半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，其将封装芯片设置在基底布线组合层上，将塑封体包覆在封装芯片外，同时在基底布线组合层的另一侧设置第一保护层，该第一保护层上设置有第一开口，并且在第一保护层的外侧设置焊球。相较于现有技术，本发明专利技术通过额外增设第一保护层，且第一保护层能够覆盖基底布线组合层，焊球覆盖第一开口，从而使得第一保护层能够避免外部水汽进入到基底布线组合层，从而防止内部的介质层吸水，进而避免了内部分层或裂纹等问题，并防止出现漏电流。此外，通过设置第一保护层，能够提升基底布线组合层的结构强度，进而减小塑封体翘曲带来的影响。进而减小塑封体翘曲带来的影响。进而减小塑封体翘曲带来的影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，具体而言，涉及一种半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，扇出型晶圆级封装(FOWLP)结构广泛应用于半导体行业中。常规的扇出型晶圆封装一般采用从晶圆切下单个芯片，然后到封装一个载体晶圆上，主要优势为高密度集成，封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等。扇出型晶圆芯片封装过程中，容易存在塑封翘曲问题，并且扇出型晶圆封装产品的厚度较小，塑封体翘曲影响较大。
[0003]并且为了满足高散热性能等，扇出型晶圆封装通常采用介质层作为布线层(聚酰亚胺)的衬底材料以及在其衬底材料上制作锡球，然而由于其聚酰亚胺Polyimide材质极其容易吸水,从而导致其水分子进入封装芯片结构内部，在可靠性测试(高温高湿环境)存在封装芯片内部分层或者裂纹等问题。同时由于介质层容易吸水从而导致产品的超低介电常数(Extreme Low k，ELK)异常，从而使其介质层出现漏电流。现提供一种晶圆级重新布线扇出封装结构(wafer本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基底布线组合层；封装芯片，所述封装芯片设置在所述基底布线组合层上，并与所述基底布线组合层电连接；第一保护层，所述第一保护层设置在所述基底布线组合层远离所述封装芯片的一侧表面，且所述第一保护层上设置有第一开口；焊球，所述焊球设置在所述第一保护层远离所述封装芯片的一侧，并覆盖所述第一开口，且所述焊球与所述基底布线组合层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括塑封体，所述塑封体设置在所述基底布线组合层上，并包覆在所述封装芯片外。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基底布线组合层包括介质层和布线金属层，所述第一保护层设置在所述介质层的一侧表面，所述封装芯片设置在所述介质层的另一侧，所述布线金属层设置在所述介质层内，所述介质层靠近所述封装芯片的一侧还设置有导电胶层，所述封装芯片靠近所述基底布线组合层的一侧设置有芯片导电柱，所述芯片导电柱伸入所述导电胶层，并与所述导电胶层电连接，所述导电胶层与所述布线金属层电连接。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基底布线组合层内还设置有布线导电柱，所述布线导电柱朝向远离所述封装芯片的方向伸出所述基底布线组合层，并部分穿出所述第一保护层，所述焊球包覆于所述布线导电柱穿出所述第一保护层的部分。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基底布线组合层远离所述焊球的一侧表面还设置有第二保护层，所述塑封体设置在所述第二保护层上，所述第二保护层上设置有第二开口，所述第二开口与所述导电胶层对应，所述芯片导电柱穿过所述第二开口并伸入所述导电胶层。6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二开口的宽度小于所述导电胶层的宽度。7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二开口的宽度大于所述芯片导电柱的宽度。8.根据权利要求5或7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装芯片与所述第二保护层之间还设置有填充胶层，所述第二保护层上还设置有贯通至所述介质层的第三开口，所述填充胶层延伸至所述第三开口，并与所述介质层接触。9.根据权利要求4所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：何正鸿，高源，宋祥祎，李利，
申请(专利权)人：甬矽半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：