一种减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构制造技术

本实用新型专利技术公开了电路板设计技术领域中的一种减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构，包括设置在电路板本体上的多个呈阵列分布的DDR4焊盘，每个内排DDR4焊盘的内侧均设有第一DDR4信号孔，每个中间排DDR4焊盘的外侧均设有第二DDR4信号孔，且每列第一DDR4信号孔与对应的第二DDR4信号孔之间设有地过孔。解决了信号孔之间的间距比较近，电路板板上无法预留地孔的位置，无法形成地过孔的信号屏蔽，信号孔之间串扰严重，容易造成信号传输失真及信号传输质量不好的问题，其能减少第一DDR4信号孔与第二DDR4信号孔之间的串扰，DDR4芯片能够达到高速率，运行稳定，减少信号传输失真及提高信号传输质量。信号传输质量。信号传输质量。

【技术实现步骤摘要】
一种减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构


[0001]本技术涉及电路板设计
，具体地说，是涉及一种减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构。

技术介绍

[0002]随着台式机以及笔记本性能不断提高，电脑的功耗也在不断增加。作为电脑必备配件之一的内存(Memory)的性能要求也逐步提高。自从2007年以来，CPU架构不断更新、显卡核心不断升级。为了继续满足人们对更高性能和增加带宽的需求，新一代DDR SDRAM 应运而生，新
的DDR4的性能更高、DIMM容量更大、数据完整性更强且能耗更低。
[0003]DDR是一个内存规格的名称，意思即双倍速率同步动态随机存储器，是内存的其中一种。DDR4是第四代DDR，在功耗和传输速度方面比前几代有所提高。随着高速时代的发展对电路板上的DDR4性能与速率的要求也越来越高，现有的DDR4对应的电路板结构中，内排焊盘与中间排焊盘的的信号孔位于同一侧，焊盘与信号孔之间的的扇出走线的方向是一致的。由于DDR4内部空间比较小，导致信号孔之间的间距比较近，电路板板上无法预留地孔的位置，无法形成地过孔的信号屏蔽，信号孔之间串扰严重，DDR4达不到高速率，运行不稳定，容易造成信号传输失真及信号传输质量不好的问题。
[0004]上述缺陷，值得改进。

