一种基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器制造技术

本发明专利技术公开一种基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器，涉及集成电路设计技术领域。该鉴频鉴相器包括：第一D触发器、第二D触发器、反相器、延时模块及与非门；第一D触发器包括四个依次连接且结构相同的或非门；第二D触发器与第一D触发器的电路结构相同；或非门包括四个MO

【技术实现步骤摘要】
一种基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器


[0001]本专利技术涉及集成电路设计
，特别是涉及一种基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器。

技术介绍

[0002]近年来，随着社会人口老龄化的加剧和人们对自身健康关注的提升，电子皮肤等新兴智能设备在生物医疗电信号检测领域具有潜在的应用价值。新型智能硬件及智能电子产品要求器件具有越来越小的尺寸，更好的灵活性，更快的速度，更优的性能以及更低的生产成本，而传统的硅基器件一时难以满足新型智能硬件对于诸如柔性，透明等性能的需求。金属氧化物薄膜晶体管(Metal
‑
oxideThin
‑
filmtransistor，MO
‑
TFT)的最大特点就是可以在玻璃和塑料等基板上制造，所以大规模生产成本很低且制作形状更灵活。与传统硅基互补金属氧化物半导体场效应晶体管(ComplementaryMetalOxide SemiconductorField
‑
EffectTransistor，CMOS)相比，MO
‑
TFT还具有制备工艺简单，制备环境要求低，可实现透明性，以及可制造于柔性衬底上等独特的优势，从长远来看，MO
‑
TFT器件在可穿戴设备系统电路中具有广阔的发展和应用前景。
[0003]传统CMOS电路是由N型、P型两种器件构成，由于工艺限制，MO
‑
TFT只有N型MO
‑
TFT管可以集成，缺乏传统CMOS中的P型MO
‑r/>TFT管，因此，难以重构传统CMOS电路系统。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器，以解决现有技术中的鉴频鉴相器，由于缺乏传统CMOS中的P型MO
‑
TFT，难以重构传统CMOS电路系统的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0006]一种基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器，包括：第一D触发器、第二D触发器、反相器、延时模块及与非门；
[0007]所述第一D触发器的数据输入端，作为第一输入端，用于输入输入脉冲电压信号；所述第一D触发器的输出端作为第一输出端；
[0008]所述第二D触发器的数据输入端，作为第二输入端，用于输入参考脉冲电压信号；所述第二D触发器的输出端作为第二输出端；
[0009]所述与非门的第一输入端与所述第一D触发器的输出端连接；所述与非门的第二输入端与所述第二D触发器的输出端连接；
[0010]所述反相器的输入端与所述与非门的输出端连接，所述反相器的输出端与所述延时模块的输入端连接；
[0011]所述延时模块的输出端分别与所述第一D触发器的复位输入端及所述第二D触发器的复位输入端连接；
[0012]所述第一D触发器包括四个依次连接的或非门；四个所述或非门的电路结构相同；
所述第二D触发器与所述第一D触发器的电路结构相同；
[0013]所述或非门包括第一MO
‑
TFT管、第二MO
‑
TFT管、第三MO
‑
TFT管、第四MO
‑
TFT管及第一电容；
[0014]所述与非门包括第五MO
‑
TFT管、第六MO
‑
TFT管、第七MO
‑
TFT管、第八MO
‑
TFT管及第二电容；
[0015]所述反相器包括第九MO
‑
TFT管、第十MO
‑
TFT管、第十一MO
‑
TFT管及第十二MO
‑
TFT管。
[0016]可选地，所述或非门包括：
[0017]所述第一MO
‑
TFT管的栅极作为所述或非门的第一输入端，用于输入第一脉冲信号；所述第一MO
‑
TFT管的漏极与所述第一电容的一端连接；
[0018]所述第二MO
‑
TFT管的栅极作为所述或非门的第二输入端，用于输入第二脉冲信号；所述第二MO
‑
TFT管的源极与所述第一MO
‑
TFT管的源极连接，共同接入地线；
[0019]所述第三MO
‑
TFT管的源极与所述第一电容的另一端连接；
[0020]所述第四MO
‑
TFT管的源极分别与所述第一MO
‑
TFT管的漏极、所述第一电容的一端及所述第二MO
‑
TFT管的漏极相连，共同作为所述或非门的输出端；所述第四MO
‑
TFT管的栅极分别与所述电容的另一端及所述第三MO
‑
TFT管的源极连接；所述第四MO
‑
TFT管的漏极分别与所述第三MO
‑
TFT管的栅极及所述第三MO
‑
