半导体器件的制作方法技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法。提供半导体衬底，所述半导体衬底的各个元胞中分别形成有栅极结构，所有所述栅极结构的长度延伸方向相同；向位于所有所述栅极结构的宽度方向第一侧的半导体衬底中第一源漏端进行第一离子注入，在所述第一源漏端形成第一晕环区；所述第一晕环区与所述栅极结构交叠；向位于所有所述栅极结构的宽度方向第二侧的半导体衬底中第二源漏端进行第二离子注入，在所述第二源漏端形成第二晕环区；所述第二晕环区与所述栅极结构交叠。构交叠。构交叠。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种半导体器件的制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件栅极结构宽度的不断减小，该栅极结构下方的沟道长度也在不断减小，沟道长度的减小增加了器件的热电子效应，不利于器件的寿命。在40nm技术节点中，降低器件功耗有利于提高器件集成度和减小热电子效应，通过降低泄露电流(I
off
)是实现超低功耗的一种重要办法。
[0003]相关技术通过使得器件的饱和电流(I
dsat
)达到要求以保证器件的开关速度，但是当器件的饱和电流(Idsat)达到要求时，泄漏电流(Ioff)会偏大。
[0004]因此如何在保证饱和电流(I
dsat
)的同时降低泄露电流(I
off
)成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种半导体器件的制作方法，可以解决如何在保证饱和电流的同时降低泄露电流相关技术中问题。
[0006]为了解决
技术介绍
中所述的技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的各个元胞中分别形成有栅极结构，所有所述栅极结构的长度延伸方向相同；向位于所有所述栅极结构的宽度方向第一侧的半导体衬底中第一源漏端进行第一离子注入，在所述第一源漏端形成第一晕环区；所述第一晕环区与所述栅极结构交叠；向位于所有所述栅极结构的宽度方向第二侧的半导体衬底中第二源漏端进行第二离子注入，在所述第二源漏端形成第二晕环区；所述第二晕环区与所述栅极结构交叠。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述向位于所有所述栅极结构的宽度方向第一侧的半导体衬底中第一源漏端进行第一离子注入，在所述第一源漏端形成第一晕环区的步骤，包括：以20
°
至40
°
离子注入倾斜角度，向位于所有所述栅极结构的宽度方向第一侧的半导体衬底中第一源漏端进行第一离子注入，在所述第一源漏端形成第一晕环区。3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，通过2E13 atom/cm2至3E13 atom/cm2离子注入剂量，25KeV至35KeV能量，向位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李美娟，肖敬才，徐丰，黄鹏，郭振强，房子荃，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：