光电器件及其制备方法与显示终端技术

本申请公开了一种光电器件及其制备方法与显示终端，所述光电器件包括阳极、与阳极相对设置的阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层，以及设置于阳极与发光层之间的空穴传输辅助层，其中，空穴传输辅助层的材料包括氧化碲和氧化硒，以使空穴传输辅助层兼具稳定性高和空穴迁移率高的优点，从而有利于缩小光电器件中电子注入与空穴注入之间的差异，有效提高光电器件的工作性能和使用寿命；此外，空穴传输辅助层表面粗糙度低，具有平坦层的作用，有效提高光电器件的电致发光均匀性。提高光电器件的电致发光均匀性。提高光电器件的电致发光均匀性。

【技术实现步骤摘要】
光电器件及其制备方法与显示终端


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种光电器件及其制备方法与显示终端。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum Dot,QD)是新一代发光材料，量子点的发光波长随尺寸和成分变化而变化，具有发光光谱窄、荧光效率高、稳定性理想等优点，在光伏发电、光电显示领域具有广泛的应用前景。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)是基于量子点作为发光材料的光电器件，因量子点发光二极管具有波长可调、色彩饱和度高、材料稳定性高、制备成本较低等优点，所以量子点发光二极管成为当前显示领域的研究热点之一。
[0003]现有量子点发光二极管存在电子
‑
空穴传输失衡的问题，即由于电子注入强于空穴注入，使得电子数量明显多于空穴数量，电子
‑
空穴注入失衡会导致量子点发光二极管的效率滚降，并会缩短量子点发光二极管的工作寿命，从而制约量子点发光二极管的应用范围。在现有技术中，通常是通过提高量子点发光二极管空穴传输能力的方法来尽可能缩小电子注入与空穴注入之间的差异，提高量子点发光二极管空穴传输能力的方法例如可以是：在空穴传输材料中掺杂能够提高空穴浓度的阳离子，以提高空穴的迁移率，但是相较于未掺杂的空穴传输材料，掺杂有阳离子的空穴传输材料的稳定性会下降，从而可能会对量子点发光二极管的光电性能造成负面影响。
[0004]因此，如何提高量子点发光二极管的空穴传输能力以改善量子点发光二极管的电子
‑/>空穴传输失衡的问题，对量子点发光二极管的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种光电器件及其制备方法与显示终端，以改善量子点发光二极管的电子
‑
空穴传输失衡的问题。
[0006]本申请的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供了一种光电器件，所述光电器件包括：
[0008]阳极；
[0009]阴极，与所述阳极相对设置；
[0010]发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
[0011]空穴传输辅助层，设置于所述阳极与所述发光层之间；
[0012]其中，所述空穴传输辅助层的材料包括氧化碲和氧化硒。
[0013]进一步地，所述空穴传输辅助层的材料由氧化碲和氧化硒组成。
[0014]进一步地，所述氧化碲为二维β
‑
TeO2，且所述氧化硒为SeO2。
[0015]进一步地，所述光电器件还包括：空穴传输层，设置于所述阳极与所述空穴传输辅助层之间。
[0016]进一步地，在所述空穴传输辅助层中，碲原子摩尔数：硒原子摩尔数为(3～5)：1。
[0017]进一步地，所述光电器件还包括：空穴注入层，设置于所述阳极与所述空穴传输层之间。
[0018]作为替代性的实施方案，所述光电器件还包括：设置于所述阳极与所述发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极，所述空穴传输层靠近所述发光层，且所述空穴传输辅助层设置于所述空穴注入层和所述空穴传输层之间。
[0019]进一步地，在所述空穴传输辅助层中，碲原子摩尔数：硒原子摩尔数为1：(3～5)。
[0020]进一步地，所述光电器件还包括：电子传输层，所述电子传输层设置于所述阴极与所述发光层之间。
[0021]进一步地，所述发光层的材料为量子点，所述量子点为II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。
[0022]第二方面，本申请还提供了一种光电器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0023]提供叠层结构，在所述叠层结构的一侧依次制备形成空穴传输辅助层、发光层和阴极，所述叠层结构为包含阳极的基板；或者
[0024]提供叠层结构，在所述叠层结构的一侧依次制备形成空穴传输辅助层和阳极，所述叠层结构为包含阴极和发光层的基板，所述空穴传输辅助层被配置为位于所述阳极与所述发光层之间；
[0025]其中，所述空穴传输辅助层的材料包括氧化碲和氧化硒。
[0026]进一步地，所述空穴传输辅助层的制备方法包括步骤：
[0027]提供包含单质硒和单质碲的熔融共混物，将所述熔融共混物施加至所述叠层结构的一侧，获得熔融共混层；
[0028]所述熔融共混层氧化获得所述空穴传输辅助层。
[0029]进一步地，所述熔融共混物的制备方法包括步骤：提供单质硒和单质碲，将所述单质硒和所述单质碲按照碲原子摩尔数：硒原子摩尔数为(1～5)：(1～5)相混合，然后置于200摄氏度至220摄氏度的常压环境下加热直至完全熔融，获得所述熔融共混物。
[0030]进一步地，所述将所述熔融共混物施加至所述阳极的一侧或所述发光层远离所述阴极的一侧，包括步骤：将所述熔融共混物滴加至所述叠层结构的一侧，并使所述熔融共混物滚动附着于所述叠层结构的一侧。
[0031]进一步地，所述熔融共混层氧化的方法包括步骤：向所述熔融共混层鼓吹干燥氧气。
[0032]第三方面，本申请还提供了一种显示终端，所述显示终端包括如第一方面中任意一种所述的光电器件，或如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的光电器件。
[0033]有益效果：
[0034]本申请提供了一种光电器件及其制备方法与显示终端，所述光电器件包括阳极、与阳极相对设置的阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层，以及设置于阳极与发光层之间
的空穴传输辅助层，空穴传输辅助层的材料包括氧化碲和氧化硒，以使空穴传输辅助层兼具稳定性高和空穴迁移率高的优点，从而有利于缩小光电器件中电子注入与空穴注入之间的差异，有效提高光电器件的工作性能和使用寿命；此外，空穴传输辅助层表面粗糙度低，具有平坦层的作用，有效提高光电器件的电致发光均匀性。所述制备方法具有制备工序简单、制备成本低廉、制得的空穴传输辅助层表面平整度高的优点。所述显示终端包含所述光电器件或所述制备方法制得的光电器件，具有显示效果理想的优点。
附图说明
[0035]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及空穴传输辅助层，设置于所述阳极与所述发光层之间；其中，所述空穴传输辅助层的材料包括氧化碲和氧化硒。2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输辅助层的材料由氧化碲和氧化硒组成。3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述氧化碲为二维β
‑
TeO2，且所述氧化硒为SeO2。4.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括：空穴传输层，设置于所述阳极与所述空穴传输辅助层之间。5.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于，在所述空穴传输辅助层中，碲原子摩尔数：硒原子摩尔数为(3～5)：1。6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括：空穴注入层，设置于所述阳极与所述空穴传输层之间。7.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括：设置于所述阳极与所述发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极，所述空穴传输层靠近所述发光层，且所述空穴传输辅助层设置于所述空穴注入层和所述空穴传输层之间。8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，在所述空穴传输辅助层中，碲原子摩尔数：硒原子摩尔数为1：(3～5)。9.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括：电子传输层，所述电子传输层设置于所述阴极与所述发光层之间。10.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述发光层的材料为量子点，所述量子点为II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、C...

【专利技术属性】
技术研发人员：王华民，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：