薄膜晶体管阵列构件和有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

一种薄膜晶体管（ＴＦＴ）阵列构件和有机发光显示装置及其制造方法。该方法通过采用由两步蚀刻工艺紧随的半色调掩膜，并通过与源电极、漏电极和像素电极的各层的形成同时形成电容器的各层，来寻求减少ＴＦＴ阵列构件的制造中所使用的掩膜的数目。结果，电容器的各层与源电极、漏电极和像素电极的各层中的相应层位于相同的水平并且由相同材料的制成。电容器具有由两个分开的介电层隔开的三个电极，从而在不增加电容器尺寸的情况下得到具有增加的电容的电容器。

【技术实现步骤摘要】
优先权要求本申请引用早先于2008年5月6日提交韩国知识产权局并被正式分配 序列号No. 10-2008-0041867的申请，要求该申请的所有权益，并将该申请 合并于此。
本申请涉及具有简化的制造工艺的薄膜晶体管(TFT)阵列构件、具有 TFT阵列构件的有机发光显示装置和制造用于平板显示器的TFT阵列构件 的方法。
技术介绍
包括诸如薄膜晶体管、电容器和连接电子元件的导线之类的电子元件的 TFT阵列构件被广泛用于诸如液晶显示装置和有机发光显示装置之类的平 板显示装置。 一般而言，为了形成包括TFT阵列构件的精细图案，使用其 上绘制有精细图案的掩膜将精细图案转移到基板。光刻工艺通常用于使用掩膜来转移图案。根据光刻工艺，光刻胶被均匀 地涂覆在待形成图案的基板上。在使用诸如步进机之类的曝光设备将掩膜上 的图案曝光之后，显影被曝光的光刻胶。在光刻胶被显影之后，执行诸如使 用剩余的光刻胶作为掩膜来蚀刻图案，然后去除不需要的光刻胶之类的 一 系 列工艺。在使用掩膜转移图案的过程中，由于需要具有必要图案的掩膜，因此随 着使用掩膜的工艺的数目增加，制造成本会因掩膜的准备而增加。而且，由 于需要上述复杂的工艺，因此总体制造工艺复杂，且制造时间增加，因而增 加了制造成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种可以使用较少的光刻掩膜制作而成的TFT阵列构件、 有机发光平板显示装置以及TFT阵列构件和有机发光平板显示装置的制造 方法，从而得到简化的且成本较低的制造工艺以及改进的设计。根据本专利技术的方面，提供一种TFT阵列构件，所述TFT阵列构件包括 基板；以图案布置在所述基板上的TFT的有源层和电容器的第一电极，所 述有源层和所述第一电极由相同的材^牛构成并且4皮此分开一距离，所述有源 层包括源区、漏区和沟道区；分开布置在所述有源层和所述第一电极上的第 一绝缘层；布置在所述第一绝缘层上的栅电极和第二电极，所述栅电极和所 述第二电极被布置在同一层上并且由相同的材料构成，所述栅电极被布置为 与所述有源层的沟道区相对应，所述第二电极4皮布置为与所述第一电极相对 应；布置在所述基板、所述第一绝缘层、所述栅电极和所述第二电极上的第 二绝缘层，所述第二绝缘层由用于暴露所述有源层的源区和漏区的接触孔穿 过；布置在所述接触孔内并分别提供与所迷有源层的源区和漏区的电连接的 源电极和漏电极；布置在所述第二绝缘层上并与所述源电极和所述漏电极之 一连接的像素电极；以及布置在所述第二绝缘层上与所述第二电极对应的位 置处的第三电极，所述第三电极由与所述源电极、所述漏电极和所述像素电 极中的每一个相同的材料构成。TFT阵列构件还可以包括布置在所述第二绝缘层、所述像素电极的边缘 部分、所述源电极和所述漏电极以及所述第三电极上的^f象素限定层。所述 TFT的有源层和所述电容器的第一电极由通过晶体化非晶硅而产生的多晶 硅构成。所述TFT的有源层的末端部分与所述TFT的第一绝缘层的末端部 分的形状相同。所迷电麥器的第一电极、第一绝缘层和第二电极中每一个的 末端部分的形状都相同。所述TFT阵列构件还可以包括布置在所述基板上 的緩冲层。所述第二绝缘层的厚度可以大于所述第一绝缘层的厚度。所述第 二绝缘层的顶面可以基本上是平的。所述像素电极可以包括透光材料。所述像素电极可以包括,人氧化铟锡UTO)、氧化铟锌(IZO) 、 ZnO和ln203 所组成的组中选^f奪的至少 一种材料。所述像素电极可以包括布置在所述第二绝缘层上的反射材料层和布置 在所述反射材料层上的透光材料层。所述像素电极的反射材料层可以包括从 Al、 AlNd、 ACX、 AlNiLa、 Ag、 Mo、 Ti和MoW所组成的组中选4奪的至少 一种材料。所述像素电极的透光材料层可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化 铟锌(IZO) 、 ZnO和111203所组成的组中选择的至少一种材料。