【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种灵敏放大器、灵敏放大器的控制方法和存储器。
技术介绍
1、灵敏放大器(sense amplifier，简称sa)是半导体存储器的一个重要组成部分，其主要作用是将位线上的小信号进行放大，从而执行读出或写入操作。但是在相关技术中，由于晶体管传输高电平时存在阈值损失问题，使得在进行读写操作时，灵敏放大器的读出电压和写入电压无法达到电源电压。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种灵敏放大器、灵敏放大器的控制方法和存储器。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种灵敏放大器，所述灵敏放大器包括：
3、交叉耦合电路，包括第一耦合节点和第二耦合节点，配置为在所述灵敏放大器处于放大阶段时，对所述第一耦合节点和所述第二耦合节点进行信号放大处理；
4、可控电源电路，与所述第一耦合节点和所述第二耦合节点分别连接，配置为在所述灵敏放大器处于偏移消除阶段时，向所述第一耦合节点和所述第二耦合节点提供预设电压；
5、偏移消除电路，与所述第一耦合节点和所述第二耦合节点分别连接，配置为在所述灵敏放大器处于所述偏移消除阶段时，基于所述预设电压对所述灵敏放大器进行偏移消除处理。
6、在一些实施例中，所述可控电源电路包括第一晶体管和第二晶体管；
7、所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端均接收电源控制信号，所述第一晶体管串联在第一控制节点和所述第一耦合节点之间，所述第二晶体管串联在第二控制节点和所述第二耦合节点之
8、在一些实施例中，所述第一控制节点和所述第二控制节点均接收第一电源信号，且在所述偏移消除阶段，所述第一电源信号的电压值为所述预设电压；仅在所述偏移消除阶段，所述电源控制信号和所述第一电源信号之间的压差使得所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态；
9、所述灵敏放大器还包括预充电路和信号传输电路；
10、所述预充电路，与所述第一耦合节点和所述第二耦合节点分别连接，配置为在所述灵敏放大器处于预充阶段时，基于预充电源信号对所述灵敏放大器进行预充处理；
11、所述信号传输电路，与所述第一耦合节点和所述第二耦合节点分别连接，配置为在所述灵敏放大器处于信号传输阶段时，将所述第一耦合节点的信号传输至目标传输节点，将所述第二耦合节点的信号传输至目标互补传输节点。
12、在一些实施例中，所述第一控制节点和所述第二控制节点均接收预充电源信号，所述预充电源信号的电压值为所述预设电压；仅在所述偏移消除阶段和预充阶段，所述电源控制信号为使能状态以使所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态；
13、所述可控电源电路，还配置为在所述灵敏放大器处于所述预充阶段时，基于所述预充电源信号对所述灵敏放大器进行预充处理；
14、所述灵敏放大器还包括信号传输电路；
15、所述信号传输电路，与所述第一耦合节点和所述第二耦合节点分别连接，配置为在所述灵敏放大器处于信号传输阶段时，将所述第一耦合节点的信号传输至目标传输节点，将所述第二耦合节点的信号传输至目标互补传输节点。
16、在一些实施例中，所述第一控制节点为目标传输节点，所述第二控制节点为目标互补传输节点；仅在所述偏移消除阶段和信号传输阶段，所述电源控制信号为使能状态以使所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态；
17、所述可控电源电路，还配置为在所述灵敏放大器处于所述信号传输阶段时，将所述第一耦合节点的信号传输至所述目标传输节点，将所述第二耦合节点的信号传输至所述目标互补传输节点；
18、所述灵敏放大器还包括预充电路；
19、所述预充电路，与所述第一耦合节点和所述第二耦合节点分别连接，配置为在所述灵敏放大器处于预充阶段时，基于预充电源信号对所述灵敏放大器进行预充处理。
20、在一些实施例中，所述第一控制节点为目标传输节点，所述第二控制节点为目标互补传输节点；仅在所述偏移消除阶段、预充阶段和信号传输阶段，所述电源控制信号为使能状态以使所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态。
21、在一些实施例中，所述预充电路包括第一预充晶体管和第二预充晶体管，所述信号传输电路包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；
22、所述第一预充晶体管的控制端和所述第二预充晶体管的控制端均接收预充控制信号，所述第一预充晶体管与所述第一耦合节点连接，所述第二预充晶体管与所述第二耦合节点连接；
23、所述第一传输晶体管的控制端和所述第二传输晶体管的控制端均接收传输控制信号，所述第一传输晶体管串联在所述第一耦合节点和所述目标传输节点之间，所述第二传输晶体管串联在所述第二耦合节点和所述目标互补传输节点之间。
24、在一些实施例中，所述交叉耦合电路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，所述偏移消除电路包括第七晶体管和第八晶体管；
25、所述第三晶体管的第一端和所述第四晶体管的第一端均接收第二电源信号，所述第五晶体管的第一端和所述第六晶体管的第一端均接收第三电源信号；所述第三晶体管的第二端、所述第四晶体管的控制端、所述第五晶体管的第二端、所述第六晶体管的控制端、所述第七晶体管的第一端和所述第八晶体管的第二端均与所述第一耦合节点连接，所述第三晶体管的控制端、所述第四晶体管的第二端、所述第五晶体管的控制端、所述第六晶体管的第二端、所述第七晶体管的第二端和所述第八晶体管的第一端均与所述第二耦合节点连接；
26、所述第五晶体管的控制端与互补位线连接，所述第六晶体管的控制端与位线连接；所述第七晶体管的控制端和所述第八晶体管的控制端均接收消偏控制信号。
27、第二方面，本公开实施例提供了一种灵敏放大器的控制方法，应用于如第一方面中所述的灵敏放大器，所述灵敏放大器包括交叉耦合电路、可控电源电路、偏移消除电路、预充电路和信号传输电路；所述可控电源电路基于第一电源信号和电源控制信号工作，所述偏移消除电路基于消偏控制信号工作，所述交叉耦合电路基于第二电源信号和第三电源信号工作，所述预充电路基于预充控制信号工作，所述信号传输电路基于传输控制信号工作；
28、所述灵敏放大器依次历经预充阶段、偏移消除阶段、放大阶段和信号传输阶段，所述控制方法包括：
29、在所述预充阶段，控制所述第二电源信号处于使能状态、所述第三电源信号处于使能状态、所述预充控制信号处于使能状态、所述消偏控制信号处于使能状态、所述传输控制信号处于失能状态；
30、在所述偏移消除阶段，控制所述第二电源信号处于使能状态、所述第三电源信号处于失能状态、所述预充控制信号处于失能状态、所述消偏控制信号处于使能状态、所述传输控制信号处于失能状态；
31、在所述放大阶段，控制所述第二电源信号处于失能状态、所述第三电源信号处于失能状态、所述预充控制信号处于失能状态、所述消偏控制信号处于失能状态、所述传输控制信号处于失能状态；...
