DRAM存储单元电路及DRAM存储器制造技术

本申请实施例提供了一种DRAM存储单元电路及DRAM存储器，包括第一晶体管，第一晶体管的源极接地，栅极寄生电容用于存储数据；第二晶体管，第二晶体管的源极接地，栅极寄生电容用于存储数据；第三晶体管，第三晶体管的漏极与第一位线电连接，源极与第一晶体管的漏极、第二晶体管的栅极电连接，栅极与字线电连接；第四晶体管，第四晶体管的漏极与第二位线电连接，源极与第二晶体管的漏极、第一晶体管的栅极电连接，栅极与字线电连接。设置第一晶体管和第二晶体管的锁存结构，提高了栅极对源漏通道的控制力，减少了晶体管在截止状态下的电荷漏失，降低了DRAM存储器刷新频率，从而具备更低的功耗。低的功耗。低的功耗。

【技术实现步骤摘要】
DRAM存储单元电路及DRAM存储器


[0001]本技术涉及电子
，尤其涉及一种DRAM存储单元电路及DRAM存储器。

技术介绍

[0002]传统的DRAM(Dynamic Random Access Memory动态随机存储器)单元由晶体管和电容器构成，但随着集成度的增加，电容基于无源器件的物理特性，随着其结构持续缩小，其电荷存储量持续降低，漏电过快，DRAM即将达到刷新频率的极限。
[0003]现有的3T1C(三个晶体管和一个电容器)或是传统1T1C(一个晶体管和一个独电容器)存储器单元都使用了电容器的设计，存在集成密度不够，在垂直方向难以进行扩展的问题，并且基于电容器存在漏电流的特性，DRAM存储单元需要经常刷新存储的数据，提高了存储器的功耗。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，为了至少解决上述问题，本技术实施例的第一方面提供了一种DRAM存储单元电路，该DRAM存储单元电路包括：
[0005]第一晶体管，上述第一晶体管的源极接地，上述第一晶体管的栅极寄生电容用于存储数据；/>[0006]第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DRAM存储单元电路，其特征在于，第一晶体管，所述第一晶体管的源极接地，所述第一晶体管的栅极寄生电容用于存储数据；第二晶体管，所述第二晶体管的源极接地，所述第二晶体管的栅极寄生电容用于存储数据；第一位线，第二位线，所述第一位线和第二位线用于传输数据；第三晶体管，所述第三晶体管的漏极与所述第一位线电连接，所述第三晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极电连接，所述第三晶体管的源极与所述第二晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的栅极与字线电连接；第四晶体管，所述第四晶体管的漏极与所述第二位线电连接，所述第四晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极电连接，所述第四晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极电连接，所述第四晶体管的栅极与所述字线电连接。2.根据权利要求1所述的DRAM存储单元电路，其特征在于，所述第三晶体管包括铟镓锌氧化物薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的DRAM存储单元电路，其特征在于，所述第四晶体管包括铟镓锌氧化物薄膜晶体管。4.根据权利要求1所述的DRAM存储单元电路，其特征在于，所述第三晶体管包括铟镓锌氧化物薄膜晶体管；所述第四晶体管包括铟镓锌氧化物薄膜晶体管。5.根据权利要求2所述的DRAM存储单元电路，其特征在于，所述第一晶体管包括铟镓锌氧化物薄膜晶体管。6.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪令飞，卢年端，王桂磊，赵超，李泠，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：新型
国别省市：