磁存储单元结构及存储器制造技术

本发明专利技术涉及一种磁存储单元结构及存储器，该磁存储单元结构包括复合底电极，以及设置于复合底电极上的磁隧道结，磁隧道结包括层叠的反铁磁层、自由层、势垒层与参考层。复合底电极包括：第一重金属层；第一铁磁层，层叠于第一重金属层上；第二重金属层，层叠于第一铁磁层背向第一重金属层的一侧；其中，第一重金属层与第二重金属层的自旋霍尔角符号相反。上述磁存储单元结构及存储器，第一重金属层与第二重金属层的自旋霍尔角方向相反，具有较高的自旋流转换效率，能够较高效的翻转第一铁磁层的磁矩，随后通过与自由层之间的耦合带动自由层的翻转，从而以较低的功耗完成数据的写入。从而以较低的功耗完成数据的写入。从而以较低的功耗完成数据的写入。

【技术实现步骤摘要】
磁存储单元结构及存储器


[0001]本专利技术涉及磁性电子器件
，特别是涉及一种磁存储单元结构及存储器。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，对信息存储的要求不断增加，信息存储技术面临着日益严峻的挑战。磁存储器(MagneticRandomAccessMemory，MRAM)是存储技术的主要选择之一。
[0003]利用反铁磁和铁磁的本征交换偏置作用进行信息存储的磁存储器(EB
‑
MRAM)的基本存储单元结构为“重金属、反铁磁层、自由层、氧化物势垒层与参考层”多层膜结构。反铁磁与自由层之间存在交换偏置作用，交换偏置的翻转主要依靠反铁磁磁化方向的翻转，而反铁磁翻转的主要过程包括重金属中自旋流以及焦耳热效应对反铁磁磁矩的扰动。由于反铁磁磁矩的各向异性较强，具有较强的稳定性，从而翻转反铁磁所需的电流较大，造成较高的数据写入功耗。因此，如何降低翻转反铁磁所需的电流对于降低EB
‑
MRAM的数据写入功耗尤为关键。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁存储单元结构，其特征在于，包括复合底电极，以及设置于所述复合底电极上的磁隧道结，所述磁隧道结包括层叠的反铁磁层、自由层、势垒层与参考层，所述复合底电极包括：第一重金属层；第一铁磁层，层叠于所述第一重金属层上；第二重金属层，层叠于所述第一铁磁层背向所述第一重金属层的一侧；其中，所述第一重金属层与第二重金属层的自旋霍尔角符号相反。2.根据权利要求1所述的磁存储单元结构，其特征在于，所述磁隧道结还包括第二铁磁层，所述第二铁磁层层叠于所述反铁磁层背向所述自由层的一侧。3.根据权利要求2所述的磁存储单元结构，其特征在于，所述第二铁磁层采用的材料为铁磁金属或铁磁合金。4.根据权利要求1所述的磁存储单元结构，其特征在于，所述复合底电极还包括第三重金属层与第三铁磁层，所述第三重金属层层叠于所述第一重金属层背向所述第一铁磁层的一侧，所述第三铁磁层层叠于所述第三重金属层背向所述第一重金属层的一侧。5.根据权利要求4所述的磁存储单元结构，其特征在于，所述第三重金属层与第二重金属层的材料相同，所述第三铁磁层与第一铁磁层的材料相同。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的磁存储单元结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊丹荣，刘宏喜，曹凯华，王戈飞，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：