磺酰胺晶体及其生长方法和用途技术

本发明专利技术提供一种磺酰胺晶体及其生长方法和用途。本发明专利技术的磺酰胺晶体的化学式为SO2(NH2)2，所述晶体的尺寸范围为毫米级；所述晶体的任意一条边的长度至少达到约1毫米。本发明专利技术的晶体通过水溶液降温法制备得到，其毫米级的尺寸满足了物性测试要求，为进一步研究该晶体的性能和应用提供了可行性。体的性能和应用提供了可行性。体的性能和应用提供了可行性。

【技术实现步骤摘要】
(BBO)的0.8倍。
[0014]本专利技术还提供上述磺酰胺晶体的生长方法，所述生长方法包括：在恒温T1环境下，将磺酰胺原料完全溶解于溶剂中，将温度从T1缓慢降至T2，得到所述磺酰胺晶体；
[0015]T1＝38
‑
42℃，T1
‑
T2＝12℃；
[0016]优选地，缓慢降温的速度为0.004
‑
0.008℃/小时，例如为0.006℃/小时。
[0017]根据本专利技术，所述磺酰胺原料和溶剂的质量体积比为(600
‑
700)g:500mL，例如为675.2g:500mL。
[0018]根据本专利技术，所述溶剂选自水，例如为去离子水。
[0019]根据本专利技术，所述晶体的生长方法包括如下步骤：在恒温T1的外水浴环境下，将磺酰胺原料完全溶解于去离子水中，然后以0.006℃/小时的速度缓慢下降，进行单晶生长，晶体生长参数为生长温度T1
→
T2，T1＝38
‑
42℃，T1
‑
T2＝12℃，得到所述磺酰胺晶体；优选地，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磺酰胺晶体，其特征在于，其化学式为SO2(NH2)2，所述晶体的尺寸范围为毫米级；所述晶体的任意一条边的长度至少达到1毫米。2.根据权利要求1所述的磺酰胺晶体，其特征在于，所述晶体的任意一条边的长度为1毫米～20毫米。优选地，所述晶体为磺酰胺单晶。3.根据权利要求1或2所述的磺酰胺晶体，其特征在于，所述晶体不具有对称中心，所述晶体属于正交晶系，其空间群为Fdd2，其晶胞参数为：晶体属于正交晶系，其空间群为Fdd2，其晶胞参数为：α＝β＝γ＝90
°
。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的磺酰胺晶体，其特征在于，所述晶体具有基本上如图2所示的X射线粉末衍射图谱。优选地，所述晶体具有基本上如图4所示的晶胞结构。优选地，所述晶体为无色透明晶体。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的磺酰胺晶体，其特征在于，所述晶体的紫外吸收边为160
±
3nm。优选地，所述晶体的输入波长范围为355nm
‑
1064nm，输出波长范围为177nm
‑
532nm。优选地，所述晶体能够实现Nd:YAG(λ＝1.064μm)的2倍频以及4倍频输出。优选地，所述晶体的粉末倍频效应分别为KH2PO4(KDP)的4.0倍以及BaB2O4(BBO)的0.8倍。6.权利要求1
‑
5任一项所述的磺酰胺晶体的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：在恒温T1...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗敏，田皓天，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：