显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具备电平转换电路的显示装置，可以提高电平转换动作的可靠性。在本发明专利技术的显示装置中，其特征在于，上述电平转换电路具有：半导体层由多晶硅层构成的第一薄膜晶体管；与上述第一薄膜晶体管的第二电极连接的波形整形电路；连接在上述第一薄膜晶体管的第二电极与基准电源之间的恒定电流源和开关元件，向上述第一薄膜晶体管的控制电极输入偏置电压，向上述第一薄膜晶体管的第一电极输入输入信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示装置，特别涉及在形成有有源元件的同 一基板上 在显示区域的周边形成了驱动电路(周边电路)的有源矩阵型的显示 装置。
技术介绍
以往，作为液晶显示装置，公知针对每个像素具有有源元件，并 使该有源元件进行开关动作的有源矩阵型液晶显示装置。作为该有源矩阵型液晶显示装置之一，公知将半导体层由多晶硅 层构成的薄膜晶体管(以下称为多晶硅薄膜晶体管)用作有源元件的 装置。而且，在该种液晶显示装置中，由于多晶硅的移动度比非晶硅 快，所以用于驱动有源元件的驱动电路也可以在同 一基板上通过与有 源元件相同的工序制作。因此，最近，使用多晶硅薄膜晶体管而在与像素相同的玻璃基板 上同时制作外部驱动器的电路的所谓内置有系统的液晶面板也正被产 品化。在内置有系统的液晶面板的情况下，由于来自微控制器的低电压 振幅(3.3V以下)的数据/控制信号等被直接输入到由多晶硅薄膜晶体 管构成的驱动电路中，所以在驱动电路中，需要将数据/控制信号等的 电压振幅变换到多晶硅薄膜晶体管能够动作的电压振幅的电平转换电 路。另外，在内置有系统的液晶面板中在像素阵列内设置SRAM(Static Random Access Memory,静态随才几" 方问存储器)，并在通过 除了影像的更新以外使影像信号的改写成为不需要而可以实现低功耗 化的液晶面板中，在没有与微控制器之间进行访问的状态下具有与外 部之间的切断功能的电平转换电路被记载于下述专利文献1中。上述专利文献l中提出的电平转换电路基本上是栅极接地电路结 构，其特征在于，电压放大用的多晶硅薄膜晶体管还兼有与外部之间 的切断功能的这一点。图5示出上述专利文献1中提出的电平转换电路。在图5所示的电平转换电路中，在电平转换动作时，电压放大用 的多晶硅薄膜晶体管111的栅极112成为High电平(以下称为H电 平)，来自源极113的输入电压振幅在被放大之后输出到漏极114， 通过下级以后的变换器115被波形整形成电源振幅。另一方面，在与外部之间的访问切断时，电压放大用的多晶硅薄 膜晶体管111的栅极112成为Low电平(以下称为L电平)，输入側 的源极113与漏极114被切断，并且从电源经由电阻116、放大用的 多晶硅薄膜晶体管111流入外部输入端子的电流也#:切断。专利文献1:日本特愿2008 - 43795但是，多晶硅薄膜晶体管的阈值电压一般较大，并且其偏差也较 大，所以例如即使在输入信号为H电平的情况下，有时输出电压也无 法上升至规定的电压。因此，在上述专利文献l记载的电平转换电路中，存在如下问题 在向多晶硅薄膜晶体管111的栅极112输入了脉冲波形的使能信号 ENA，多晶硅薄膜晶体管lll进行脉冲动作的情况下，漏极114无法 上升至规定的电压，而损害电平转换动作的稳定性。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述以往技术的问题点而完成的，本专利技术的目 的在于，在具备由多晶硅薄膜晶体管构成的电平转换电路的显示装置 中，可以提高电平转换动作的可靠性。本专利技术的上述以及其他目的和新特征通过本说明书的记述以及附 图将更加明确。如果简单说明本申请中公开的专利技术中的代表性的专利技术的概要，则 如下所述。(1) 一种显示装置，具备电平转换电路，其特征在于上述电平 转换电路具有半导体层由多晶硅层构成的第一薄膜晶体管；与上述 第一薄膜晶体管的第二电极连接的波形成形电路；连接在上述第一薄 膜晶体管的第二电极与基准电源之间的恒定电流源和开关元件，向上 述第一薄膜晶体管的控制电极输入偏置电压，向上述第一薄膜晶体管 的第一电极输入输入信号，上述第一薄膜晶体管是n型薄膜晶体管， 上述输入信号是电压电平在第二电压与比上述第二电压高电位的第三 电压之间变化的信号，上述基准电源的电压电平是比上述第三电压高 电位的第一电压，上述电平转换电路将电压电平在上述第三电压与上 述第二电压之间变化的输入信号变换成电压电平在上述第一电压与上 述第二电压之间变化的信号。