场效应晶体管及其制备方法和外围电路结构技术

本公开实施例涉及一种场效应晶体管及其制备方法和外围电路结构。场效应晶体管包括有源区；栅极，包括位于有源区上的第一部分和位于有源区以外的第二部分；栅极接触插塞，与第二部分电连接；源极区和漏极区，分别位于第一部分相对两侧的有源区中；源极接触层，包括多个源极接触插塞，各源极接触插塞连接至源极区，且沿第一部分的延伸方向间隔布置；漏极接触层，包括多个漏极接触插塞，各漏极接触插塞连接至源极区，且沿第一部分的延伸方向间隔布置。在接触电阻不变的情况下，减小了源极接触层与栅极之间、漏极接触层与栅极之间的耦合面积，降低了耦合电容，减小了场效应晶体管的延迟时间。迟时间。迟时间。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管及其制备方法和外围电路结构


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别是涉及一种场效应晶体管及其制备方法和一种外围电路结构。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术进入深亚微米节点，对半导体器件中信号延迟的要求越来越高。为了减小接触插塞的接触电阻，需要把接触插塞的面积尽可能做大，这会导致接触插塞与栅极之间的耦合面积变大，造成较大的耦合电容，导致半导体器件的延迟增大，并且耦合电容的增大会加剧场效应晶体管中横向电场的过冲，加剧半导体器件的退化。在降低接触电阻的同时，如何降低半导体器件的延迟成为亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供了一种场效应晶体管及其制备方法和一种外围电路结构，可以优化场效应晶体管和外围电路结构中的信号延迟。
[0004]本公开提供一种场效应晶体管，包括：
[0005]有源区；
[0006]栅极，包括位于有源区上的第一部分和位于有源区以外的第二部分；
[0007]栅极接触插塞，与第二部分电连接；
[0008]源极区和漏极区，分别位于第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：有源区；栅极，包括位于所述有源区上的第一部分和位于所述有源区以外的第二部分；栅极接触插塞，与所述第二部分电连接；源极区和漏极区，分别位于所述第一部分相对两侧的所述有源区中；源极接触层，包括多个源极接触插塞，各所述源极接触插塞连接至所述源极区，且沿所述第一部分的延伸方向间隔布置；以及漏极接触层，包括多个漏极接触插塞，各所述漏极接触插塞连接至所述源极区，且沿所述第一部分的延伸方向间隔布置。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述源极接触插塞的延伸长度与所述有源区的延伸长度的比值为0.1～0.2；和/或所述漏极接触插塞的延伸长度与所述有源区的延伸长度的比值为0.1～0.2。3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，相邻所述源极接触插塞之间的距离为第一间距，所述第一间距与所述源极接触插塞的延伸长度的比值为0.1～0.2；和/或相邻所述漏极接触插塞之间的距离为第二间距，所述第二间距与所述漏极接触插塞的延伸长度之间的比值为0.1～0.2。4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述源极接触插塞包括：金属硅化物层，与所述源极区相接触；源极导电层，位于所述金属硅化物层上；以及源极阻挡层，位于所述源极导电层与所述金属硅化物层之间，与所述金属硅化物层的顶表面接触，且沿所述金属硅化物的顶表面延伸覆盖至所述源极导电层的侧壁。5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述源极接触插塞的延伸方向与所述第一部分的延伸方向相同，各所述源极接触插塞与所述第一部分之间的间距相同；所述漏极接触插塞的延伸方向与所述第一部分的延伸方向相同，各所述漏极接触插塞与所述第一部分之间的间距相同。6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述源极接触插塞的延伸方向与所述第一部分的延伸方向相交，各所述源极接触插塞的延伸方向相同；所述漏极接触插塞的延伸方向与所述第一部分的延伸方向相交，各所述漏极接触插塞的延伸方向相同。7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于，所述源极接触插塞的延伸方向与所述有源区的延伸方向之间的夹角为10

【专利技术属性】
技术研发人员：侯闯明，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：