【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及芯片测试方法
[0001]本专利技术涉及芯片测试领域,更具体地说,涉及一种芯片封装结构及芯片测试方法。
技术介绍
[0002]温度是影响芯片性能的重要指标,很多芯片的性能参数都与温度密切相关。因此,在芯片测试过程中,需要记录在不同测试条件下芯片的温度。
[0003]目前,大多数厂家在晶圆热设计验证完成后,需将晶圆切割成晶粒(裸晶)、并将裸晶塑封成芯片再提供给使用者,使用者并不了解晶圆的热设计验证的实际情况,而塑封后的芯片无法准确的测得裸晶的热设计温度,只能从厂家获得裸晶热设计验证结果。
[0004]若使用者要测试裸晶温度,需将芯片的塑封层拆卸,而该种方式容易将芯片损坏,且工艺成本较高。若不拆除塑封层,则只能通过热阻测试,而热阻测试的准确性依赖于热阻参数的准确性,以及功耗和环境温度测量的准确性,通常无法进行精确的温度测量。
技术实现思路
[0005]本专利技术要解决的技术问题在于,针对上述塑封后芯片测试繁琐、热阻测试准确性不高的问题,提供一种芯片封装结构及芯片测试方法。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:印刷线路板,包括相背的第一表面和第二表面,且所述第二表面具有焊盘;裸晶,包括焊脚,所述裸晶固定在所述印刷线路板的第二表面,且所述裸晶的焊脚与所述印刷线路板第二表面的焊盘电连接;塑封层,位于所述印刷线路板的第二表面并包裹所述裸晶;所述塑封层的顶面具有第一凹槽,所述第一凹槽在平行于第二表面的截面的尺寸大于温度传感器的截面的尺寸,且所述第一凹槽在所述印刷线路板的第二表面的正投影与所述裸晶在所述印刷线路板的第二表面的正投影至少部分重合;所述第一凹槽的底璧与所述裸晶的顶面之间具有第一保护层,且所述第一保护层的传热阻小于0.08m2·
K/W。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二保护层的厚度在0.4
‑
3mm之间。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封层由掺杂有绝缘导热填充物的环氧树脂构成,且所述绝缘导热填充物的导热系数为20
‑
200W/(m
·
K);所述第一保护层与塑封层一体。4.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一保护层由第一金属片构成,所述第一金属片的导热系数为250
‑
450W/(m
·
K),且所述第一金属片与所述裸晶的顶面之间填充有由导热胶构成的第一导热层。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一凹槽的开口处具有第一填充层,所述第一填充层覆盖第一凹槽的开口,且所述第一填充层与所述第一凹槽的侧壁间的连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖浩,秦明跃,李文俊,
申请(专利权)人:深圳宏芯宇电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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