微显示器的制备方法及微显示器技术

本发明专利技术公开了一种微显示器的制备方法，包括步骤：S1、制备单色显示器件；S2、制备黑色矩阵层；S3、制备第一涂布层；S4、制备第一透明保护层；S5、第一彩色像素光刻；S6、第一彩色像素刻蚀；S7、第一次去除光刻胶；S8、制备第二涂布层；S9、制备第二透明保护层；S10、第二彩色像素光刻；S11、第二彩色像素刻蚀；S12、第二次去除光刻胶；S13、制备第三透明保护层；涂布层采用颜料分散液制备，颜料分散液包括粘结高分子聚合物、交联成分、溶剂、分散改善剂、颜料和量子点。本发明专利技术的制备方法，可以实现高光利用效率、高亮度、高色域、低物料成本、高精度彩色化，良率高，成本低。本发明专利技术还公开了一种微显示器。本发明专利技术还公开了一种微显示器。本发明专利技术还公开了一种微显示器。

【技术实现步骤摘要】
微显示器的制备方法及微显示器


[0001]本专利技术属于微显示
，具体地说，本专利技术涉及一种微显示器的制备方法及微显示器。

技术介绍

[0002]微显技术已经广泛应用于近眼显示终端产品上，包括虚拟现实(VR)、增强现实(AR)、混合现实(MR)等。微显技术包括Micro OLED，Micro LED，高分辨率LCD，硅基液晶(LCOS)和数字光处理(DLP)等，目前量产品一般使用彩色光刻胶滤光片(CF，Color Filter)方案实现RGB彩色化。
[0003]CF为了实现RGB分离的目的，要过滤掉另外两个颜色，至少损失2/3的光，例如R像素，会过滤掉G和B光，所以CF方案光利于率低，导致屏幕功耗高，亮度低，不利于近眼显示应用。另外，彩色光刻胶半峰宽宽，CF方案无法得到高纯度RGB光，导致色域低。
[0004]目前的量子点彩色化技术，使用蓝光光源+量子点，由于量子点光致激发转换效率低，需要很厚的量子点层才能实现足够的光转换，厚的量子点层会导致透光性变差，亮度降低，同时由于量子点成本高，厚的量子点层也会增加成本。如果量子点厚度不足，光转换不够，会有大量蓝光泄露，导致色域变差，同时过量的蓝光泄露还会危害人体健康。目前量子点主要使用喷墨打印的方法，但是喷墨打印的分辨率低，无法做到小线宽，不适用于高分辨率。而量子点直接光刻图形化工艺，由于量子点对光刻胶性能的影响，也无法实现高分辨率。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种微显示器的制备方法，目的是实现高光利用效率、高亮度、高色域、低物料成本和高精度彩色化，提高良率，降低成本。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：微显示器的制备方法，包括步骤：
[0007]S1、制备单色显示器件；
[0008]S2、在单色显示器件表面制备黑色矩阵层；
[0009]S3、制备第一涂布层；
[0010]S4、在第一涂布层上制备第一透明保护层；
[0011]S5、第一彩色像素光刻；
[0012]S6、第一彩色像素刻蚀，干法刻蚀第一透明保护层和第一涂布层；
[0013]S7、第一次去除光刻胶；
[0014]S8、制备第二涂布层；
[0015]S9、在第二涂布层上制备第二透明保护层；
[0016]S10、第二彩色像素光刻；
[0017]S11、第二彩色像素刻蚀，干法刻蚀第二透明保护层和第二涂布层；
[0018]S12、第二次去除光刻胶；
[0019]S13、制备第三透明保护层；
[0020]其中，所述步骤S3中，第一涂布层采用第一量子点染料分散液制备，第一量子点染料分散液包括粘结高分子聚合物、交联成分、溶剂、分散改善剂、第一颜料和量子点；
[0021]所述步骤S8中，第二涂布层采用第二量子点染料分散液制备，第二量子点染料分散液包括粘结高分子聚合物、交联成分、溶剂、分散改善剂、第二颜料和量子点。
[0022]所述第一彩色像素为红色像素，所述第二彩色像素为绿色像素。
[0023]所述第一颜料为红色颜料，所述第二颜料为绿色颜料，所述量子点为硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点或砷化铟量子点。
[0024]所述第一透明保护层的材质为有机透明材料或无机透明材料，所述第二透明保护层的材质为有机透明材料或无机透明材料。
[0025]本专利技术还提供了另一种微显示器的制备方法，包括步骤：
[0026]H1、制备单色显示器件；
[0027]H2、在单色显示器件表面制备黑色矩阵层；
[0028]H3、制备第一涂布层；
[0029]H4、对第一涂布层直接曝光和显影，进行图形化；
[0030]H5、制备第二涂布层；
[0031]H6、对第二涂布层直接曝光和显影，进行图形化；
[0032]H7、制备透明保护层；
