本发明专利技术公开了一种提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置及方法，所述装置包括有：一电路板输送装置，横向输送待蚀刻的电路板；一线路成型蚀刻槽，设置于该电路板输送装置的前段，相对该电路板输送装置设置有第一蚀刻液喷洒单元，该第一蚀刻液喷洒单元对电路板的蚀刻面喷洒第一蚀刻液；以及一线路修饰蚀刻槽，设置于该电路板输送装置的后段，相对该电路板输送装置设置有第二蚀刻液喷洒单元，该第二蚀刻液喷洒单元对电路板的蚀刻面喷洒第二蚀刻液，且该线路修饰蚀刻槽的蚀刻速度慢于该线路成型蚀刻槽的蚀刻速度；借此，具有提高电路板线路蚀刻因子的功效。蚀刻因子的功效。蚀刻因子的功效。
【技术实现步骤摘要】
提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置及方法
[0001]本专利技术涉及一种提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置及方法，特别涉及一种令电路板线路蚀刻过程先进行线路成型蚀刻阶段再进行线路修饰蚀刻阶段，且线路修饰蚀刻阶段的蚀刻速度慢于线路成型蚀刻阶段的蚀刻速度的装置及方法。
技术介绍
[0002]TWI539876公开一种蚀刻方法及蚀刻装置，其借由一流体喷嘴喷射蚀刻液吹附在蚀刻对象物的蚀刻对象面，而将蚀刻对象面进行蚀刻的第一蚀刻工程；及将蚀刻液与气体混合由二流体喷嘴喷射，将蚀刻液吹附在第一蚀刻工程中所被蚀刻的蚀刻对象面，借此将蚀刻对象面进一步蚀刻的第二蚀刻工程；在第二蚀刻工程中，将比第一蚀刻工程更为微小液滴的蚀刻液，以比第一蚀刻工程更强的冲击力吹附在蚀刻对象面。
[0003]进而，为了提高电路板线路蚀刻因子，完整的电路板线路蚀刻过程应可被分成“线路成型”及“线路修饰”两个蚀刻阶段；然而，如同先前公开的专利案一样，目前业界都是使用相同蚀刻速度的蚀刻液进行加工生产，并未将电路板线路的蚀刻过程分成“线路成型”及“线路修饰”两个蚀刻阶段，而由于“线路成型”阶段需要使用蚀刻速度快的蚀刻液，但在“线路修饰”阶段若使用蚀刻速度快的蚀刻液，反而难以控制线路侧蚀量进一步变大，会有线路蚀刻因子(Etch Factor，E/F)可能无法达到设计要求的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的主要目的是在于解决现有技术会有线路蚀刻因子无法达到设计要求的问题，而提供一种提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置及方法，使其具有提高电路板线路蚀刻因子的功效。
[0005]为达上述目的，本专利技术提供一种提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置，包括有：
[0006]一电路板输送装置，横向输送待蚀刻的电路板；
[0007]一线路成型蚀刻槽，设置于该电路板输送装置的前段，相对该电路板输送装置设置有第一蚀刻液喷洒单元，该第一蚀刻液喷洒单元对电路板的蚀刻面喷洒第一蚀刻液；以及
[0008]一线路修饰蚀刻槽，设置于该电路板输送装置的后段，相对该电路板输送装置设置有第二蚀刻液喷洒单元，该第二蚀刻液喷洒单元对电路板的蚀刻面喷洒第二蚀刻液，且该线路修饰蚀刻槽的蚀刻速度慢于该线路成型蚀刻槽的蚀刻速度。
