Si-SiC类复合结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供能够制造能抑制成型体变形、且具有期望的形状的Si

【技术实现步骤摘要】
Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法


[0001]本专利技术涉及Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法。

技术介绍

[0002]Si
‑
SiC类复合材料具有优异的导热率，期待将其用于各种工业产品。作为这种由Si
‑
SiC类复合材料形成的结构体(以下设为Si
‑
SiC类复合结构体。)的制造方法，例如提出了如下技术方案：在使得含有Si的含浸金属供给体与含有SiC的被含浸体接触的状态下，以1200℃以上1600℃以下的温度进行加热，使得含有Si的熔融金属含浸于被含浸体(参照专利文献1)。
[0003]期望将这种Si
‑
SiC类复合结构体制造成符合用途的适当形状。Si
‑
SiC类复合结构体的形状取决于被含浸体的形状，因此，在具有各种形状的被含浸体与含浸金属供给体接触的状态下以上述方式进行加热。于是，因被含浸体的自重以及/或者来自含浸金属供给体的载荷使得被含浸体变形，有时无法制造具有期望的形状的Si
‑
SiC类复合结构体。
[0004]专利文献1：国际公开第2011/145387号

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于，提供能够抑制成型体的变形、且能够制造具有期望的形状的Si
‑
SiC类复合结构体的Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法。
[0006]本专利技术的实施方式所涉及的Si
‑/>SiC类复合结构体的制造方法包含以下工序：在使含有SiC的成型体与用于抑制所述成型体的变形的变形抑制部件接触，并且使含有Si的供给体与所述成型体接触的状态下，对所述供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体。
[0007]在1个实施方式中，上述变形抑制部件是具有沿着上述成型体的外形的支承面的支承台，在上述成型体配置于上述支承台的状态下，使上述熔融金属含浸于该成型体。
[0008]在1个实施方式中，在上述成型体配置于上述支承台的状态下，上述支承面将上述成型体的外表面中的30％以上覆盖。
[0009]在1个实施方式中，上述成型体具有圆筒形状。
[0010]在1个实施方式中，以上述成型体的轴线与水平方向平行的方式将上述成型体配置于上述支承台。
[0011]在1个实施方式中，上述支承面具有圆弧形状。上述支承面的曲率半径为上述成型体的外径的1/2以上、且为上述成型体的外径的1/2+0.3mm以下。
[0012]在1个实施方式中，上述供给体配置于上述成型体的内侧。
[0013]在1个实施方式中，在上述支承面设置有涂敷层。
[0014]在1个实施方式中，在上述支承面设置有槽。在上述成型体配置于上述支承台的状态下，所述槽在上述成型体与上述支承台之间形成间隙。
[0015]在1个实施方式中，上述支承台具备：第一台，其具有第一面；以及第二台，其具有
第二面。上述成型体配置于所述第一台以及所述第二台。所述第一面以及所述第二面在上述成型体配置于所述第一台以及所述第二台的状态下作为所述支承面而发挥功能。
[0016]在1个实施方式中，上述变形抑制部件具有：第一接触部，其与上述成型体接触；以及第二接触部，其位于在与上述成型体的长度方向正交的方向上与第一接触部分离的位置，且与上述所述成型体接触。
[0017]在1个实施方式中，上述变形抑制部件能够抑制多个所述成型体的变形，多个成型体在与成型体的长度方向正交的方向上排列、且彼此接触。上述变形抑制部件具有：第一接触部，其与多个成型体中的位于一端的成型体接触；以及第二接触部，其相对于多个成型体位于第一接触部的相反侧，且与多个成型体中的位于另一端的成型体接触。
[0018]在1个实施方式中，上述第一接触部以及上述第二接触部在水平方向上与上述成型体接触。
[0019]在1个实施方式中，上述变形抑制部件还具有在铅锤方向上与上述成型体接触的第三接触部。
[0020]在1个实施方式中，上述变形抑制部件含有选自碳、氮化硼、氧化铝或者铂的至少1种材料。
[0021]在1个实施方式中，上述成型体具有蜂窝结构。
[0022]专利技术效果
[0023]根据本专利技术的实施方式，能够制造能抑制成型体的变形、且具有期望的形状的Si
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SiC类复合结构体。
附图说明
[0024]图1是用于对本专利技术的1个实施方式所涉及的Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法进行说明的概要立体图。
[0025]图2是本专利技术的1个实施方式所涉及的支承台的主视图。
[0026]图3是本专利技术的其他实施方式所涉及的支承台的主视图。