(2) —种显示装置，具备电平转换电路，其特征在于上述电平 转换电路具有半导体层由多晶硅层构成的第一薄膜晶体管；与上述 第一薄膜晶体管的第二电极连接的波形整形电路；连接在上述第一薄 膜晶体管的第二电极与基准电源之间的恒定电流源和开关元件，向上 述第一薄膜晶体管的控制电极输入偏置电压，向上述第一薄膜晶体管 的第一电极输入输入信号，上述第一薄膜晶体管是p型薄膜晶体管， 上述输入信号是电压电平在第四电压与比上述第四电压低电位的第五 电压之间变化的信号，上述基准电源的电压电平是比上述第五电压低 电位的第六电压，上述电平转换电路将电压电平在上述第四电压与上 述第五电压之间变化的输入信号变换成电压电平在上述第四电压与上 述笫六电压之间变化的信号。(3) 在(1)或(2)中，上述恒定电流源是电阻。(4) 在(1)至(3)中的任意一个中，上述开关元件由半导体层 由多晶硅层构成的第二薄膜晶体管构成。(5)在(1)或(2)中，上述开关元件由半导体层由多晶硅层构 成的第二薄膜晶体管构成，上述第二薄膜晶体管在导通状态时兼作上 迷恒定电流源。如果简单说明通过本申请中公开的专利技术中的代表性的专利技术而得到 的效果，则如下所述。根据本专利技术，在具备由多晶硅薄膜晶体管构成的电平转换电路的 显示装置中，可以提高电平转换动作的可靠性。附图说明图1是示出本专利技术的实施例的液晶显示装置的概略结构的框图。 图2是用于说明本专利技术的实施例的电平转换电路的图。 图3 (a)和图3 (b)是示出本专利技术的实施例的电平转换电路的一 个例子的电路图。图4是示出本专利技术的实施例的电平转换电路的另一例子的电路图。图5是用于说明以往的电平转换电路的图。图6 (a)和图6 (b)是示出以往的电平转换电路的一个例子的电 路图。具体实施例方式以下，参照附图对将本专利技术应用于液晶显示装置的实施例进行详 细说明。另外，在用于说明实施例的所有附图中，对具有同一功能的部分 附加同一标号，并省略其重复的说明。图1是示出本专利技术的实施例的液晶显示装置的概略结构的框图。 在图1中，l是液晶面板，2是微控制器。一般，液晶面板1具有一对基板和夹在一对基板之间的液晶，液 晶面板l具有构成显示部的像素阵列10、配置在像素阵列10的周 边的X地址解码器12、 Y地址解码器13、接口电路ll、和振荡电路14。另外，在以下的说明中，将半导体层由多晶硅层构成的薄膜晶体 管称为多晶硅薄膜晶体管。像素阵列10具有矩阵状地配置的多个像素，各像素具有多晶硅薄 膜晶体管(以下称为像素晶体管)作为有源元件。另外，配置在像素 阵列10的周边的X地址解码器12、 Y地址解码器13、接口电路ll、 或者振荡电路14也由多晶硅薄膜晶体管(以下称为周边电路用晶体 管)构成。而且，在一对基板中的一个基板上，通过相同工序制作周边电路 用晶体管和像素晶体管。另外，在本实施例的液晶面板l中，像素阵列10内的各像素具有 SRAM ( Static Random Access Memory ),通过除了影4象的更新以外 使影像信号的改写成为不需要，从而可以实现低功耗化。在本实施例的液晶面板l中，来自微控制器1的信号经由接口电 路11直接输入到X地址解码器12、以及Y地址解码器13。因此，在 接口电路11的输入级，具有将从微控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，具备电平转换电路，其特征在于：　上述电平转换电路具有：　半导体层由多晶硅层构成的第一薄膜晶体管；　与上述第一薄膜晶体管的第二电极连接的波形整形电路；　连接在上述第一薄膜晶体管的第二电极与基准电源之间的恒 定电流源和开关元件，　向上述第一薄膜晶体管的控制电极输入偏置电压，向上述第一薄膜晶体管的第一电极输入输入信号，　上述第一薄膜晶体管是ｎ型薄膜晶体管，　上述输入信号是电压电平在第二电压与比上述第二电压高电位的第三电压之间变化 的信号，　上述基准电源的电压电平是比上述第三电压高电位的第一电压，　上述电平转换电路将电压电平在上述第三电压与上述第二电压之间变化的输入信号变换成电压电平在上述第一电压与上述第二电压之间变化的信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松本克巳，安田好三，安藤直久，宫泽敏夫，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：JP[日本]