一种裸芯片通用测试装置制造方法及图纸

本技术公开了一种裸芯片通用测试装置，包括盖板和腔体，腔体设有芯片安装区和钼铜垫片，裸芯片通过钼铜垫片安装于所述芯片安装区，所述腔体设有穿过腔体侧壁的第一同轴微带连接器、第二同轴连接器和加电绝缘子；裸芯片的两侧设有第一微带线和第二微带线，第一微带线一端连接裸芯片的输入端键合点、另一端连接第一同轴微带连接器，第二微带线的一端连接裸芯片的输出端键合点、另一端连接第二同轴微带连接器。本技术的装置通过将芯片粘接或焊接于钼铜垫片上，使芯片射频接地良好，且能够提高芯片散热能力，整个装置可以有效防止电磁辐射，提供较好的电参数测试环境。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及射频信号处理，具体涉及一种裸芯片通用测试装置。

技术介绍

1、对于大多砷化镓和氮化镓裸芯片的测试，厂家大多使用探针台。由于探针台价格昂贵，对芯片使用者来说，要在满足实际需求的芯片测试环境下得到需要的性能曲线，需要芯片使用者，设计测试夹具，对芯片进行测试。同时由于砷化镓芯片和氮化镓芯片，材质较脆，如果既要满足芯片牢固接地等射频要求，又要对其进行金丝压焊，因此不能采用封装芯片的测试夹具。

技术实现思路

1、技术目的：为了解决现有技术问题，本专利技术提出了一种裸芯片通用测试装置，本技术的装置通过将芯片粘接或焊接于钼铜垫片上，使芯片射频接地良好，且能够提高芯片散热能力，整个装置可以有效防止电磁辐射，提供较好的电参数测试环境，可以更准确、更安全地进行裸芯片射频性能测试。

2、技术方案：为实现上述技术目的，本技术采用了如下技术方案：

3、一种裸芯片通用测试装置，用于测试裸芯片，所述测试装置包括盖板和腔体，腔体的内部设有芯片安装区和钼铜垫片，裸芯片通过钼铜垫片安装于所述芯片安装区，所述腔体设有穿过腔体侧壁的第一同轴微带连接器、第二同轴连接器和加电绝缘子；所述盖板覆盖在腔体上；

4、所述裸芯片的两侧设有第一微带线和第二微带线，所述第一微带线的一端通过键合金丝连接裸芯片的输入端键合点、另一端连接第一同轴微带连接器的位于腔体内的微带线连接端；所述第二微带线的一端通过键合金丝连接裸芯片的输出端键合点、另一端连接第二同轴微带连接器的位于腔体内的微带线连接端；</p>

5、所述第一同轴微带连接器和第二同轴微带连接器的同轴线连接端位于腔体外部，分别作为测试装置的测试信号输入端和输出端；所述加电绝缘子的一端连接裸芯片的电源输入端、另一端连接外部电源。

6、作为优选，所述裸芯片通过导电胶粘接方式或共晶焊方式安装到钼铜垫片上，钼铜垫片采用微波装配工艺安装到所述芯片安装区。

7、作为优选，所述钼铜垫片的厚度为0.1mm，长和宽各分别比裸芯片的尺寸大出0.1mm。

8、作为优选，所述盖板上设有若干螺钉，通过螺钉将盖板紧固在腔体上。

9、有益效果：由于采用了上述技术方案，本技术具有如下有益效果：

10、本技术的装置采用钼铜垫片，提高芯片散热能力，将芯片导电胶粘接或共晶焊焊接于钼铜垫片上，使芯片射频接地良好，螺钉将盖板与腔体紧紧结合在一起，可以有效防止电磁辐射，进行良好的电磁屏蔽。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种裸芯片通用测试装置，用于测试裸芯片(8)，其特征在于：所述测试装置包括盖板(2)和腔体(3)，腔体(3)设有芯片安装区和钼铜垫片(7)，裸芯片(8)通过钼铜垫片(7)安装于所述芯片安装区，所述腔体(3)设有穿过腔体(3)侧壁的第一同轴微带连接器(4)、第二同轴连接器(5)和加电绝缘子(6)；所述盖板(2)覆盖在腔体(3)上；

2.根据权利要求1所述的一种裸芯片通用测试装置，其特征在于：所述裸芯片(8)通过导电胶粘接方式或共晶焊方式安装到钼铜垫片(7)上，钼铜垫片(7)采用微波装配工艺安装到所述芯片安装区。

3.根据权利要求1所述的一种裸芯片通用测试装置，其特征在于：所述钼铜垫片(7)的厚度为0.1mm，长和宽各分别比裸芯片(8)的尺寸大出0.1mm。

4.根据权利要求1所述的一种裸芯片通用测试装置，其特征在于：所述盖板(2)上设有若干螺钉(1)，通过螺钉(1)将盖板(2)紧固在腔体(3)上。

【技术特征摘要】

1.一种裸芯片通用测试装置，用于测试裸芯片(8)，其特征在于：所述测试装置包括盖板(2)和腔体(3)，腔体(3)设有芯片安装区和钼铜垫片(7)，裸芯片(8)通过钼铜垫片(7)安装于所述芯片安装区，所述腔体(3)设有穿过腔体(3)侧壁的第一同轴微带连接器(4)、第二同轴连接器(5)和加电绝缘子(6)；所述盖板(2)覆盖在腔体(3)上；

2.根据权利要求1所述的一种裸芯片通用测试装置，其特征在于：所述裸芯片(8)...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈春雷，
申请(专利权)人：南京鼎仪电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：