半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法技术

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法。用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括半导体底层和覆盖在半导体底层上的掩模层；在掩模层的阵列区域中设有第一沟槽阵列和第二沟槽阵列；第一沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第一沟槽，第二沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第二沟槽；在行方向上，第一沟槽和第二沟槽交替且错位排布，在列方向上，第一沟槽和第二沟槽也交替且错位排布；位于掩模层中的第一沟槽和第二沟槽向下延伸至半导体底层中，且在半导体底层中第一沟槽和第二沟槽沿着各自长度的延伸方向相互贯通。基于刻蚀工艺菜单对上述半导体结构进行干法刻蚀，以评估该刻蚀工艺菜单的聚合物生成量。聚合物生成量。聚合物生成量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域中，需要等离子体参与干法刻蚀。然而在干法蚀刻过程中，等离子体中的反应物与被刻蚀材料发生反应会生成各种副产物，其中包括对蚀刻工艺有重大影响的反应副产物聚合物(polymer)。虽然一定量的聚合物对半导体器件特定形貌的形成至关重要，但过量的聚合物会造成图形积压变形的缺陷。
[0003]相关技术采用的干法刻蚀工艺菜单开发过程缺少对该工艺菜单可能产生的聚合物进行定量评估，而是基于采用该工艺菜单进行大量作业后才能确定该工艺菜单所产生聚合物的量，然而此方案一旦发现工艺菜单所对应产生的聚合物过量则需要重新开发优化工艺菜单，进而耽误半导体器件的量产过程。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法，可以解决相关技术中缺少对该工艺菜单可能产生的聚合物进行定量评估的问题。
[0005]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请的第一方面提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，所述用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括：所述用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括半导体底层和覆盖在所述半导体底层上的掩模层；在所述掩模层的阵列区域中设有第一沟槽阵列和第二沟槽阵列；所述第一沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第一沟槽，所述第二沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第二沟槽；在行方向上，所述第一沟槽和所述第二沟槽交替且错位排布，在列方向上，所述第一沟槽和所述第二沟槽也交替且错位排布；位于所述掩模层中的第一沟槽和第二沟槽向下延伸至所述半导体底层中，且在所述半导体底层中所述第一沟槽和第二沟槽沿着各自长度的延伸方向相互贯通。2.如权利要求1所述的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，所述行方向与所述列方向相互垂直。3.如权利要求1所述的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，所述第一沟槽的长度朝所述行方向延伸，所述第一沟槽的宽度朝所述列方向延伸，所述第二沟槽的长度朝所述列方向延伸，所述第二沟槽的宽度朝所述行方向延伸。4.如权利要求3所述的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，与所述第一沟槽阵列中的任一个第一沟槽相邻的所有第二沟槽，均与所述第一沟槽在所述列方向上错位，且错位的距离大于所述第一沟槽的宽度；与所述第二沟槽阵列中的任一个第二沟槽相邻的第一沟槽，均与所述第二沟槽在所述行方向上错位，且错位的距离大于或等于所述第二沟槽的宽度。5.如权利要求1所述的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，在所述阵列区域中，所述贯通区包括位于所述阵列区域中部的中部贯通区和位于所述阵列区域边缘的边缘贯通区。6.如权利要求1所述的用于评估...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧少敏，谭理，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：