一种无场翻转SOT-MRAM的制造方法技术

本申请实施例涉及磁性存储器技术领域，尤其涉及一种无场翻转SOT

【技术实现步骤摘要】
一种无场翻转SOT
‑
MRAM的制造方法


[0001]本申请实施例涉及磁性存储器
，尤其涉及一种无场翻转SOT
‑
MRAM的制造方法。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器(MagnetoresistiveRandomAccessMemory，MRAM)是一种非易失性的存储器，它拥有静态随机存储器的高速读取写入能力，以及动态随机存储器的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAR的主体结构由三层结构的磁隧道结(MagneticTunnelJunction，MTJ)构成，包括：自由层、固定层和夹在二者中间的氧化层，自由层和固定层通常由磁性材料组成，氧化层通常由氧化物组成，MRAM利用自由层和固定层磁矩方向来存储信息，自由层和固定层磁矩方向为平行状态时，电流容易从固定层通过自由层，电阻为低阻；非平行状态时，电阻为高阻，通过翻转自由层的磁矩方向来实现存储单元的写入。
[0003]SOT
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MRAM(自旋轨道矩磁性随机存储器)实现了读写分离，当对底层重金属注入电荷流，基于自旋霍尔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无场翻转SOT
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MRAM存储器制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，在衬底中制作多个导通孔；在衬底的上表面刻蚀导通孔，使导通孔侧壁倾斜；在衬底上沉积SOT层，并进行化学机械抛光；在SOT层上依次沉积自由层、氧化层和固定层，并刻蚀，自由层、氧化层和固定层形成磁隧道结；在多个磁隧道结之间以及多个磁隧道结之上沉积层间电介质层；在层间电介质层中沉积金属电极，得到SOT
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MRAM存储器。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底中制作多个导通孔之后，还包括：采用氮化钽填充所述导通孔，并进行化学机械抛光。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底的上表面刻蚀导通孔，包括：使用碳氟比大于或者等于1比2的气体刻蚀导通孔，刻蚀得到的导通孔的斜面与衬底水平方向的夹角为0度到80度；或者，使用碳氟比小于或者等于1比2的气体刻蚀导通孔，或者...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙慧岩，秦颖超，商显涛，卢世阳，刘宏喜，曹凯华，王戈飞，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：