发光装置及制造发光装置的方法制造方法及图纸

提供了发光装置和制造发光装置的方法。该发光装置包括：衬底；衬底上的阴极；阴极上的阳极；以及有机层，布置在阴极和阳极之间并包括发射层。有机层包括：在发射层与阴极之间的电子传输区域；以及在发射层和阳极之间的空穴传输区域，其中，空穴传输区域包括包含由式1表示的第一重复单元的第一化合物、由式2表示的第二化合物、由式5表示的第五化合物、或其任何组合，其中，式1、式2和式5分别与本文描述的相同。式2和式5分别与本文描述的相同。式2和式5分别与本文描述的相同。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及制造发光装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月28日提交的第10
‑
2021
‑
0128342号韩国专利申请的优先权和利益，该韩国专利申请特此出于所有目的通过引用并入，就像在本文全面阐述一样。


[0003]本专利技术的实施方案总体上涉及发光装置以及制造发光装置的方法。

技术介绍

[0004]与现有技术的装置相比，有机发光装置为具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性的自发射装置。
[0005]在一示例中，有机发光装置包括在阳极和阴极之间的有机发射层，并且空穴和电子分别从阳极和阴极注入到有机发射层。诸如空穴和电子的载流子在发射层区域中复合以生成激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。
[0006]在另一示例中，量子点可用作在光学构件和各种电子设备中进行各种光学功能(例如，光转换功能、发光功能和类似功能)的材料。量子点为具有量子限制效应的纳米级半导体纳米晶体，并且通过调整纳米晶体的尺寸和组成，可具有不同的能带隙，并且因此可发射出各种发射波长的光。
[0007]在本背景部分中公开的以上信息仅用于理解本专利技术构思的背景，并且因此，它可能含有不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0008]与一个或多个实施方案一致的一个或多个专利技术构思包括具有高效率和长寿命的发光装置以及制造该发光装置的方法。
[0009]本专利技术构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地通过描述而显而易见，或者可通过实践本专利技术构思而获知。
[0010]根据一个或多个实施方案，发光装置包括：衬底；设置在衬底上的阴极；面对阴极的阳极；以及布置在阴极和阳极之间并且包括发射层的有机层，其中，有机层包括：布置在发射层和阴极之间的电子传输区域；以及在发射层和阳极之间的空穴传输区域，并且空穴传输区域包括：包括由式1表示的第一重复单元的第一化合物、由式2表示的第二化合物、由式5表示的第五化合物、或其任何组合；
[0011]式1
[0012][0013]式1
‑1[0014][0015]式2
[0016]N3‑
(Ar
21
)
n21
‑
(L
21
)
a21
‑
(Ar
22
)
n22
‑
N3[0017]式5
[0018]N3‑
(Ar
51
)
n51
‑
(L
51
)
a51
‑
(Ar
52
)
n52
‑
N3[0019]其中，在式1、式1
‑
1、式2和式5中，
[0020]Ar
11
至Ar
13
、Ar
21
、Ar
22
、Ar
51
和Ar
52
各自独立地为单键、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
亚烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚烯基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚炔基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，
[0021]n11至n13、n21、n22、n51和n52各自独立地为从1至10的整数，
[0022]L
11
和L
21
各自独立地为单键、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
N(R
1a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
1a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'，
[0023]L
51
为由式1表示的第一重复单元，
[0024]a11、a21和a51各自独立地为从1至20的整数，
[0025]R
11
为由式1
‑
1表示的基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，i)R
12
为与式1中的相邻原子的结合位点，并且R
13
为氢，或ii)R
12
为氢，并且R
13
为与式1中的相邻原子的结合位点，
[0026]R
14
、R
15
、R
1a
和R
1b
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：衬底；设置在所述衬底上的阴极；面对所述阴极的阳极；以及布置在所述阴极和所述阳极之间并且包括发射层的有机层，其中，所述有机层包括：布置在所述发射层和所述阴极之间的电子传输区域；以及布置在所述发射层和所述阳极之间的空穴传输区域，其中，所述空穴传输区域包括：包括由式1表示的第一重复单元的第一化合物、由式2表示的第二化合物、由式5表示的第五化合物、或其任何组合：式1式1
‑
1式2N3‑
(Ar
21
)
n21
‑
(L
21
)
a21
‑
(Ar
22
)
n22
‑
N3式5N3‑
(Ar
51
)
n51
‑
(L
51
)
a51
‑
(Ar
52
)
n52
‑
N3其中，在式1、式1
‑
1、式2和式5中，Ar
11
至Ar
13
、Ar
21
、Ar
22
、Ar
51
和Ar
52
各自独立地为单键、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
亚烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚烯基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚炔基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，n11至n13、n21、n22、n51和n52各自独立地为从1至10的整数，L
11
和L
21
各自独立地为单键、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
N(R
1a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
1a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'，L
51
为由式1表示的第一重复单元，
a11、a21和a51各自独立地为从1至20的整数，R
11
为由式1
‑
1表示的基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，i)R
12
为与式1中的相邻原子的结合位点，并且R
13
为氢，或ii)R
12
为氢，并且R
13
为与式1中的相邻原子的结合位点，R
14
、R
15
、R
1a
和R
1b
