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本发明涉及一种磁存储单元结构及存储器，该磁存储单元结构包括复合底电极，以及设置于复合底电极上的磁隧道结，磁隧道结包括层叠的反铁磁层、自由层、势垒层与参考层。复合底电极包括：第一重金属层；第一铁磁层，层叠于第一重金属层上；第二重金属层，层叠于...
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