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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法。提供半导体衬底，所述半导体衬底的各个元胞中分别形成有栅极结构，所有所述栅极结构的长度延伸方向相同；向位于所有所述栅极结构的宽度方向第一侧的半导体衬底中第一源漏端进行第一...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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