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，*和*'各自指示与相邻原子的结合位点，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合；C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫基，它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或者C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，它们各自未被取代或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，Ar
11
至Ar
13
各自独立地为：单键、亚苯基、萘或芴；或者亚苯基、萘或芴，它们各自被氘、C1‑
C
10
烷基、苯基或其任何组合取代。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，Ar
21
和Ar
22
各自独立地为：亚苯基或萘；或者亚苯基或萘，它们各自被氘、
‑
F或C1‑
C
10
烷基取代。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，Ar
11
至Ar
13
各自独立地为单键或由式1A
‑
1至式1A
‑
13和式1B
‑
1至式1B
‑
10中的一个表示的基团：
其中，在式1A
‑
1至式1A
‑
13和式1B
‑
1至式1B
‑
10中，R
1c
和R
1d
各自独立地为氢、氘、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，*和*'各自指示与相邻原子的结合位点，并且R
10a
如权利要求1中所述。5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，Ar
21
和Ar
22
各自独立地为由式2A
‑
1至式2A
‑
13中的一个表示的基团：
其中，在式2A
‑
1至式2A
‑
13中，Z1为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基，b11为从1至4的整数，b12为从1至6的整数，并且*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，式1中由(L
11
)
a11
表示的部分为由式1L表示的基团：其中，在式1L中，n1L为从0至10的整数，Z
1L
为氢、氘、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基，并且R
10a
如权利要求1中所述。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，L
21
为单键、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'或*
‑
O
‑
*'，*和*'各自指示与相邻原子的结合位点，并且R
1a
和R
1b
分别如权利要求1中所述。8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，R
11
为由式1
‑
1表示的基团。9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，R
14
、R
15
、R
1a
和R
1b
各自独立地为：氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、C1‑
C
20
烷基或C1‑
C
20
烷氧基；C1‑
C
20
烷基或C1‑
C
20
烷氧基，它们各自被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、C1‑
C
20
烷基或其任何组合取代；苯基或萘基，它们各自未被取代或被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、C1‑
C
20
烷基、C1‑
C
20
烷氧基或其任何组合取代。10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述电子传输区域包括由式3表示的第三化合物：式3M
p
O
q
其中，在式3中，M为Zn、Ti、Zr、Sn、W、Ta、Ni、Mo、Cu或V，并且p和q各自独立地为从1至5的整数。11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述第三化合物由式3
‑
1表示：式3
‑
1Zn
(1
‑
r)
M'
r
O其中，在式3
‑
1中，M'为Mg、Co、Ni、Zr、Mn、Sn、Y、Al或其任何组合，并且r为大于0且等于或小于0.5的数。12.一种发光装置，包括：衬底；设置在所述衬底上的阴极；面对所述阴极的阳极；布置在所述阴极和所述阳极之间的x个发光单元；以及x
‑
1个电荷产生层，它们各自布置在所述x个发光单元之中的两个相邻的发光单元之间并且包括n型电荷产生层和p型电荷产生层，其中，x为2或更大的整数，所述x个发光单元中的每个包括从所述阴极依次布置的电子传输区域、发射层和空穴传输区域，并且所述空穴传输区域包括：包括由式1表示的第一重复单元的第一化合物、由式2表示的第二化合物、由式5表示的第五化合物或其任何组合：式1
式1
‑
1式2N3‑
(Ar
21
)
n21
‑
(L
21
)
a21
‑
(Ar
22
)
n22
‑
N3式5N3‑
(Ar
51
)
n51
‑
(L
51
)
a51
‑
(Ar
52
)
n52
‑
N3其中，在式1、式1
‑
1、式2和式5中，Ar
11
至Ar
13
、Ar
21
、Ar
22
、Ar
51
和Ar
52
各自独立地为单键、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
亚烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚烯基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚炔基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，n11至n13、n21、n22、n51和n52各自独立地为从1至10的整数，L
11
和L
21
各自独立地为单键、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
N(R
1a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
1a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'，L
51
为由式1表示的第一重复单元，a11、a21和a51各自独立地为从1至20的整数，R
11
为由式1
‑
1表示的基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，i)R
12
为与式1中的相邻原子的结合位点，并且R
13
为氢，或ii)R
12
为氢，并且R
13
为与式1中的相邻原子的结合位点，R
14
、R
15
、R
1a
和R
1b
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未被取代或被至少一个R<...

【专利技术属性】
技术研发人员：金世勋，李昌熙，河在国，姜鎭求，具永谟，金英一，金志允，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：