一种混合导通机制二极管制造技术

本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。抗单粒子辐照性能。抗单粒子辐照性能。

【技术实现步骤摘要】
一种混合导通机制二极管


[0001]本专利技术涉及功率半导体器件领域，尤其涉及一种混合导通机制二极管。

技术介绍

[0002]超级势垒整流器(Super Barrier Rectifier，SBR)，最早于2007年由美国APD公司工程师提出。SBR由上层金属(metal)作为阳极，下层衬底(N+substrate)连接阴极，在阳极和阴极之间整合并联PN结二极管(PIN)和MOS晶体管来形成整流器件；其正向开启电压可以通过调节MOS栅的阈值电压而灵活的控制，反向耐压和漏电水平利用了PN结反向偏置特性。从而，SBR由于其利用了不同于常规PIN和肖特基二极管(Schottky barrier diode，SBD，)器件的工作原理，能够同时获得较低正向导通压降，较小反向漏电水平，较高温度稳定性和较短恢复时间的整流器特性。
[0003]肖特基接触超势垒整流器(SSBR)是在超级势垒整流器(SBR)基础上进行了改进，SSBR具有常规SBR的优点，并在阳极和阴极之间通过肖特基接触整合并联的PIN二极管和MOS沟道来形成整流器件，其正向开启电压可以通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混合导通机制二极管，其特征在于，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。2.根据权利要求1所述的混合导通机制二极管，其特征在于，所述阳极结构包括：栅氧化层，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，且所述栅氧化层分别接触所述第一导电类型漂移区和所述第二导电类型体区；第一导电类型多晶硅层，其设置于所述栅氧化层背离所述第一导电类型漂移区的一侧；金属阳极区，其跨接在所述栅氧化层和所述第一导电类型多晶硅层上，所述金属阳极区与所述第二导电类型体区形成肖特基接触；其中，在正向导通时，所述栅氧化层和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向涛，张澳航，张成方，陈文锁，王航，张力，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：