MRAM的制备方法技术

本发明专利技术提供一种MRAM的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有通孔；在通孔上方形成第一底电极薄膜；对第一底电极薄膜进行第一次减薄处理；在第一次减薄后的第一底电极薄膜上方形成介质层薄膜；进行对准标记的光刻和刻蚀；去除介质层薄膜；对第一底电极薄膜进行第二次减薄处理；在第二次减薄后的第一底电极薄膜上方形成第二底电极薄膜。本发明专利技术能够提升第一层底电极薄膜防止铜扩散的能力。底电极薄膜防止铜扩散的能力。底电极薄膜防止铜扩散的能力。

【技术实现步骤摘要】
MRAM的制备方法


[0001]本专利技术涉及磁性随机存储器(MRAM)
，尤其涉及一种MRAM的制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子技术的高速发展，非易失性存储器已经成为人们研究的重点对象。非易失性存储器具有的高密度，快读写，以及超长工作寿命的特点，具有广泛的市场应用前景。
[0003]磁性随机存储器(MRAM)作为下一代非易失性存储器的代表，是目前最有希望实现量产的一种。在MRAM的制造过程中，良率是反映MRAM量产能力的关键。按照现有金属架构，磁性隧道结的底电极(BE)薄膜生长在通孔上方，生长完BE薄膜之后，还要进行对准标记的光刻/刻蚀，这里所说的对准标记后续在图案化BE时会用到。由于BE较厚且透光性差，光刻无法穿透BE进行对准，因此实际产品进行工艺改良，在制备底电极时分为两步：生长第一层BE后减薄，进行对准标记的光刻/刻蚀，然后再生长第二层BE。
[0004]上述底电极的制作步骤中，由于通孔在化学机械抛光后铜表面存在凹陷，且第一层BE薄膜减薄后厚度很薄，因而第一层BE薄膜存在薄膜连续性不好等问题，第一层BE薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MRAM的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有通孔；在所述通孔上方形成第一底电极薄膜；对所述第一底电极薄膜进行第一次减薄处理；在第一次减薄后的所述第一底电极薄膜上方形成介质层薄膜；进行对准标记的光刻和刻蚀；去除所述介质层薄膜；对所述第一底电极薄膜进行第二次减薄处理；在第二次减薄后的所述第一底电极薄膜上方形成第二底电极薄膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层薄膜为包含SiN、SiC或者SiCN的单层膜结构。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层薄膜为SiN和SiC的复合膜层结构。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层薄膜的厚度介于10～100nm。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层薄膜的生长方式包括以下方式的一种：原子层沉积、化学气相沉积。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩欣彤，申力杰，冀正辉，左正笏，汤佳杰，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：