[0009]进一步的，所述的该线路修饰蚀刻槽的蚀刻速度慢于该线路成型蚀刻槽的蚀刻速度是由于，该第二蚀刻液的蚀刻速度慢于该第一蚀刻液的蚀刻速度；或者，所述的该线路修饰蚀刻槽的蚀刻速度慢于该线路成型蚀刻槽的蚀刻速度是由于，该第二蚀刻液喷洒单元的喷洒流量小于该第一蚀刻液喷洒单元的喷洒流量，且该第二蚀刻液喷洒单元产生的板面冲击力大于该第一蚀刻液喷洒单元产生的板面冲击力。
[0010]进一步的，该线路成型蚀刻槽于该电路板输送装置上方设置有第一蚀刻液吸取单
元，该线路修饰蚀刻槽于该电路板输送装置上方设置有第二蚀刻液吸取单元；其中，该第一蚀刻液喷洒单元于该电路板输送装置上方与下方皆设置有多个第一蚀刻液喷嘴，借第一蚀刻液泵自该线路成型蚀刻槽底部抽取第一蚀刻液，再由第一蚀刻液输送管将第一蚀刻液输送至各个第一蚀刻液喷嘴；该第二蚀刻液喷洒单元于该电路板输送装置上方与下方皆设置有多个第二蚀刻液喷嘴，借第二蚀刻液泵自该线路修饰蚀刻槽底部抽取第二蚀刻液，再由第二蚀刻液输送管将第二蚀刻液输送至各个第二蚀刻液喷嘴；该第一蚀刻液吸取单元于该电路板输送装置上方设置有多个第一蚀刻液吸嘴，借第一蚀刻液泵令第一蚀刻液吸取管上的第一射出器产生吸取负压，再由第一蚀刻液吸取管和各个第一蚀刻液吸嘴将电路板表面的第一蚀刻液吸取回该线路成型蚀刻槽底部；该第二蚀刻液吸取单元于该电路板输送装置上方设置有多个第二蚀刻液吸嘴，借第二蚀刻液泵令第二蚀刻液吸取管上的第二射出器产生吸取负压，再由第二蚀刻液吸取管和各个第二蚀刻液吸嘴将电路板表面的第二蚀刻液吸取回该线路修饰蚀刻槽底部。
[0011]进一步的，令位于该线路修饰蚀刻槽后段的第二蚀刻液喷嘴为混合高压气的第二蚀刻液喷嘴，由高压气输送管将来自高压气源的高压气输送至各个混合高压气的第二蚀刻液喷嘴，让喷洒出的第二蚀刻液颗粒因混合高压气而更小且提高板面冲击力；其中，第二蚀刻液混合高压气的喷洒量于第二蚀刻液喷洒总量的占比至少为60％，且该线路修饰蚀刻槽的蚀刻行程为该线路成型蚀刻槽的蚀刻行程的20～100％。
[0012]另外，本专利技术提供一种提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻方法，是令电路板线路蚀刻过程先进行线路成型蚀刻阶段再进行线路修饰蚀刻阶段，且线路修饰蚀刻阶段的蚀刻速度慢于线路成型蚀刻阶段的蚀刻速度。
[0013]进一步的，所述的线路修饰蚀刻阶段的蚀刻速度慢于线路成型蚀刻阶段的蚀刻速度是由于，线路修饰蚀刻阶段所喷洒蚀刻液的蚀刻速度慢于线路成型蚀刻阶段所喷洒蚀刻液的蚀刻速度；或者，所述的线路修饰蚀刻阶段的蚀刻速度慢于线路成型蚀刻阶段的蚀刻速度是由于，线路修饰蚀刻阶段所喷洒蚀刻液的喷洒流量小于线路成型蚀刻阶段所喷洒蚀刻液的喷洒流量，且线路修饰蚀刻阶段采用的板面冲击力大于线路成型蚀刻阶段采用的板面冲击力。
[0014]进一步的，电路板采用水平横向输送，并实时吸取电路板表面的蚀刻液，且线路修饰蚀刻阶段的后段所喷洒蚀刻液混合有高压气；其中，线路修饰蚀刻阶段蚀刻液混合高压气的蚀刻液喷洒量，占线路修饰蚀刻阶段的整个蚀刻液喷洒量的至少60％，且线路修饰蚀刻阶段的蚀刻行程为线路成型蚀刻阶段的蚀刻行程的20～100％。
附图说明
[0015]图1是本专利技术提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置的结构示意图。
[0016]符号说明：
[0017]10 电路板输送装置
[0018]20 电路板
[0019]30 线路成型蚀刻槽
[0020]40 第一蚀刻液喷洒单元
[0021]41 第一蚀刻液喷嘴
[0022]42 第一蚀刻液泵
[0023]43 第一蚀刻液输送管
[0024]50 第一蚀刻液吸取单元
[0025]51 第一蚀刻液吸嘴
[0026]52 第一蚀刻液吸取管
