【技术实现步骤摘要】
芯片键合对准装置及形成方法、晶圆键合结构及形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种芯片键合对准装置、芯片键合对准装置的形成方法、晶圆键合结构以及晶圆键合结构的形成方法。
技术介绍
[0002]电子集成封装是半导体集成工艺的重要环节。其中，传统的电子封装技术主要以2D堆叠为主，即，电子元器件平铺安装在PCB基板表面，这样的2D堆叠的芯片在性能、数量、运行速度等方面都有较大的局限性。
[0003]随着超越摩尔定律的发展、堆叠层数的增加以及不同衬底不同功能芯片的堆叠需求的出现，晶圆直接键合技术已不能满足未来需求，为了实现上述需求，晶圆上芯片（Die On Wafer）的技术得到发展。
[0004]目前主流的工艺手段是半导体后端封装工艺的微凸点（Micro Bump）技术，但其最小重复单元尺寸限制于锡球的大小（目前最小仅仅做到约40um 左右），因此该技术的线路互连数量有限（带宽小）且互连电阻大（锡球高度）。为了增加带宽减少互联电阻需要将小芯片直接堆叠到晶圆上并实现小尺寸高精度的金属导通，由此...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片键合对准装置的形成方法，其特征在于，包括：提供复数个相互分立的芯片结构；提供一目标晶圆；提供第一平行横梁，将所述第一平行横梁置于所述目标晶圆的上方且平行于所述目标晶圆所处平面；在所述第一平行横梁的一端设置一第一互对准单元，在所述第一平行横梁另一端设置一对准吸附单元；提供第二平行横梁，将所述第二平行横梁置于所述目标晶圆的下方且平行于所述目标晶圆所处平面；在所述第二平行横梁的一端设置一第二互对准单元，在所述第二平行横梁另一端设置一透射对准单元；所述第一平行横梁与所述第二平行横梁在横梁延伸的方向上互相平行设置，所述第一互对准单元与所述第二互对准单元相互对齐，所述对准吸附单元与所述透射对准单元相互对齐，且所述第一互对准单元与所述对准吸附单元之间的间距等于所述第二互对准单元与所述透射对准单元之间的间距。2.如权利要求1所述的芯片键合对准装置的形成方法，其特征在于，所述第一互对准单元和所述第二互对准单元为光学对准镜头；所述透射对准单元为红外透射对准镜头。3.如权利要求1所述的芯片键合对准装置的形成方法，其特征在于，所述对准吸附单元包括一光学对准镜头、以及一真空吸附吸头。4.如权利要求1所述的芯片键合对准装置的形成方法，其特征在于，在所述芯片的正面设置键合对准标记，在所述目标晶圆的正面设置键合对准标记。5.如权利要求4所述的芯片键合对准装置的形成方法，其特征在于，在所述芯片的背面设置激光对准标记，所述芯片背面的激光对准标记的图形面积大于所述芯片正面的键合对准标记的图形面积。6.如权利要求1所述的芯片键合对准装置的形成方法，其特征在于，设置一组与所述第一平行横梁及第二平行横梁镜像对称的第三平行横梁及第四平行横梁。7.一种芯片键合对准装置，其特征在于，包括：复数个相互分立的芯片结构；一目标晶圆；第一平行横梁，所述第一平行横梁置于所述目标晶圆的上方且平行于所述目标晶圆所处平面；在所述第一平行横梁的一端设置有一第一互对准单元，在所述第一平行横梁另一端设置有一对准吸附单元；第二平行横梁，所述第二平行横梁置于所述目标晶圆的下方且平行于所述目标晶圆所处平面；在所述第二平行横梁的一端设置有一第二互对准单元，在所述第二平行横梁另一端设置有一透射对准单元；所述第一平行横梁与所述第二平行横梁在横梁延伸的方向上互相平行设置，所述第一互对准单元与所述第二互对准单元相互对齐，所述对准吸附单元与所述透射对准单元相互
对齐，且所述第一互对准单元与所述对准吸附单元之间的间距等于所述第二互对准单元与所述透射对准单元之间的间距。8.如权利要求7所述的芯片键合对准装置，其特征在于，所述第一互对准单元和所述第二互对准单元为光学对准镜头；所述透射对准单元为红外透射对准镜头。9.如权利要求7所述的芯片键合对准装置，其特征在于，所述对准吸附单元包括一光学对准镜头、以及一真空吸附吸头。10.如权利要求7所述的芯片键合对准装置，其特征在于，在所述芯片的正面设置有键合对准标记，在...
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