一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法技术

本发明专利技术属于光电器件技术领域，具体为一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法。本发明专利技术制备方法包括：内核钙钛矿前驱体溶液制备和内核钙钛矿晶体制备，外壳钙钛矿的前驱体溶液制备和壳层结构钙钛矿单晶制备。核壳结构的钙钛矿单晶生长过程中是以内核晶体作为晶种提供了外壳晶体生长的位点，这种方式制备的壳层结构单晶将与纯相单晶具有明显性能差异；本发明专利技术制备的半导体单晶可用于制备X射线光电探测器，该X射线光电探测器表现出优异的X射线响应特性，相比于其单层结构，灵敏度因子由0.017提升至2.66，提升150倍以上。提升150倍以上。提升150倍以上。

【技术实现步骤摘要】
一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电器件
，具体涉及一种壳层结构钙钛矿单晶及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，钙钛矿型半导体材料在太阳能电池、LED、探测器等领域取得了重要的进展。钙钛矿单晶材料相比于钙钛矿多晶材料，没有晶界且缺陷密度更低，因此在光电性能和稳定性方面表现出巨大的优势。不同种类和制备方法所制备的钙钛矿单晶的载流子迁移率、载流子寿命和晶体缺陷都有明显的差异。例如一些研究者们通过低温地温梯度的方式缓慢生长高质量、低缺陷的钙钛矿单晶。也有研究通过在晶体的特定晶面生长单晶，获得了光电性质具有各向异性的钙钛矿晶体。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种具有优异X射线光电探测响应特性的双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法。
[0004]本专利技术提供的双核壳层结构钙钛矿半导体单晶的制备方法，具体步骤如下：
[0005](1)首先配置内核钙钛矿的前驱体溶液，以制备内核钙钛矿晶种；
[0006]优选地，前驱体溶液浓度为0.8M...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）首先配置内核钙钛矿的前驱体溶液，将内核钙钛矿前驱体溶液放置到烘箱中，加热生长内核钙钛矿晶种；（2）配置外壳钙钛矿的前驱体溶液；（3）将内核钙钛矿晶种放置到外壳钙钛矿前驱体溶液中，并放入烘箱中加热，最终获得壳层结构钙钛矿单晶。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述内核钙钛矿的前驱体溶液，液浓度为0.8 M
‑
1.4 M，钙钛矿晶种种类为MAPbCl3或MAPbBr3。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述生长内核钙钛矿晶种的温度为45
‑
60℃，时间为10
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨迎国，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：