本申请提供了发光装置和包括其的显示设备。发光装置包括第一电极，在第一电极上的空穴传输区，在空穴传输区上并且被配置为发射第一波长的光的第一发光层，在空穴传输区上并且被配置为发射不同于第一波长的第二波长的光的第二发光层，包括在第一发光层和第二发光层上的电子传输层和在电子传输层上的电子注入层的电子传输区，以及在电子传输区上的第二电极，其中电子注入层包含镁(Mg)和镱(Yb)。其中电子注入层包含镁(Mg)和镱(Yb)。其中电子注入层包含镁(Mg)和镱(Yb)。
【技术实现步骤摘要】
发光装置和包括其的显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月9日提交的韩国专利申请第10
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2021
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0153371号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。
[0003]本公开的实施方式涉及发光装置和包括其的显示设备。
技术介绍
[0004]有机发光装置为自发光类型(或种类)的装置，其具有短响应时间并且由低电压驱动。相应地，包括有机发光装置的有机发光显示设备可不包括单独的光源，并且因此，可以被制成重量轻且薄，并且具有许多优点，比如具有卓越的亮度和没有(或基本上没有)视角依赖性。
[0005]有机发光装置为具有发光层的显示装置，发光层由有机物组成并且在阳极和阴极之间。从阳极提供的空穴和从阴极提供的电子在发光层中复合以形成激子，并且然后激子生成对应于空穴的能量和电子的能量之间的能量的光。
[0006]串联有机发光装置的结构包括在阳极和阴极之间的空穴传输层/发光层/电子传输层中的两个或更多个堆叠件，以及存在于各堆叠件之间并且有助于电荷产生和移动的电荷生成层。
技术实现思路
[0007]本公开的实施方式提供了发光装置，其中防止或减少了像素收缩现象，并且提高了发光效率和装置寿命。
[0008]本公开的实施方式也提供了具有提高的显示效率和可靠性的显示设备。
[0009]本公开的实施方式提供了发光装置，其包括：第一电极，在第一电极上的空穴传输区，在空穴传输区上并且被配置为发射第一波长的光的第一发光层，在空穴传输区上并且被配置为发射不同于第一波长的第二波长的光的第二发光层，包括在第一发光层和第二发光层上的电子传输层和在电子传输层上的电子注入层的电子传输区，以及在电子传输区上的第二电极，其中电子注入层包含镁(Mg)和镱(Yb)。
[0010]在实施方式中，镁(Mg)与镱(Yb)的质量比可为约5:5至约8:2。
[0011]在实施方式中，电子注入层的厚度可为约1nm至约2nm。
[0012]在实施方式中，电子注入层可直接在第二电极的下表面上。
[0013]在实施方式中，电子注入层可包括在电子传输层上并且包含镁(Mg)的第一子电子注入层，以及在第一子电子注入层上并且包含镱(Yb)的第二子电子注入层。
[0014]在实施方式中，第一子电子注入层的厚度可为约0.5nm至约0.9nm，并且第二子电子注入层的厚度可为约0.1nm至约0.5nm。
[0015]在实施方式中，第一波长可为约420nm至约480nm，并且第二波长可为约520nm至约
600nm。
[0016]在实施方式中，发光装置可进一步包括在第一发光层和第二发光层之间的第一电荷生成层。
[0017]在实施方式中，第一电荷生成层可包括掺杂有p
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型掺杂剂的第一p
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型电荷生成层，和掺杂有n
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型掺杂剂的第一n
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型电荷生成层。
[0018]在实施方式中，发光装置可进一步包括在空穴传输区和电子传输区之间并且被配置为发射第一波长的光的附加发光层。
[0019]在实施方式中，附加发光层可包括在第一发光层和第二发光层之间的第一附加发光层，和在第一附加发光层和第二发光层之间的第二附加发光层。
[0020]在实施方式中，附加发光层可包括在第二电极和第二发光层之间并且被配置为发射第一波长的光的第三附加发光层。
[0021]在实施方式中，第二发光层可在第一发光层和第二电极之间。
[0022]在实施方式中，发光装置可进一步包括在第一发光层和第一电荷生成层之间的中间电子传输层，以及在第一电荷生成层和第二发光层之间的中间空穴传输层。
[0023]在本公开的实施方式中，发光装置包括第一电极，在第一电极上并且被配置为发射第一波长的光的多个第一发光层，在第一电极上并且被配置为发射不同于第一波长的第二波长的光的第二发光层，包括在第一发光层和第二发光层上的电子传输层和在电子传输层上的电子注入层的电子传输区，以及在电子传输区上的第二电极，其中多个第一发光层包括第一第一
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发光层、第二第一
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发光层和第三第一
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发光层，并且电子注入层包含镁(Mg)和镱(Yb)。
