光单元之间；以及第二电极，布置在所述第四发光单元上，其中，所述第四发光单元发出比所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元的波长长的波长的光，所述第四发光单元在所述空穴传输区域中包括由下述化学式1表示的胺化合物。
[0024][化学式1][0025][0026]在所述化学式1中，Ar
a
至Ar
c
各自独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上30以下的杂芳基，R
a
至R
c
中的至少两个各自独立地为金刚烷基或者环己基，其余各自独立地为、氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的胺基或者被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基。
[0027]所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元中的至少一个的所述空穴传输区域可以包括所述胺化合物。
[0028]包括所述胺化合物的所述空穴传输区域在460nm波长下的折射率可以为1.30以上1.80以下。
[0029]所述第一发光单元、所述第二发光单元以及所述第三发光单元可以分别发出430nm以上470nm以下的第一波长的光，所述第四发光单元可以发出520nm以上600nm以下的第二波长的光。
[0030]所述第一发光单元、所述第二发光单元以及所述第三发光单元可以分别包括：第一子发光层，包括第一主体以及发出所述第一波长的光的第一掺杂剂；以及第二子发光层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相向；以及多个发光单元，布置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述多个发光单元分别包括依次层叠的空穴传输区域、发光层以及电子传输区域，所述多个发光单元中的至少一个在所述空穴传输区域中包括由下述化学式1表示的胺化合物：[化学式1]在所述化学式1中，Ar
a
至Ar
c
各自独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上30以下的杂芳基，R
a
至R
c
中的至少两个各自独立地为金刚烷基或环己基，其余各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的胺基或者被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述多个发光单元中的与所述第二电极相邻的发光单元所包括的所述空穴传输区域包括所述胺化合物。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述多个发光单元包括至少一个发出蓝色光的蓝色发光单元。4.根据权利要求1所述的发光元件，还包括：电荷产生层，布置在所述多个发光单元之间。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述电荷产生层包括：p
‑
型电荷产生层，包括p
‑
掺杂剂；以及n
‑
型电荷产生层，包括n
‑
掺杂剂。6.根据权利要求1所述的发光元件，还包括：覆盖层，布置在所述第二电极上，其中，所述覆盖层的折射率为1.6以上。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述Ar
a
至所述Ar
c
各自独立地为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的萘基、
被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的三联苯基、被取代或未被取代的芴基、被取代或未被取代的咔唑基、被取代或未被取代的二苯并呋喃基或者被取代或未被取代的二苯并噻吩基。8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述胺化合物由下述化合物群1的化合物中的任意一种表示：[化合物群1]
9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，包括所述胺化合物的所述空穴传输区域在460nm波长下的折射率为1.30以上1.80以下。10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述多个发光单元中的至少一个所包括的所述空穴传输区域，包括：第一空穴传输层，具有第一折射率；第二空穴传输层，与所述发光层相邻地布置，并且具有第二折射率；以及
第三空穴传输层，布置在所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层之间，并且具有大于所述第一折射率和所述第二折射率中的每一个的第三折射率。11.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层各自独立地包括所述胺化合物。12.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述第三空穴传输层包括由下述化学式2表示的化合物：[化学式2]在所述化学式2中，Ar1和Ar2各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的碳原子数为为1以上30以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基，或者与相邻的基团彼此结合而形成环，Ar3为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基，a和b各自独立地为0或者1，L1和L2各自独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上10以下的亚环烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上10以下的亚杂环烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上10以下的亚环烯基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上60以下的亚杂芳基，p和s各自独立地为0以上4以下的整数，q和r各自独立地为0以上3以下的整数，R1至R5各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、被取代或未被取代的甲硅烷基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上60以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上60以下的杂环烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上60以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上60以下的杂芳基。13.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述第三空穴传输层包括下述化合物群2的化合物中的至少一种：[化合物群2]
14.一种发光元件，包括：第一电极；第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元以及第四发光单元，分别包括空穴传输区域、发光层以及电子传输区域，并且依次布置在所述第一电极上；电荷产生层，布置在所述第一发光单元、所述第二发光单元、所述第三发光单元以及所述第四发光单元之间；以及第二电极，布置在所述第四发光单元上，其中，所述第四发光单元发出比所述第一发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑恩在，高效敏，金东俊，金珉知，朴韩圭，李宝罗，赵素嬉，赵一薰，韩相铉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：