【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域,更具体地说涉及一种应用固体激光对半导体薄膜材 料的剥离半导体薄膜材料的剥离设备和剥离方法。本专利技术使激光通过专用的光路整形成特 定的形状及特定的光场分布,通过聚焦照射到多层材料之间的界面上,分解界面材料以达 到剥离薄膜层与衬底的功能。
技术介绍
以GaN以及InGaN,AlGaN为主的III/V氮化物是近年来备受关注的半导体材料, 其1. 9eV-6. 2eV连续可变的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子迁移率等等特 性,使其成为激光器、发光二极管等等光电子器件和微电子器件的优选材料。然而,由于GaN本身生长技术的限制,现今的大面积GaN材料大多生长在蓝宝石衬 底上。虽然蓝宝石衬底上生长的GaN质量很高,应用也最广,可是由于蓝宝石的不导电及较 差的导热特性,极大地限制了 GaN基半导体器件的发展。为了回避这一不足,GaN薄膜在蓝 宝石上生长成功后,将蓝宝石去除的方法专利技术了,去除衬底后的GaN薄膜依需要可以键合 在更好的热沉或作为同质外延的衬底材料。在蓝宝石去除的过程中,主要应用的方法就是 激光剥离技术。衬底剥离技术(L ...
【技术保护点】
一种固体激光剥离设备,其特征在于包括固体激光器,光束整形镜,振镜电机,振镜镜片和场镜,还包括移动平台和工控电脑及控制软件,所述光束整形镜位于所述固体激光器下方,所述振镜镜片、振镜电机和场镜、光束整形镜位于所述固体激光器之后,将所述固体激光器发出的激光束整形,所述振镜电机位于场镜之前,依控制软件发出的指令控制所述振镜镜片的动作,从而实现不同的光束扫描路径,所述移动平台位于所述固体激光器下方,所述控制软件运行于所述工控电脑之上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张国义,杨欣荣,何明坤,孙永健,
申请(专利权)人:东莞市中镓半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:44[中国|广东]
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