[0024]在本公开的实施方式中，显示设备包括基板，在基板上限定被配置为发射第一波长的光的第一像素区，被配置为发射不同于第一波长的第二波长的光的第二像素区，以及被配置为发射不同于第一波长和第二波长的第三波长的光的第三像素区，以及与基板上的第一像素区、第二像素区和第三像素区重叠的多个发光装置，其中多个发光装置中的每一个包括第一电极，在第一电极上的空穴传输区，在空穴传输区上并且被配置为发射第一波长的光的第一发光层，在空穴传输区上并且被配置为发射第二波长的光的第二发光层，包括在第一发光层和第二发光层上的电子传输层和在电子传输层上的电子注入层的电子传输区，和在电子传输区上的第二电极，其中电子注入层包含镁(Mg)和镱(Yb)。
[0025]在实施方式中，显示设备进一步包括在多个发光装置上的光控制层，其中光控制层可包括与第一像素区重叠并且被配置为透射第一波长的光的第一光控制单元，与第二像素区重叠并且被配置为透射第二波长的光的第二光控制单元，和与第三像素区重叠并且被配置为透射第三波长的光的第三光控制单元。
[0026]在实施方式中，可在基板上限定被配置为发射白光的第四像素区，并且光控制层可进一步包括与第四像素区重叠并且被配置为透射白光的透射单元。
附图说明
[0027]包括所附附图以提供对本公开的主题的进一步理解，并且所附附图被并入本说明书且构成本说明书的一部分。附图阐释了本公开的示例实施方式，并且与描述一起用于解释本公开的主题的原理。在附图中：
[0028]图1为根据本公开的实施方式的显示设备的分解透视图；
[0029]图2为根据本公开的实施方式的显示模块的横截面图；
[0030]图3为阐释根据本公开的实施方式的显示设备中包括的显示面板的放大部分的平面图；
[0031]图4A至图4C为阐释根据本公开的实施方式的显示设备中包括的显示模块的放大部分的横截面图；
[0032]图5A至图5D为示意性显示根据本公开的实施方式的发光装置的横截面图；并且
[0033]图6是显示实施例和比较例的每个发光装置中测量的像素收缩尺寸随着时间变化的曲线图。
具体实施方式
[0034]在本公开中，当元件(或区、层和部分等)被称为“在另一元件(或区、层和部分等)上”、“连接至”或“耦接至”另一元件(或区、层和部分等)时，意指该元件(或区、层和部分等)可直接在另一元件(或区、层和部分等)上/直接连接至另一元件(或区、层和部分等)/直接耦接至另一元件(或区、层和部分等)，或第三元件(或区、层和部分等)可在其间。
[0035]相同的附图标记指本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；在所述第一电极上的空穴传输区；在所述空穴传输区上并且被配置为发射第一波长的光的第一发光层；在所述空穴传输区上并且被配置为发射不同于所述第一波长的第二波长的光的第二发光层；包括在所述第一发光层和所述第二发光层上的电子传输层和在所述电子传输层上的电子注入层的电子传输区；和在所述电子传输区上的第二电极，其中所述电子注入层包含镁和镱。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述镁和所述镱的质量比为5:5至8:2。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子注入层的厚度为1nm至2nm。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子注入层直接在所述第二电极的下表面上。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子注入层包括：在所述电子传输层上并且包含所述镁的第一子电子注入层；以及在所述第一子电子注入层上并且包含所述镱的第二子电子注入层。6.如权利要求5所述的发光装置，其中所述第一子电子注入层的厚度为0.5nm至0.9nm，并且所述第二子电子注入层的厚度为0.1nm至0.5nm。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一波长为420nm至480nm，并且所述第二波长为520nm至600nm。8.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括在所述第一发光层和所述第二发光层之间的第一电荷生成层。9.如权利要求8所述的发光装置，其中所述第一电荷生成层包括：掺杂有p
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型掺杂剂的第一p
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型电荷生成层；和掺杂有n
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型掺杂剂的第一n
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型电荷生成层。10.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括在所述空穴传输区和所述电子传输区之间并且被配置为发射所述第一波长的光的附加发光层。11.如权利要求10所述的发光装置，其中所述附加发光层包括：在所述第一发光层和所述第二发光层之间的第一附加发光层；和在所述第一附...
【专利技术属性】
技术研发人员：李钟源，金垈炫，金昇澈，朴兴洙，李昌敃，李炫植，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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