[0033]其中，所述步骤H3中，第一涂布层采用第一量子点染料分散液制备，第一量子点染料分散液包括粘结高分子聚合物、交联成分、溶剂、分散改善剂、光引发剂、第一颜料和量子点；
[0034]所述步骤H5中，第二涂布层采用第二量子点染料分散液制备，第二量子点染料分散液包括粘结高分子聚合物、交联成分、溶剂、分散改善剂、光引发剂、第二颜料和量子点。
[0035]所述第一颜料为红色颜料，所述第二颜料为绿色颜料，所述量子点为硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点或砷化铟量子点。
[0036]所述光引发剂为光敏剂或光固化剂。
[0037]所述溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲基醚丙酸酯、羟基丙酸乙酯、羟基丙酸酯、环丙酮、乙酸丁酯、醋酸酯、3
‑
乙氧基丙酸乙酯、3
‑
甲氧基丙酸甲酯或二乙二醇二乙醚，所述粘结高分子聚合物为丙烯酸酯类或酰胺类聚合物，所述交联成分为PET、PETA或DPHA。
[0038]本专利技术还提供了一种采用所述的微显示器的制备方法获得的微显示器。
[0039]本专利技术微显示器的制备方法，可以实现高光利用效率、高亮度、高色域、低物料成本、高精度彩色化，工艺简单，良率高，成本低。解决传统CF方案低光利用效率，低亮度，低色域的问题。同时解决单独量子点彩色化方案的量子点厚度厚，成本高，透光性低，亮度低，容易存在蓝光泄露，低色域，存在人体危害的问题。开发的量子点和滤光片一步间接图形化工艺，只需要2道mask就能实现RGB三像素彩色化，比CF工艺的3道mask简单；尤其是高精度光刻间接图形化工艺，引入曝光+刻蚀工艺，间接图形化，解决量子点和彩色光刻胶分辨率低
的问题。
附图说明
[0040]本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
[0041]图1是Micro OLED的结构示意图；
[0042]图2是Micro LED的结构示意图；
[0043]图3是LCD的结构示意图；
[0044]图4a
‑
图4l是采用间接图形化工艺的微显示器生产过程示意图；
[0045]图5a
‑
图5i是采用直接图形化工艺的微显示器生产过程示意图；
[0046]图中标记为：
[0047]1、驱动电路衬底；2、阳极；3、像素定义层；4、蓝光OLED层；5、封装层；6、黑色矩阵层；7、第一涂布层；8、第一透明保护层；9、第二涂布层；10、第二透明保护层；11、第三透明保护层；
[0048]12、电极；13、蓝光LED层；
[0049]14、TFT电路；15、玻璃；16、玻璃；17、蓝色背光层；18、液晶层。
具体实施方式
[0050]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.微显示器的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、制备单色显示器件；S2、在单色显示器件表面制备黑色矩阵层；S3、制备第一涂布层；S4、在第一涂布层上制备第一透明保护层；S5、第一彩色像素光刻；S6、第一彩色像素刻蚀，干法刻蚀第一透明保护层和第一涂布层；S7、第一次去除光刻胶；S8、制备第二涂布层；S9、在第二涂布层上制备第二透明保护层；S10、第二彩色像素光刻；S11、第二彩色像素刻蚀，干法刻蚀第二透明保护层和第二涂布层；S12、第二次去除光刻胶；S13、制备第三透明保护层；其中，所述步骤S3中，第一涂布层采用第一量子点染料分散液制备，第一量子点染料分散液包括粘结高分子聚合物、交联成分、溶剂、分散改善剂、第一颜料和量子点；所述步骤S8中，第二涂布层采用第二量子点染料分散液制备，第二量子点染料分散液包括粘结高分子聚合物、交联成分、溶剂、分散改善剂、第二颜料和量子点。2.根据权利要求1所述的微显示器的制备方法，其特征在于，所述第一彩色像素为红色像素，所述第二彩色像素为绿色像素。3.根据权利要求1所述的微显示器的制备方法，其特征在于，所述第一颜料为红色颜料，所述第二颜料为绿色颜料，所述量子点为硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点或砷化铟量子点。4.根据权利要求1至3任一所述的微显示器的制备方法，其特征在于，所述第一透明保护层的材质为有机透明材料或无机透明材料，所述第二透明保护层的材质为有机透明材料或无机透明材料。5.一种采用权利要求1至4任一所述的微显示器的制备方法获得的微显示器。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕迅，祖伟，尹立平，徐瑞，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：