【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用了压电薄膜的压电薄膜元件，更详细地说涉及在硅基板上 具有碱性铌氧化物系钙钛矿构造的压电薄膜的压电薄膜元件。
技术介绍
压电体根据各种目的加工成各种压电元件，尤其是作为对压电元件施加电 压而使其产生变形并动作的驱动器，或相反地根据从压电元件的变形发生的电 压检测物理量的传感器等的功能性电子部件广泛使用。作为用于驱动器或传感 器的用途的压电体，一直以来广泛使用具有优良的压电特性的铅系材料的电介质，尤其是被称为PZT的用一般式Pb (Zrl -xTix) 03表示的PZT系的钙 钬矿型铁电体，通常通过烧结由各个元素构成的氧化物而形成。目前，随着各种电子部件的小型化、高性能化的推进，在压电元件中也强 烈要求小型化、高性能化。然而，使用以往的制作方法即以烧结法为中心的制 造方法而制作的压电材料随着将其厚度变薄，尤其是随着厚度接近10jLim左 右的厚度，逐渐靠近构成材料的晶粒的大小，从而不能忽视其影响。因此，发 生特性的不均和恶化变得明显的问题，为了避免该问题，近年来对应用了不同 于烧结法的薄膜技术等的压电体的形成法进行了研究。最近，在硅基板上用溅 射法形成的PZT薄膜作为高灵敏度的陀螺传感器(角速度传感器)用的压电 薄膜而实际应用(例如，参照专利文献l:日本特开2005 - 203725号公报)。另一方面，由PZT构成的压电烧结体或压电薄膜由于含有铅60 70重量 %左右，所以从生态学的观点及防止公害的方面考虑不理想。于是，考虑到对 环境的影响而希望开发出不含铅的压电体。目前，正在研究各种非铅压电材料，其中有铌酸钾钠， 一般式为(K^Nax)...
【技术保护点】
一种压电薄膜元件，在硅基板上具有下部电极、压电薄膜和上部电极，其特征在于， 上述压电薄膜具有用一般式（Ｋ↓［１－ｘ］Ｎａ↓［ｘ］）ＮｂＯ↓［３］（０＜ｘ＜１）表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述（Ｋ↓［１－ｘ］Ｎａ↓［ｘ］）Ｎｂ Ｏ↓［３］薄膜的面外方向晶格常数ｃ与面内方向晶格常数ａ的比在０．０９８０≤ｃ／ａ≤１．０１００的范围。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴田宪治，冈史人，末永和史，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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