[0027]53 第一射出器
[0028]60 线路修饰蚀刻槽
[0029]70 第二蚀刻液喷洒单元
[0030]71 第二蚀刻液喷嘴
[0031]71a 混合高压气的第二蚀刻液喷嘴
[0032]72 第二蚀刻液泵
[0033]73 第二蚀刻液输送管
[0034]74 高压气输送管
[0035]75 高压气源
[0036]80 第二蚀刻液吸取单元
[0037]81 第二蚀刻液吸嘴
[0038]82 第二蚀刻液吸取管
[0039]83 第二射出器
具体实施方式
[0040]下面结合具体实施例来进一步描述本专利技术，本专利技术的优点和特点将会随着描述而更为清楚。但这些实施例仅是范例性的，并不对本专利技术的范围构成任何限制。本领域技术人员应该理解的是，在不偏离本专利技术的精神和范围下可以对本专利技术技术方案的细节和形式本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置，其特征在于，包括有：一电路板输送装置，横向输送待蚀刻的电路板；一线路成型蚀刻槽，设置于该电路板输送装置的前段，相对该电路板输送装置设置有第一蚀刻液喷洒单元，该第一蚀刻液喷洒单元对电路板的蚀刻面喷洒第一蚀刻液；以及一线路修饰蚀刻槽，设置于该电路板输送装置的后段，相对该电路板输送装置设置有第二蚀刻液喷洒单元，该第二蚀刻液喷洒单元对电路板的蚀刻面喷洒第二蚀刻液，且该线路修饰蚀刻槽的蚀刻速度慢于该线路成型蚀刻槽的蚀刻速度。2.如权利要求1所述提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置，其特征在于，所述的该线路修饰蚀刻槽的蚀刻速度慢于该线路成型蚀刻槽的蚀刻速度是由于，该第二蚀刻液的蚀刻速度慢于该第一蚀刻液的蚀刻速度；或者，所述的该线路修饰蚀刻槽的蚀刻速度慢于该线路成型蚀刻槽的蚀刻速度是由于，该第二蚀刻液喷洒单元的喷洒流量小于该第一蚀刻液喷洒单元的喷洒流量，且该第二蚀刻液喷洒单元产生的板面冲击力大于该第一蚀刻液喷洒单元产生的板面冲击力。3.如权利要求1或2所述提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置，其特征在于，该线路成型蚀刻槽于该电路板输送装置上方设置有第一蚀刻液吸取单元，该线路修饰蚀刻槽于该电路板输送装置上方设置有第二蚀刻液吸取单元。4.如权利要求3所述提高蚀刻因子的电路板线路蚀刻装置，其特征在于，该第一蚀刻液喷洒单元于该电路板输送装置上方与下方皆设置有多个第一蚀刻液喷嘴，借第一蚀刻液泵自该线路成型蚀刻槽底部抽取第一蚀刻液，再由第一蚀刻液输送管将第一蚀刻液输送至各个第一蚀刻液喷嘴；该第二蚀刻液喷洒单元于该电路板输送装置上方与下方皆设置有多个第二蚀刻液喷嘴，借第二蚀刻液泵自该线路修饰蚀刻槽底部抽取第二蚀刻液，再由第二蚀刻液输送管将第二蚀刻液输送至各个第二蚀刻液喷嘴；该第一蚀刻液吸取单元于该电路板输送装置上方设置有多个第一蚀刻液吸嘴，借第一蚀刻液泵令第一蚀刻液吸取管上的第一射出器产生吸取负压，再由第一蚀刻液吸取管和各个第一蚀刻液吸嘴将电路板表面的第一蚀刻液吸取回该线路成型蚀刻槽底部；该第二蚀刻液吸取单元于该...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕智群，吕智偉，
申请(专利权)人：登泰电路机械股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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