固体激光剥离设备和剥离方法技术

技术编号:3899123 阅读:324 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种固体激光剥离设备,其中包括固体激光器,光束整形镜,振镜电机,振镜镜片和场镜,还包括移动平台和工控电脑及控制软件。本发明专利技术以固体激光器为激光光源,激光器下方是光束整形镜,振镜镜片,振镜电机和场镜,光束整形镜位于激光器之后,将激光器发出的激光束整形为本发明专利技术所需的光束形状。振镜电机位于场镜之前,依控制软件发出的指令控制振镜镜片的动作,从而实现多种不同的光束扫描路径。本发明专利技术还提供了一种采用上述固体激光剥离设备的剥离方法。本发明专利技术实现了GaN和蓝宝石衬底的无损剥离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工领域,更具体地说涉及一种应用固体激光对半导体薄膜材 料的剥离半导体薄膜材料的剥离设备和剥离方法。本专利技术使激光通过专用的光路整形成特 定的形状及特定的光场分布,通过聚焦照射到多层材料之间的界面上,分解界面材料以达 到剥离薄膜层与衬底的功能。
技术介绍
以GaN以及InGaN,AlGaN为主的III/V氮化物是近年来备受关注的半导体材料, 其1. 9eV-6. 2eV连续可变的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子迁移率等等特 性,使其成为激光器、发光二极管等等光电子器件和微电子器件的优选材料。然而,由于GaN本身生长技术的限制,现今的大面积GaN材料大多生长在蓝宝石衬 底上。虽然蓝宝石衬底上生长的GaN质量很高,应用也最广,可是由于蓝宝石的不导电及较 差的导热特性,极大地限制了 GaN基半导体器件的发展。为了回避这一不足,GaN薄膜在蓝 宝石上生长成功后,将蓝宝石去除的方法专利技术了,去除衬底后的GaN薄膜依需要可以键合 在更好的热沉或作为同质外延的衬底材料。在蓝宝石去除的过程中,主要应用的方法就是 激光剥离技术。衬底剥离技术(Lift-off)首先本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固体激光剥离设备,其特征在于包括固体激光器,光束整形镜,振镜电机,振镜镜片和场镜,还包括移动平台和工控电脑及控制软件,所述光束整形镜位于所述固体激光器下方,所述振镜镜片、振镜电机和场镜、光束整形镜位于所述固体激光器之后,将所述固体激光器发出的激光束整形,所述振镜电机位于场镜之前,依控制软件发出的指令控制所述振镜镜片的动作,从而实现不同的光束扫描路径,所述移动平台位于所述固体激光器下方,所述控制软件运行于所述工控电脑之上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张国义杨欣荣何明坤孙永健
申请(专利权)人:东莞市中镓半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:44[中国|广东]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1