B&S机台有机物沾污的监测方法技术

本本申请提供一种B&S机台有机物沾污的监测方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有多层介质层和接触孔；利用B&S机台形成金属阻挡层和金属种子层；对量测机台的腔室进行抽真空；形成金属主体层；去除超出接触孔顶端的金属主体层；进行后期YE量测。本申请通过在形成金属阻挡层和金属种子层之后，以及在形成金属主体层之前，对量测机台的腔室进行抽真空，可以将接触孔底部的有机物沾污移动至接触孔侧壁上以及晶圆表面并聚集成沾污团簇，在金属主体层中形成便于观测的大尺寸空洞缺陷，从而可以在后期YE量测时及时监测有机物沾污；此外，本申请不采用RGA方式来监控有机物沾污，避免了现有监测方式中零部件损坏后，更换新零部件困难的情况。情况。情况。

【技术实现步骤摘要】
B＆S机台有机物沾污的监测方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种B&S机台有机物沾污的监测方法。

技术介绍

[0002]B&S(Barrier and Seed，阻挡层与种子层)机台(例如AMAT Endura机台)广泛运用于生产，主要作用是给金属线(例如铜线)生成阻挡层以及种子层；若B&S机台出现有机物沾污，会造成后续金属材料生长不亮，在金属线上形成孔洞缺陷，影响最终产品(半导体器件)的可靠性和良率。
[0003]现有B&S机台使用的是RGA(Residual Gas Analysis，残余气体分析)的方式来监控，相关零部件仅部分国家可以供应而且限制出口，所以相关零部件的供应严重不足而且价格昂贵。在RGA方式中，相关零部件损坏后，更换新的零部件较为困难。为了不影响最终产品的可靠性和良率，目前亟需一种新的B&S机台有机物沾污的监测方法。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种B&S机台有机物沾污的监测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种B&S机台有机物沾污的监测方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有堆叠的多层介质层，多层所述介质层中形成有接触孔；利用B&S机台形成金属阻挡层和金属种子层，所述金属阻挡层覆盖顶层介质层和所述接触孔的底壁、侧壁，所述金属种子层覆盖所述金属阻挡层；将第一半导体结构转移至量测机台并对量测机台的腔室进行抽真空以使有机物沾污移动至所述接触孔靠近顶端的侧壁上以及所述第一半导体结构表面并聚集成沾污团簇，其中，所述第一半导体结构为形成所述金属阻挡层和所述金属种子层之后的半导体结构；形成金属主体层，所述金属主体层覆盖所述接触孔中的所述金属种子层以及填充所述接触孔的剩余空间；去除超出所述接触孔顶端的所述金属主体层；进行后期YE量测，以及时监测B&S机台的所述沾污团簇。2.根据权利要求1所述的B&S机台有机物沾污的监测方法，其特征在于，所述将第一半导体结构转移至量测机台并对量测机台的腔室进行抽真空的步骤为进行前期YE量测。3.根据权利要求2所述的B&S机台有机物沾污的监测方法，其特征在于，所述进行前期YE量测包括：在常压环境下利用UV光扫描所述第一半导体结构，以获取形成所述第一半导体结构表面的缺陷；对量测机台的腔室进行抽真空，并在真空环境下利用电子束轰击所述第一半导体结构表面，收集所述第一半导体结构表面的散射电子和二次电子，以获取所述第一半导体结构表面的缺陷。4.根据权利要求1或3所述的B&S机台有机物沾污的监测方法，其特征在于，对量测机台的腔室进行抽真空的过程中，量测机台的腔室内的真空度&a...

【专利技术属性】
技术研发人员：张方舟，陈苗，米琳，宁威，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：