技术实现思路

[0005]为了解决由于DDR4内部空间比较小，导致信号孔之间的间距比较近，电路板板上无法预留地孔的位置，无法形成地过孔的信号屏蔽，信号孔之间串扰严重，DDR4达不到高速率，运行不稳定，容易造成信号传输失真及信号传输质量不好的问题，本技术提供一种减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构。
[0006]本技术技术方案如下所述：
[0007]一种减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构，包括设置在电路板本体上的多个呈阵列分布的DDR4焊盘，每个内排所述DDR4焊盘的内侧均设有第一DDR4信号孔，每个中间排所述DDR4焊盘的外侧均设有第二DDR4信号孔，且每列所述第一DDR4信号孔与对应的所述第二DDR4信号孔之间设有地过孔。
[0008]根据上述方案的本技术，所述地过孔设置在每列所述第一DDR4信号孔与对应的所述第二DDR4信号孔的中间位置。
[0009]根据上述方案的本技术，内排所述DDR4焊盘与所述第一DDR4信号孔之间扇出第一走线，中间排所述DDR4焊盘与所述第二DDR4信号孔之间扇出第二走线，所述第一走线与所述第二走线相对于所述地过孔所在直线对称分布。
[0010]根据上述方案的本技术，所述地过孔与相邻的所述DDR4焊盘的距离相等。
[0011]根据上述方案的本技术，所述第一DDR4信号孔的焊盘、所述第二DDR4信号孔的焊盘、所述地过孔的焊盘的外径均大于所述DDR4焊盘的外径。
[0012]根据上述方案的本技术，每列所述第一DDR4信号孔、所述第二DDR4信号孔与对应的所述地过孔的间距为0.75~0.9mm。
[0013]根据上述方案的本技术，每列所述第一DDR4信号孔、所述第二DDR4信号孔与对应的所述地过孔的间距为0.8mm。
[0014]根据上述方案的本技术，所述第一DDR4信号孔、所述第二DDR4信号孔、所述地过孔的直径均为0.15~0.25mm。
[0015]进一步的，所述第一DDR4信号孔、所述第二DDR4信号孔、所述地过孔的直径均为0.2mm。
[0016]根据上述方案的本技术，所述第一DDR4信号孔、所述第二DDR4信号孔、所述地过孔的焊盘外径均为0.4~0.5mm。
[0017]根据上述方案的本技术，所述第一DDR4信号孔、所述第二DDR4信号孔、所述地过孔的焊盘外径均为0.45mm。
[0018]根据上述方案的本技术，其有益效果在于：
[0019]上述减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构中，内排DDR4焊盘的内侧设有第一DDR4信号孔，中间排DDR4焊盘的外侧设有第二DDR4信号孔，即内排DDR4焊盘与中间排DDR4焊盘的DDR4信号孔位于不同侧，则第一DDR4信号孔与第二DDR4信号孔之间的间距变大，第一DDR4信号孔与第二DDR4信号孔之间能够设置地过孔，形成地过孔的信号屏蔽，减少第一DDR4信号孔与第二DDR4信号孔之间的串扰，DDR4芯片能够达到高速率，运行稳定，减少信号传输失真及提高信号传输质量。
附图说明
[0020]图1为本技术的结构示意图；
[0021]图2为图1中A部分的放大图。
[0022]在图中，1、电路板本体；11、内排DDR4焊盘；12、中间排DDR4焊盘；13、第一DDR4信号孔；14、第二DDR4信号孔；15、地过孔；16、第一走线；17、第二走线。
实施方式
[0023]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0024]DDR4是第四代DDR，DDR又称双倍速率SDRAM(Dual Date Rate SDRSM)。DDR是一种高速CMOS动态随机访问的内存，在这之前就经历过了DDR1、DDR2、DDR3。DDR4有288个引脚，且每侧的引脚为3排，DDR4的so
‑
dimm（小型双重内嵌式内存模块）有260个引脚，DR4键槽位于不同的位置，边缘连接器看起来像一个稍微弯曲的“V”形，便于插入，这种设计还减少了模块插入所需的力，因为在模块插入期间并非所有插针都能同时接合。内排焊盘与中间排焊盘的的信号孔位于同一侧，焊盘与信号孔之间的的扇出走线的方向是一致的。由于DDR4内部空间比较小，导致信号孔之间的间距比较近，电路板板上无法预留地孔的位置，无法形成地过孔的信号屏蔽，信号孔之间串扰严重，DDR4达不到高速率，运行不稳定，容易造成信号传输失真及信号传输质量不好的问题。
[0025]如图1所示，为了解决上述技术问题，本技术提供了一种减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构，包括设置在电路板本体1上的多个呈阵列分布的DDR4焊盘，每个内排DDR4焊盘11的内侧均设有第一DDR4信号孔13，每个中间排DDR4焊盘12的外侧均设有第二DDR4信号孔14，且每列第一DDR4信号孔13与对应的第二DDR4信号孔14之间设有地过孔15。
[0026]如图2所示，具体的，地过孔15设置在每列第一DDR4信号孔13与对应的第二DDR4信号孔14的中间位置，即地过孔15分别到第一DDR4信号孔13、第二DDR4信号孔14的距离相等，减少第一DDR4信号孔13与第二DDR4信号孔14之间的串扰。每列第一DDR4信号孔13、第二DDR4信号孔14与对应的地过孔15的间距为0.75~0.9mm。优选的，每列第一DDR4信号孔13、第二DDR4信号孔14与对应的地过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构，包括设置在电路板本体上的多个呈阵列分布的DDR4焊盘，其特征在于，每个内排所述DDR4焊盘的内侧均设有第一DDR4信号孔，每个中间排所述DDR4焊盘的外侧均设有第二DDR4信号孔，且每列所述第一DDR4信号孔与对应的所述第二DDR4信号孔之间设有地过孔。2.根据权利要求1所述的减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构，其特征在于，所述地过孔设置在每列所述第一DDR4信号孔与对应的所述第二DDR4信号孔的中间位置。3.根据权利要求2所述的减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构，其特征在于，内排所述DDR4焊盘与所述第一DDR4信号孔之间扇出第一走线，中间排所述DDR4焊盘与所述第二DDR4信号孔之间扇出第二走线，所述第一走线与所述第二走线相对于所述地过孔所在直线对称分布。4.根据权利要求1所述的减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构，其特征在于，所述地过孔与相邻的所述DDR4焊盘的距离相等。5.根据权利要求1所述的减小DDR4芯片信号过孔间串扰的电路板结构，其特征在于，所述第一DDR4信...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨汉青，王灿钟，
申请(专利权)人：深圳市一博科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：