所述电容 器的第三电极可以包括由与所述像素电极的反射材料层相同的材料构成的 第一层；由与所述像素电极的透光材料层相同的材料构成的第二层；和由与 所述源电极和所述漏电极的顶层相同的材料构成的第三层。所述电容器的第 三电极的第一层、第二层和第三层中每一层的末端部分的形状可以都相同。根据本专利技术的另一方面，提供一种有机发光显示装置，该有机发光显示 装置包括包括布置在以上所述的TFT阵列构件的像素电极上的有机发光 层的中间层；和布置在所述中间层上的公共电极。所述显示装置还可以包括 布置在所述第二绝缘层、所述像素电极的边缘、所述源电极和漏电极以及所 述第三电极上的像素限定层。所述显示装置还可以包括用于密封所述有机发 光层的密封结构，所述密封结构被布置在所述公共电极上。所述显示装置可 以是所述有机发光层内的光通过所述基板透射出去以被观看的底部发射显 示装置。所述像素电极可以包括布置在所述第二绝缘层上的反射材料层和 布置在所述反射材料层上的透光材料层。所述显示装置可以是所述有机发光 层内的光从所述基板离开以被观看的顶部发射显示装置。根据本专利技术的又一方面，提供一种制造TFT阵列构件的方法，该方法 包括在基板上形成半导体层；在所述半导体层上沉积第一绝缘层和第一导 电层；通过第一掩膜工艺同时图案化所述半导体层、所述第一绝缘层和所述 第一导电层，形成TFT的有源层、栅绝缘层和栅电极以及电容器的第一电 极、第一介电层和第二电极；在所述基板上沉积第二绝缘层；通过第二掩膜 工艺在所述第二绝缘层中形成接触孔，暴露所述TFT的有源层的源区和漏区的部分；通过在所述第二绝缘层上和所述接触孔中依次沉积第二导电层和 第三导电层，形成与所述有源层的源区和漏区的电接触；以及通过第三掩膜 工艺同时图案化所述第二导电层和所述第三导电层，形成所述TFT的源电 极、漏电极和像素电极以及所述电容器的第三电极。该方法可以进一步包括在所述源电极、漏电极、像素电极、第三电极上 和所述第二绝缘层的暴露部分上沉积第三绝缘层；以及通过第四掩膜工艺图 案化所述第三绝缘层，暴露所述像素电极。所述半导体层的形成可以包括 在所述基板上沉积非晶硅层；和通过晶体化所述非晶硅层产生多晶硅。所述 第 一掩膜工艺可以使用在分别与所述有源层的源区和漏区对应的位置处包 括半透光部分的第一半色调掩膜。所述TFT的栅绝缘层和所述电容器的第 一介电层可以在通过所述第一掩膜工艺图案化之后彼此完全分开。所制造的 显示装置还可以具有在所述基板与所述半导体层之间的緩冲层。所述方法还 可以包括使用栅电极作为掺杂掩膜向所述有源层的源区和漏区中掺入杂质。 所述第三掩膜工艺可以使用在与所述像素电极对应的位置处包括半透光部 分的第二半色调掩膜。第四导电层还可以被布置在所述第二导电层与被所述 接触孔穿过的所述第二绝缘层之间，并且所述源电极、所述漏电极和所述第 三电极中的每一个可以包括所述第四导电层、所述第二导电层和所述第三导 电层中每一个的部分，所述像素电极可以包括所述第四导电层和所述第二导 电层的部分。所述第四导电层可以包括从Al、 AlNd、 ACX、 AlNiLa、 Ag、 Mo、 Ti和MoW所组成的组中选择的至少 一种材料。根据本专利技术的再一方面，提供一种制造有机发光显示装置的方法，所述 方法包括在如前所述的制造的TFT阵列构件上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列构件，包括：　基板；　以图案布置在所述基板上的薄膜晶体管的有源层和电容器的第一电极，所述有源层和所述第一电极由相同的材料构成并且彼此分开一距离，所述有源层包括源区、漏区和沟道区；　分开布置在所述有源层和所 述第一电极上的第一绝缘层；　布置在所述第一绝缘层上的栅电极和第二电极，所述栅电极和所述第二电极被布置在同一层上并且由相同的材料构成，所述栅电极被布置为与所述有源层的沟道区相对应，所述第二电极被布置为与所述第一电极相对应；　布置在 所述基板、所述第一绝缘层、所述栅电极和所述第二电极上的第二绝缘层，所述第二绝缘层由用于暴露所述有源层的源区和漏区的接触孔穿过；　布置在所述接触孔内并分别提供与所述有源层的源区和漏区的电连接的源电极和漏电极；　布置在所述第二绝缘层 上并与所述源电极和所述漏电极之一连接的像素电极；以及　布置在所述第二绝缘层上与所述第二电极对应的位置处的第三电极，所述第三电极由与所述源电极、所述漏电极和所述像素电极中的每一个相同的材料构成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：权度县，任忠烈，卢大铉，李一正，刘喆浩，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]