半导体装置制造方法及图纸

实施方式的半导体装置具有元件区域和将元件区域包围的外周区域，外周区域包含：半导体层，具有第1面和与第1面对置的第2面；第1环状导电体，相对于半导体层，设置于第1面侧，将元件区域包围；第2环状导电体，相对于半导体层，设置于第1面侧，将第1环状导电体包围；以及至少一个第1连接导电体，设置于第1环状导电体与第2环状导电体之间，与第1环状导电体及第2环状导电体连接。环状导电体连接。环状导电体连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请享有以日本专利申请2022－49039号(申请日：2022年3月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]实施方式主要涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]在半导体芯片中，有时在将元件区域包围的外周区域设置将元件区域包围的芯片环(密封环)。芯片环是使用构成半导体芯片的接触层和布线层而形成的。通过设置芯片环，从而例如防止来自外界的水分和/或可动离子向元件区域的侵入，提高半导体芯片的可靠性。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供可靠性提高的半导体装置。
[0006]本专利技术的一个方式的半导体装置具有：元件区域；以及外周区域，将所述元件区域包围，所述外周区域包含：半导体层，具有第1面和与所述第1面对置的第2面；第1环状导电体，相对于所述半导体层，设置于所述第1面侧，将所述元件区域包围；第2环状导电体，相对于所述半导体层，设置于所述第1面侧，将所述第1环状导电体包围；以及至少一个第1连接导电体，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其中，具有：元件区域；以及外周区域，将所述元件区域包围，所述外周区域包含：半导体层，具有第1面和与所述第1面对置的第2面；第1环状导电体，相对于所述半导体层，设置于所述第1面侧，将所述元件区域包围；第2环状导电体，相对于所述半导体层，设置于所述第1面侧，将所述第1环状导电体包围；以及至少一个第1连接导电体，设置于所述第1环状导电体与所述第2环状导电体之间，与所述第1环状导电体及所述第2环状导电体连接。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1环状导电体、所述第2环状导电体及所述至少一个第1连接导电体为同一材料。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1环状导电体与所述半导体层相接，所述第2环状导电体与所述半导体层相接，所述至少一个第1连接导电体与所述半导体层相接。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1环状导电体包含：第1区域，在与所述第1面平行的第1方向上延伸；第2区域，在所述第1方向上延伸，在所述第2区域与所述第1区域之间设置有所述元件区域；第3区域，与所述第1面平行，在与所述第1方向垂直的第2方向上延伸；以及第4区域，在所述第2方向上延伸，在所述第4区域与所述第3区域之间设置有所述元件区域，所述第2环状导电体包含与所述第1区域相邻的第5区域、与所述第2区域相邻的第6区域、与所述第3区域相邻的第7区域以及与所述第4区域相邻的第8区域，所述至少一个第1连接导电体设置于所述第1区域与所述第5区域之间、所述第2区域与所述第6区域之间、所述第3区域与所述第7区域之间及所述第4区域与所述第8区域之间。5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外周区域还包含：第3环状导电体，相对于所述半导体层而设置于所述第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川幸大，石谷浩，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：