一种宽频高阻抗ＭｎＺｎ铁氧体材料及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种宽频高阻抗ＭｎＺｎ铁氧体材料，所述铁氧体材料包括主成份和辅助成分，所述主成分为４７ｍｏｌ％－５０ｍｏｌ％的Ｆｅ２Ｏ３、以ＭｎＯ计２９ｍｏｌ％－３５ｍｏｌ％的Ｍｎ３Ｏ４和１６ｍｏｌ％－２１ｍｏｌ％的ＺｎＯ；以及所述辅助成分选自ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５中的至少一种，基于所述主成分的总重量，ＳｉＯ２为０．００２ｗｔ％－０．０１ｗｔ％、ＣａＣＯ３为０．０１ｗｔ％－０．０８ｗｔ％、Ｖ２Ｏ５为０．０１ｗｔ％－０．０７ｗｔ％、Ｎｂ２Ｏ５为０．０１ｗｔ％－０．０７ｗｔ％。本发明专利技术提供的宽频高阻抗ＭｎＺｎ铁氧体材料具有大于１０３Ω.ｍ的直流电阻率、大于１１５℃的居里温度和２０００±２０％的起始磁导率；此外，此材料低频阻抗大于普通ＮｉＺｎ铁氧体材料，高频阻抗与普通ＮｉＺｎ铁氧体材料相当，且不含价格昂贵的原材料ＮｉＯ。本发明专利技术还提供了一种宽频高阻抗ＭｎＺｎ铁氧体材料的制造方法，包括混料、烘干、预烧、球磨、造粒、成型和烧结等步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种MnZn铁氧体材料及其制造方法，尤其涉及一种宽频高阻抗MnZn 铁氧体材料及其制造方法。
技术介绍
在电子信息时代，随着卫星通信、移动通信、计算机应用等的高速发展，电磁干扰 (EMI)对军事和民用电子信息领域的影响越来越严重，对公共环境和人身安全以及信息保 密造成了很大的危害。解决或降低电磁污染以及提高电子设备抗电磁干扰能力的有效办法 是采用电磁兼容设计，其中需要用到大量抗EMI材料。常用的抗EMI材料有MnZn铁氧体和 MZn铁氧体材料。由于电子设备的小型化、高频化的发展，迫切希望在高频也有高磁导率的 材料，一般MnZn铁氧体均采用过铁配方，即富铁MnZn铁氧体，且又在还原气氛中烧结冷却， 故尖晶石结构中有较多的Fe2+存在，Fe2+ Fe3+间的电子迁移使得电阻率急剧降低，很难适 应3MHz以上频率的使用。NiZn铁氧体有多空性及高电阻率(通常可达104Q m以上)， 且在一定的配方与工艺条件下可以使材料避免畴壁位移弛豫与共振，适用于作高频软磁材 料，但由于NiZn铁氧体磁导率很难做的高，其低频阻抗较低。富铁MnZn铁氧体和NiZn铁氧体材料在应用频率上都本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽频高阻抗ＭｎＺｎ铁氧体材料，其特征在于：所述铁氧体材料包括主成份和辅助成分，所述主成分为４７ｍｏｌ％－５０ｍｏｌ％的Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］、以ＭｎＯ计２９ｍｏｌ％－３５ｍｏｌ％的Ｍｎ↓［３］Ｏ↓［４］和１６ｍｏｌ％－２１ｍｏｌ％的ＺｎＯ；以及所述辅助成分选自ＳｉＯ↓［２］、ＣａＣＯ↓［３］、Ｖ↓［２］Ｏ↓［５］、Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］中的至少一种，基于所述主成分的总重量，ＳｉＯ↓［２］为０．００２ｗｔ％－０．０１ｗｔ％、ＣａＣＯ↓［３］为０．０１ｗｔ％－０．０８ｗｔ％、Ｖ↓［２］Ｏ↓［５］为０．０１ｗｔ％－０．０７ｗｔ％、Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］为０．０１ｗｔ％－０．０７ｗｔ％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪南东，黄爱萍，谭福清，豆小明，王家永，冯则坤，
申请(专利权)人：广东江粉磁材股份有限公司，江门安磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]