一种基于延展栅MOSFET的细胞膜电位传感器及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种基于延展栅MOSFET的细胞膜电位传感器及其应用，涉及传感器领域。本发明专利技术传感器具有以下优点：1)灵敏度高，加入体接触电极调制阈值电压，增强了对电阻对细胞膜电位的敏感度；2)器件尺寸小，CMOS等比例微缩技术同样适用于细胞膜电位传感器的制备，有利于更新迭代；3)与集成电路制造工艺兼容，能够采用目前广泛使用的半导体工艺在芯片制造的同时进行传感器的集成；4)初始电阻可调范围大，可以充分适应后续读出电路的设计。因此基于延展栅MOSFET制备的细胞膜电位传感器具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器领域，具体涉及一种基于延展栅mosfet的细胞膜电位传感器及其应用。

技术介绍

1、细胞是生物体的基本组成单元。细胞外围有一层主要由液态脂质双分子层和蛋白质组成的细胞膜，将细胞与胞外环境分隔开。细胞膜两侧的离子浓度分布不均匀，如多数动物细胞内na+、cl-、ca2+等离子浓度低于胞外浓度，而k+浓度高于胞外浓度，这导致膜两侧存在电位差，称为细胞的膜电位。膜电位可分为静息电位和动作电位。当细胞未受到外来刺激且保持正常的新陈代谢时，其膜电位表现为外正内负，即细胞膜内较细胞膜外为负值，且电位差稳定在某一相对恒定的水平，称为细胞的静息电位；当细胞受到刺激时，在静息电位的基础上会发生短暂的电位变化，包括一个上升相和一个下降相，这种电位变化称为细胞的动作电位。由于膜电位反映了细胞膜离子通道的通闭、离子的转运等等，在神经信息传递、生命调控、细胞通讯等一系列生命过程中起着重要的作用，因此，细胞膜电位检测技术的研究具有重大意义。

2、细胞膜电位传感器以活体细胞为研究对象，分析细胞的膜电位在外界光、电或药物刺激下的行为，可在很大程度上拓宽目前生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于延展栅MOSFET的细胞膜电位传感器，其特征在于，包括衬底，衬底上设有体扩散区、源扩散区和漏扩散区，所述源扩散区和漏扩散区之间形成氧化层，氧化层表面形成栅极金属电极，所述细胞膜电位传感器还包括从所述栅极金属电极引出的延展栅金属电极，

2.根据权利要求1所述基于延展栅MOSFET的细胞膜电位传感器，其特征在于，所述衬底的材料为以下至少一种：硅衬底、锗衬底、砷化镓衬底。

3.根据权利要求2所述基于延展栅MOSFET的细胞膜电位传感器，其特征在于，所述体扩散区通过在衬底对应区域进行p型掺杂形成；

4.根据权利要求2所述基于延展栅MOSFET的细胞...

【技术特征摘要】

1.一种基于延展栅mosfet的细胞膜电位传感器，其特征在于，包括衬底，衬底上设有体扩散区、源扩散区和漏扩散区，所述源扩散区和漏扩散区之间形成氧化层，氧化层表面形成栅极金属电极，所述细胞膜电位传感器还包括从所述栅极金属电极引出的延展栅金属电极，

2.根据权利要求1所述基于延展栅mosfet的细胞膜电位传感器，其特征在于，所述衬底的材料为以下至少一种：硅衬底、锗衬底、砷化镓衬底。

3.根据权利要求2所述基于延展栅mosfet的细胞膜电位传感器，其特征在于，所述体扩散区通过在衬底对应区域进行p型掺杂形成；

4.根据权利要求2所述基于延展栅mosfet的细胞膜电位传感器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张睿，张心怡，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：