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本发明提供一种MRAM的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有通孔；在通孔上方形成第一底电极薄膜；对第一底电极薄膜进行第一次减薄处理；在第一次减薄后的第一底电极薄膜上方形成介质层薄膜；进行对准标记的光刻和刻蚀；去除介质层薄膜；对第一底电极薄...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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