[0027]图4是本专利技术的又一其他实施方式所涉及的支承台的主视图。
[0028]图5(a)是本专利技术的又一其他实施方式所涉及的支承台的主视图。图5(b)示出了图5(a)所示的支承台由第一台以及第二台构成的方式。图5(c)示出了图5(a)所示的支承台具有槽的方式。
[0029]图6(a)是本专利技术的又一其他实施方式所涉及的支承台的主视图。图6(b)示出了图6(a)所示的支承台构成为包括第一台以及第二台的方式。图6(c)示出了图6(a)所示的支承台具有槽的方式。
[0030]图7是本专利技术的1个实施方式所涉及的蜂窝成型体的主视图。
[0031]图8示出了本专利技术的1个实施方式所涉及的收容容器收容有成型体的状态。
[0032]图9示出了本专利技术的其他实施方式所涉及的收容容器收容有成型体的状态。
[0033]图10示出了本专利技术的又一其他实施方式所涉及的收容容器收容有多个成型体的状态。
[0034]图11示出了本专利技术的1个实施方式所涉及的由夹持件夹持成型体的状态。
[0035]图12示出了本专利技术的1个实施方式所涉及的插入夹具插入于成型体的状态。
[0036]图13示出了本专利技术的其他实施方式所涉及的插入夹具插入于成型体的状态。
[0037]图14示出了本专利技术的又一其他实施方式所涉及的插入夹具插入于成型体的状态。
[0038]图15示出了本专利技术的又一其他实施方式所涉及的插入夹具插入于成型体的状态。
[0039]图16示出了本专利技术的又一其他实施方式所涉及的插入夹具插入于成型体的状态。
[0040]图17(a)示出了本专利技术的1个实施方式所涉及的由支承件支承成型体的状态。图17(b)是图17(a)所示的支承件的侧视图。
[0041]附图标记说明
[0042]1…
成型体；1a
…
蜂窝成型体；2
…
支承台；2a
…
第一台；2b
…
第二台；3
…
供给体；4
…
收容容器；5
…
插入夹具；6
…
支承件；7...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法，包含以下工序：在使含有SiC的成型体与用于抑制所述成型体的变形的变形抑制部件接触，并且使含有Si的供给体与所述成型体接触的状态下，对所述供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体。2.根据权利要求1所述的Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，所述变形抑制部件是具有沿着所述成型体的外形的支承面的支承台，在所述成型体配置于所述支承台的状态下，使所述熔融金属含浸于所述成型体。3.根据权利要求2所述的Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，在所述成型体配置于所述支承台的状态下，所述支承面将所述成型体的外表面中的30％以上覆盖。4.根据权利要求2或3所述的Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，所述成型体具有圆筒形状。5.根据权利要求4所述的Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，以所述成型体的轴线与水平方向平行的方式将所述成型体配置于所述支承台。6.根据权利要求4或5所述的Si
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SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，所述支承面具有圆弧形状，所述支承面的曲率半径为所述成型体的外径的1/2以上，且为所述成型体的外径的1/2+0.3mm以下。7.根据权利要求4至6中任一项所述的Si
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SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，所述供给体配置于所述成型体的内侧。8.根据权利要求2至7中任一项所述的Si
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SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，在所述支承面设置有涂敷层。9.根据权利要求2至8中任一项所述的Si
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SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，在所述支承面设置有槽，所述槽在所述成型体配置于所述支承台的状态下在所述成型体与所述支承台之...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤空，久野修平，松叶浩臣，
申请(专利权)人：NGK阿德列克株式会社，
类型：发明
国别省市：