发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了发光装置。该发光装置包括夹层，该夹层包括第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，其中第一空穴传输层包括第一空穴传输化合物和第一p

【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2021年12月6日提交的韩国专利申请第10
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2021
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0173063号的优先权和权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。


[0003]一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置为自发射装置，其与相关领域的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异的或适当的特性。
[0005]发光装置可包括设置在基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生光。

技术实现思路

[0006]根据一个或多个实施方式的方面涉及具有改善的寿命的发光装置。
[0007]另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据一个或多个实施方式，发光装置包括
[0009]第一电极，
[0010]面向第一电极的第二电极，以及
[0011]在第一电极和第二电极之间且包括发射层、第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层的夹层，
[0012]其中发射层包括第一主体、第二主体和掺杂剂，
[0013]第一空穴传输层包括第一空穴传输化合物和第一p
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掺杂剂化合物，
[0014]第二空穴传输层包括第二空穴传输化合物和第二p
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掺杂剂化合物，
[0015]第三空穴传输层包括第三空穴传输化合物并且不包括p
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掺杂剂，并且
[0016]第二p
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掺杂剂化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能量的绝对值大于第一p
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掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值。
[0017]根据一个或多个实施方式，
[0018]电子设备包括发光装置。
附图说明
[0019]结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的和其他的方面、特征和增强功能将从下述描述中更显而易见，其中：
[0020]图1为根据实施方式的发光装置的示意性截面图；
[0021]图2为根据实施方式的电子设备的示意性截面图；并且
[0022]图3为根据另一实施方式的电子设备的示意性截面图。
具体实施方式
[0023]现将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考附图描述实施方式，以解释本描述的方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b或c中的至少一个”或“选自a、b和c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者(例如，同时a和b)，a和c二者(例如，同时a和c)，b和c二者(例如，同时b和c)，所有的a、b和c，或其变型。
[0024]根据一个或多个实施方式，发光装置可包括：
[0025]第一电极；
[0026]面向第一电极的第二电极；以及
[0027]位于第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，
[0028]其中发射层可包括第一主体、第二主体和掺杂剂，
[0029]夹层可包括第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，
[0030]第一空穴传输层可包括第一空穴传输化合物和第一p
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掺杂剂化合物，
[0031]第二空穴传输层可包括第二空穴传输化合物和第二p
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掺杂剂化合物，
[0032]第三空穴传输层可包括第三空穴传输化合物并且可不包括(例如，可排除)p
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掺杂剂，并且
[0033]第二p
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掺杂剂化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能量的绝对值可大于第一p
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掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值。
[0034]荧光材料和磷光材料已经被用于发光装置中，但只有荧光材料已经被用于相关领域的蓝色发光装置。荧光材料具有25％的理论量子效率，并且与磷光材料或热激活延迟荧光材料相比具有低效率性能。
[0035]相应地，期望或有必要通过开发蓝色磷光或热激活延迟荧光发光装置来最大化或增加装置的性能。然而，蓝色磷光或热激活延迟荧光发光装置在确保其适当的寿命方面仍然有困难，并且期望或有必要克服这个问题。
[0036]在根据实施方式的发光装置中，可通过在发射层和电极之间堆叠包括p
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掺杂剂的多个空穴传输层(级联P
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HTL)来控制或选择空穴注入和传输特性，并且因此，可控制或选择激子浓度(例如，可减少发射层中空穴累积的分布)，从而改善装置寿命。
[0037]因为根据本公开的实施方式，第二p
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掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值大于第一p
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掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值，所以可控制或选择空穴注入和传输特性，并且因此，可控制或选择发射层中的激子浓度以改善装置寿命。
[0038]在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括位于第一电极和发射层之间且包括空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层、空穴注入层或其任何组合的空穴传输区。
[0039]在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括位于第二电极和发射层之间且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合的电子传输区。
[0040]在实施方式中，发射层可以发射蓝光。
[0041]在实施方式中，第一主体和/或第二主体可为(例如，同时)具有空穴传输取代基和电子传输取代基的化合物。术语“(例如，同时)具有空穴传输取代基和电子传输取代基的化合物”指能够(例如，同时)传输空穴和电子的双极性主体化合物。
[0042]例如，第一主体可为空穴传输主体、电子传输主体或双极性主体化合物。例如，第二主体可为双极性主体化合物。
[0043]在实施方式中，掺杂剂可为磷光掺杂剂和/或荧光掺杂剂。
[0044]例如，掺杂剂可仅包括磷光掺杂剂或可包括磷光掺杂剂和荧光掺杂剂。例如，荧光掺杂剂可为热激活延迟荧光掺杂剂。
[0045]例如，掺杂剂可包括磷光掺杂剂和热激活延迟荧光掺杂剂。在该情况下，在磷光掺杂剂中，系间窜跃(ISC)可比光发射更活跃地发生。
[0046]主体中生成的单重态激子可通过ISC转移至热激活延迟荧光掺杂剂。
[0047]例如，约20％至约30％的磷光掺杂剂可以发射光，并且约7本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层、第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层的夹层，其中所述发射层包括第一主体、第二主体和掺杂剂，所述第一空穴传输层包括第一空穴传输化合物和第一p
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掺杂剂化合物，所述第二空穴传输层包括第二空穴传输化合物和第二p
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掺杂剂化合物，所述第三空穴传输层包括第三空穴传输化合物并且不包括p
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掺杂剂，并且所述第二p
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掺杂剂化合物的最低未占分子轨道能量的绝对值大于所述第一p
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掺杂剂化合物的最低未占分子轨道能量的绝对值。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体和/或所述第二主体为具有空穴传输取代基和电子传输取代基的化合物。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二空穴传输层在所述第一空穴传输层和所述第三空穴传输层之间。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一空穴传输层面向所述第一电极，并且所述第三空穴传输层面向所述发射层。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋恩惠，宣轸元，李东赞，李钟铉，田坪恩，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：