【技术保护点】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括：
2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述可控电源电路包括第一晶体管和第二晶体管；
3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一控制节点和所述第二控制节点均接收预充电源信号，所述预充电源信号的电压值为所述预设电压；仅在所述偏移消除阶段和预充阶段，所述电源控制信号为使能状态以使所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态；
5.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一控制节点为目标传输节点，所述第二控制节点为目标互补传输节点；仅在所述偏移消除阶段和信号传输阶段，所述电源控制信号为使能状态以使所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态；
6.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一控制节点为目标传输节点，所述第二控制节点为目标互补传输节点；仅在预充阶段、所述偏移消除阶段和信号传输阶段，所述电源控制信号为使能状态以使所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态。
7.根据
8.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述交叉耦合电路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，所述偏移消除电路包括第七晶体管和第八晶体管；
9.一种灵敏放大器的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求3所述的灵敏放大器，所述灵敏放大器包括交叉耦合电路、可控电源电路、偏移消除电路、预充电路和信号传输电路；所述可控电源电路基于第一电源信号和电源控制信号工作，所述偏移消除电路基于消偏控制信号工作，所述交叉耦合电路基于第二电源信号和第三电源信号工作，所述预充电路基于预充控制信号工作，所述信号传输电路基于传输控制信号工作；
10.根据权利要求9所述的控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
11.一种灵敏放大器的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求4所述的灵敏放大器，所述灵敏放大器包括交叉耦合电路、可控电源电路、偏移消除电路和信号传输电路；所述可控电源电路基于预充电源信号和电源控制信号工作，所述偏移消除电路基于消偏控制信号工作，所述交叉耦合电路基于第二电源信号和第三电源信号工作，所述信号传输电路基于传输控制信号工作；
12.一种灵敏放大器的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求5所述的灵敏放大器，所述灵敏放大器包括交叉耦合电路、可控电源电路、偏移消除电路和预充电路；所述可控电源电路基于传输控制信号、目标传输节点处的信号、目标互补传输节点处的信号工作，所述偏移消除电路基于消偏控制信号工作，所述交叉耦合电路基于第二电源信号和第三电源信号工作，所述预充电路基于预充控制信号工作；
13.一种灵敏放大器的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求6所述的灵敏放大器，所述灵敏放大器包括交叉耦合电路、可控电源电路和偏移消除电路；所述可控电源电路基于传输控制信号、目标传输节点处的信号、目标互补传输节点处的信号工作，所述偏移消除电路基于消偏控制信号工作，所述交叉耦合电路基于第二电源信号和第三电源信号工作；
14.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求1至8中任一项所述的灵敏放大器。
...【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括：
2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述可控电源电路包括第一晶体管和第二晶体管；
3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一控制节点和所述第二控制节点均接收预充电源信号，所述预充电源信号的电压值为所述预设电压；仅在所述偏移消除阶段和预充阶段，所述电源控制信号为使能状态以使所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态；
5.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一控制节点为目标传输节点，所述第二控制节点为目标互补传输节点；仅在所述偏移消除阶段和信号传输阶段，所述电源控制信号为使能状态以使所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态；
6.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一控制节点为目标传输节点，所述第二控制节点为目标互补传输节点；仅在预充阶段、所述偏移消除阶段和信号传输阶段，所述电源控制信号为使能状态以使所述第一晶体管和所述第二晶体管处于导通状态。
7.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述预充电路包括第一预充晶体管和第二预充晶体管，所述信号传输电路包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；
8.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述交叉耦合电路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，所述偏移消除电路包括第七晶体管和第八晶体管；
9.一种灵敏放大器的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求3所述的灵敏放大器，所述灵敏放大器包括交叉耦合电路、可控电源电路、偏移消除电路、预充...
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