近场探头的校准方法、装置、计算机设备和存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种近场探头的校准方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一散射参数矩阵和第一输出电压、第二同轴线缆的第二散射参数矩阵和第二输出电压，以及近场探头的第三散射参数矩阵；根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，以及第一输出电压和第二输出电压，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压；在通过校准件对近场探头施加近场的场景下，根据第三输出电压、第四输出电压和校准件的结构参数，确定近场探头的校准因子；其中，校准因子用于近场探头进行校准。采用本方法能够更加准确的对近场探头进行校准。的对近场探头进行校准。的对近场探头进行校准。

【技术实现步骤摘要】
近场探头的校准方法、装置、计算机设备和存储介质


[0001]本申请涉及近场探头校准
，特别是涉及一种近场探头的校准方法、装置、计算机设备和存储介质。

技术介绍

[0002]随着科技水平的高速发展，集成电路正在朝着更加小型化、高频化和高密度化的方向发展。集成电路在给人们的生活带来便利的同时，也提高了对其电磁可靠性的要求。
[0003]针对上述问题，国际标准IEC61967中规定的近场扫描法是检测电磁可靠性十分有效的诊断方法。近场探头是近场扫描中最重要的组成部分之一，多端口电场或磁场近场探头是近场探头中十分具有优势的探头类型。然而，多端口电场或磁场近场探头在应用过程中往往面临非对称性的问题，使得多端口电场或磁场探头的工作频率应用范围以及测量准确度大打折扣。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够更加准确的对近场探头进行校准的近场探头的校准方法、装置、计算机设备和存储介质。
[0005]第一方面，本申请提供了一种近场探头的校准方法，近场探头包括第一接头和第二接头，第一接头与非对称同轴线缆中的第一同轴线缆连接，第二接头与非对称同轴线缆中的第二同轴线缆连接，该方法包括：
[0006]利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一散射参数矩阵和第一输出电压、第二同轴线缆的第二散射参数矩阵和第二输出电压，以及近场探头的第三散射参数矩阵；
[0007]根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，以及第一输出电压和第二输出电压，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压；
[0008]在通过校准件对近场探头施加近场的场景下，根据第三输出电压、第四输出电压和校准件的结构参数，确定近场探头的校准因子；其中，校准因子用于近场探头进行校准。
[0009]在其中一个实施例中，根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，以及第一输出电压和第二输出电压，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压，包括：
[0010]根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，确定中间参数矩阵；
[0011]根据第一输出电压和第二输出电压，以及中间参数矩阵、第一散射参数矩阵和第二散射参数矩阵，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压。
[0012]在其中一个实施例中，矢量分析仪的一端与第一同轴线缆连接，矢量分析仪的另一端与第二同轴线缆连接。
[0013]在其中一个实施例中，根据第三输出电压、第四输出电压和校准件的结构参数，确
定近场探头的校准因子，包括：
[0014]根据第三输出电压和第四输出电压，确定校准件施加的近场的电场电压和磁场电压；
[0015]根据电场电压、磁场电压和校准件的结构参数，以及矢量分析仪向非对称同轴线缆的注入电压，确定近场探头的校准因子。
[0016]在其中一个实施例中，根据第三输出电压和第四输出电压，确定校准件施加的近场的电场电压和磁场电压，包括：
[0017]将第三输出电压与第四输出电压之和，与比例系数之间的乘积，作为校准件施加的近场的电场电压；
[0018]将第三输出电压与第四输出电压之差，与比例系数之间的乘积，作为校准件施加的近场的磁场电压。
[0019]在其中一个实施例中，根据电场电压、磁场电压和校准件的结构参数，以及矢量分析仪向非对称同轴线缆的注入电压，确定近场探头的校准因子，包括：
[0020]将注入电压与校准件的第一结构参数之积，与电场电压之间的比值，作为近场探头的第一校准因子；
[0021]将注入电压与校准件的第二结构参数之积，与磁场电压之间的比值，作为近场探头的第二校准因子。
[0022]在其中一个实施例中，利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一输出电压和第二同轴线缆的第二输出电压，包括：
[0023]在通过矢量分析仪向非对称同轴线缆输出注入电压的情况下，利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一输出电压和第二同轴线缆的第二输出电压。
[0024]第二方面，本申请还提供了一种近场探头的校准装置，该装置包括：
[0025]数据测量模块，用于利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一散射参数矩阵和第一输出电压、第二同轴线缆的第二散射参数矩阵和第二输出电压，以及近场探头的第三散射参数矩阵；
