一种评估离子注入工艺的监测方法技术

本发明专利技术提供了一种评估离子注入工艺的监测方法，包括：提供晶圆衬底，在所述晶圆衬底表面依次形成二氧化硅层和多晶硅层，形成离子注入的陪片；将若干陪片和待检测的正片一同完成离子注入工艺，对所述陪片进行激活退火；对不同陪片刻蚀至不同厚度，获取不同厚度的方阻监测数据；获取相同离子注入工艺条件下的基准样品以及对应的基准方阻值；根据陪片多晶硅层中不同厚度的方阻监测数据与基准方阻值的偏差，评估待检测的正片在相同离子注入工艺条件下不同时间和批次间的偏差及判定结果。本发明专利技术实现了生产现场便捷对离子注入品质的评估与控制，并解决了一些量测所需加工工艺对待检测的正片带来的不利影响。正片带来的不利影响。正片带来的不利影响。

【技术实现步骤摘要】
一种评估离子注入工艺的监测方法


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，特别涉及一种评估离子注入工艺的监测方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，离子注入工艺的稳定性对器件性能有至关重要的影响。为了评估离子注入之后的结果，方阻测量是一个常用的评估方法；但该方法只能笼统地评估离子注入所得的总体影响，无法获得离子注入厚度方向中能量和剂量的影响信息，存在一定的局限性。利用带电极的二氧化硅和多晶复合结构，通过测量离子注入后总体电阻的变化来判定注入能量的影响，但是又无法单独确定各层的电阻来体现注入剂量带来的影响大小。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有技术中的不足，提供了一种评估离子注入工艺的监测方法。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案包括：
[0005]一种评估离子注入工艺的监测方法，包括如下步骤：
[0006]提供晶圆衬底，在所述晶圆衬底表面依次形成二氧化硅层和多晶硅层，形成离子注入的陪片；
[0007]将若干陪片和待检测的正片一同完成离子注入工艺，对所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种评估离子注入工艺的监测方法，其特征在于，包括如下步骤：提供晶圆衬底，在所述晶圆衬底表面依次形成二氧化硅层和多晶硅层，形成离子注入的陪片；将若干陪片和待检测的正片一同完成离子注入工艺，对所述陪片进行激活退火；对不同陪片刻蚀至不同厚度，确认不同陪片的多晶硅厚度并测量对应的方阻，获取不同厚度的方阻监测数据；获取相同离子注入工艺条件下的基准样品以及不同厚度的半导体测试材料层对应的基准方阻值；根据陪片多晶硅层中不同厚度的方阻监测数据与基准方阻值的偏差，评估待检测的正片在相同离子注入工艺条件下不同时间和批次间的偏差及判定结果。2.根据权利要求1所述一种评估离子注入工艺的监测方法，其特征在于，还包括：采用SRIM仿真获取相同离子注入工艺条件下的峰值浓度的深度Rp，其中，多晶硅厚度不小于Rp
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120％。3.根据权利要求1所述一种评估离子注入工艺的监测方法，其特征在于，所述二氧化硅层通过热氧化或化学气相沉积的方法形成。4.根据权利要求3所述一种评估离子注入工艺的监测方法，其特征在于，所述二氧化硅层厚度为50nm
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300nm。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭学仕，任娜，盛况，徐弘毅，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：