TFT管的漏极连接，共同与电源连接。
[0021]可选地，所述与非门包括：
[0022]所述第五MO
‑
TFT管的栅极与所述第一输出端、所述第二输出端、所述第二电容的一端及所述第六MO
‑
TFT管的栅极相互连接，所述第五MO
‑
TFT管的栅极作为所述与非门的第一输入端；所述第六MO
‑
TFT管的栅极作为所述与非门的第二输入端；所述第五MO
‑
TFT管的源极接入地线；所述第六MO
‑
TFT管的源极与所述第五MO
‑
TFT管的漏极连接；
[0023]所述第七MO
‑
TFT管的栅极、所述第二电容的另一端及所述第八MO
‑
TFT管的源极相互连接；所述第七MO
‑
TFT管的源极与所述第六MO
‑
TFT管的漏极连接，共同作为所述与非门的输出端；所述第八MO
‑
TFT管的栅极和漏极均与所述第七MO
‑
TFT管的漏极连接，共同与电源连接。
[0024]可选地，所述反相器包括：
[0025]所述第九MO
‑
TFT管的栅极与所述第十MO
‑
TFT管的栅极连接，共同作为所述反相器的输入端；所述第九MO
‑
TFT管的源极与所述第十MO
‑
TFT管的源极连接，共同接入地线；
[0026]所述第十二MO
‑
TFT管的源极与所述第十MO
‑
TFT管的漏极连接，共同作为所述反相器的输出端；所述第十二MO
‑
TFT管的栅极分别与所述第九MO
‑
TFT管的漏极及所述第十一MO
‑
TFT管的源极连接；所述第十二MO
‑
TFT管的漏极分别与所述第十一MO...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器，其特征在于，包括：第一D触发器、第二D触发器、反相器、延时模块及与非门；所述第一D触发器的数据输入端，作为第一输入端，用于输入输入脉冲电压信号；所述第一D触发器的输出端作为第一输出端；所述第二D触发器的数据输入端，作为第二输入端，用于输入参考脉冲电压信号；所述第二D触发器的输出端作为第二输出端；所述与非门的第一输入端与所述第一D触发器的输出端连接；所述与非门的第二输入端与所述第二D触发器的输出端连接；所述反相器的输入端与所述与非门的输出端连接，所述反相器的输出端与所述延时模块的输入端连接；所述延时模块的输出端分别与所述第一D触发器的复位输入端及所述第二D触发器的复位输入端连接；所述第一D触发器包括四个依次连接的或非门；四个所述或非门的电路结构相同；所述第二D触发器与所述第一D触发器的电路结构相同；所述或非门包括第一MO
‑
TFT管、第二MO
‑
TFT管、第三MO
‑
TFT管、第四MO
‑
TFT管及第一电容；所述与非门包括第五MO
‑
TFT管、第六MO
‑
TFT管、第七MO
‑
TFT管、第八MO
‑
TFT管及第二电容；所述反相器包括第九MO
‑
TFT管、第十MO
‑
TFT管、第十一MO
‑
TFT管及第十二MO
‑
TFT管。2.根据权利要求1所述的基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器，其特征在于，所述或非门包括：所述第一MO
‑
TFT管的栅极作为所述或非门的第一输入端，用于输入第一脉冲信号；所述第一MO
‑
TFT管的漏极与所述第一电容的一端连接；所述第二MO
‑
TFT管的栅极作为所述或非门的第二输入端，用于输入第二脉冲信号；所述第二MO
‑
TFT管的源极与所述第一MO
‑
TFT管的源极连接，共同接入地线；所述第三MO
‑
TFT管的源极与所述第一电容的另一端连接；所述第四MO
‑
TFT管的源极分别与所述第一MO
‑
TFT管的漏极、所述第一电容的一端及所述第二MO
‑
TFT管的漏极相连，共同作为所述或非门的输出端；所述第四MO
‑
TFT管的栅极分别与所述电容的另一端及所述第三MO
‑
TFT管的源极连接；所述第四MO
‑
TFT管的漏极分别与所述第三MO
‑
TFT管的栅极及所述第三MO
‑
TFT管的漏极连接，共同与电源连接。3.根据权利要求2所述的基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器，其特征在于，所述与非门包括：所述第五MO
‑
TFT管的栅极与所述第一输出端、所述第二输出端、所述第二电容的一端及所述第六MO
‑
TFT管的栅极相互连接，所述第五MO
‑
TFT管的栅极作为所述与非门的第一输入端；所述第六MO
‑
TFT管的栅极作为所述与非门的第二输入端；所述第五MO
‑
TFT管的源极接入地线；所述第六MO
‑
TFT管的源极与所述第五MO
‑
TFT管的漏极连接；所述第七MO
‑
TFT管的栅极、所述第二电容的另一端及所述第八MO
‑
TFT管的源极相互连接；所述第七MO
‑
TFT管的源极与所述第六MO
‑
TFT管的漏极连接，共同作为所述与非门的输出端；所述第八MO
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：梁洁，黄鹏，孟繁钊，段曦晨，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：