[0026]电压确定模块，用于根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，以及第一输出电压和第二输出电压，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压；
[0027]探头校准模块，用于在通过校准件对近场探头施加近场的场景下，根据第三输出电压、第四输出电压和校准件的结构参数，确定近场探头的校准因子；其中，校准因子用于近场探头进行校准。
[0028]第三方面，本申请还提供了一种计算机设备，该计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
[0029]利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一散射参数矩阵和第一输出电压、第二同轴线缆的第二散射参数矩阵和第二输出电压，以及近场探头的第三散射参数矩阵；
[0030]根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，以及第一输出电压和第二输出电压，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压；
[0031]在通过校准件对近场探头施加近场的场景下，根据第三输出电压、第四输出电压
和校准件的结构参数，确定近场探头的校准因子；其中，校准因子用于近场探头进行校准。
[0032]第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0033]利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一散射参数矩阵和第一输出电压、第二同轴线缆的第二散射参数矩阵和第二输出电压，以及近场探头的第三散射参数矩阵；
[0034]根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，以及第一输出电压和第二输出电压，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压；
[0035]在通过校准件对近场探头施加近场的场景下，根据第三输出电压、第四输出电压和校准件的结构参数，确定近场探头的校准因子；其中，校准因子用于近场探头进行校准。
[0036]第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0037]利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一散射参数矩阵和第一输出电压、第二同轴线缆的第二散射参数矩阵和第二输出电压，以及近场探头的第三散射参数矩阵；
[0038]根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，以及第一输出电压和第二输出电压，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近场探头的校准方法，其特征在于，所述近场探头包括第一接头和第二接头，所述第一接头与非对称同轴线缆中的第一同轴线缆连接，所述第二接头与所述非对称同轴线缆中的第二同轴线缆连接，所述方法包括：利用矢量分析仪，测量所述第一同轴线缆的第一散射参数矩阵和第一输出电压、所述第二同轴线缆的第二散射参数矩阵和第二输出电压，以及所述近场探头的第三散射参数矩阵；根据所述第一散射参数矩阵、所述第二散射参数矩阵和所述第三散射参数矩阵，以及所述第一输出电压和所述第二输出电压，确定所述近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压；在通过校准件对所述近场探头施加近场的场景下，根据所述第三输出电压、所述第四输出电压和所述校准件的结构参数，确定所述近场探头的校准因子；其中，所述校准因子用于所述近场探头进行校准。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一散射参数矩阵、所述第二散射参数矩阵和所述第三散射参数矩阵，以及所述第一输出电压和所述第二输出电压，确定所述近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压，包括：根据所述第一散射参数矩阵、所述第二散射参数矩阵和所述第三散射参数矩阵，确定中间参数矩阵；根据所述第一输出电压和所述第二输出电压，以及所述中间参数矩阵、所述第一散射参数矩阵和所述第二散射参数矩阵，确定所述近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述矢量分析仪的一端与所述第一同轴线缆连接，所述矢量分析仪的另一端与所述第二同轴线缆连接。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述第三输出电压、所述第四输出电压和所述校准件的结构参数，确定所述近场探头的校准因子，包括：根据所述第三输出电压和所述第四输出电压，确定所述校准件施加的近场的电场电压和磁场电压；根据所述电场电压、所述磁场电压和所述校准件的结构参数，以及所述矢量分析仪向所述非对称同轴线缆的注入电压，确定所述近场探头的校准因子。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第三输出电压和所述第四输出电压，确定所述校准件施加的近场的电场电压和磁场电压，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵伟恒，薛姗，陈义强，周长见，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：